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FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究
由于半導體生物傳感器的低成本、迅速反應、檢測準確等優(yōu)點，對于此類傳感器的研究和開發(fā)進行了大量投入。特別是基于場效應晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場效應管，它們被廣泛用于各種應用：如生物研究，即時診斷，環(huán)境應用，以及食品安全。
2023-11-20
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一文詳解場效應管電流源
FET電流源是一種有源電路，它使用場效應晶體管為電路提供恒定量的電流。但是，為什么還要恒定電流呢？恒流源和吸電流（吸電流與電流源相反）是一種非常簡單的方法，只需使用單個FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準電壓源，例如100uA、1mA或20mA。
2023-08-14
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功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？
學習模擬電子技術基礎，和電子技術相關領域的朋友，在學習構建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢？
2023-05-23
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石墨烯場效應管
隨著硅晶體管的尺寸和性能接近其物理極限，需要尋找替代材料來支持更多的新興技術， 其中一個具有希望的材料石墨烯。由于其出色的電氣、機械和熱性能，使得它最有可能成為場效應晶體溝道材料。
2023-05-17
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電力場效應管的結構和工作原理
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點。由于其易于驅動和開關頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。
2023-04-25
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RS瑞森半導體低壓MOS在小家電的應用
MOSFET是集成電路中帶有絕緣層的柵型場效應管，主要分為N溝道和P溝道兩大類。其中N溝道MOS管電路中BEEP引腳可以控制蜂鳴器響應和關閉，P溝道MOS管可以控制GPS模塊電源的通斷。總的來說MOS管有著很高的輸入阻抗，能夠在電路中方便直接耦合，容易制作成為大規(guī)模的集成電路，還能作為可變電阻和電子開關。
2022-11-25
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科普：MOSFET結構及其工作原理
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+FET(Field Effect Transistor場效應晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產生電場的效應來控制半導體(S)導電溝道開關的場效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場效應管。
2022-11-04
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變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態(tài)測量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
2022-06-21
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【收藏】史上最全MOSFET技術疑難盤點
導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應控制電流的，所以也叫場效應三極管(FET)，簡稱場效應管。MOS在電路中應用很常見，主要作為開關管，在電機驅動電路中常見。
2021-03-22
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熱釋電紅外傳感器原理和應用介紹
隨著社會的發(fā)展，各種方便于生活的自動控制系統(tǒng)開始進入了人們的生活，以熱釋電紅外傳感器為核心的自動門系統(tǒng)就是其中之一。熱釋電紅外傳感器是基于熱電效應原理的熱電型紅外傳感器。其內部的熱電元由高熱電系數的鐵鈦酸鉛汞陶瓷以及鉭酸鋰、硫酸三甘鐵等配合慮光鏡片窗口組成，其極化隨溫度的變化而變化。熱釋電紅外傳感器由傳感探測元、干涉濾光片和場效應管匹配器三部分組成。
2021-02-02
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圣邦微電子同步降壓轉換器SGM61230，為抗擊極限過載而生
SGM61230是圣邦微電子推出的一顆輸入電壓4.5V至28V、連續(xù)輸出電流3A的同步降壓轉換器，包括兩個集成開關場效應管、內部回路補償和內部5ms軟啟動，有效減少元件使用數量。跳頻模式用來實現(xiàn)最大化輕載效率和降低功率損耗；66mΩ高側N溝道MOSFET的逐周期電流限制功能可以保護過載條件下的轉換器，并通過36mΩ低側MOSFET續(xù)流電流限制功能來防止電流失控。
2020-12-04
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碳化硅FET推動了電力電子技術的發(fā)展
碳化硅（SiC）JFET是一種晶體管類型，它提供單位面積上最低的導通電阻RDS（on），是一種性能穩(wěn)定的器件。與傳統(tǒng)的MOSFET器件相比，JFET不易發(fā)生故障，適合斷路器和限流應用。例如，如果你用1毫安的電流偏置一個JFET的柵極，并監(jiān)控柵極電壓Vgs，見圖1，你可以監(jiān)控器件的溫度，因為Vgs隨溫度線性降低。此屬性對于需要功率場效應管（Sic JFET）的功率模塊應用程序特別有用，它可以監(jiān)視其自身的運行狀況。
2020-11-03
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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