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技術文章

2025西部電博會啟幕在即，中文域名“西部電博會.網(wǎng)址”正式上線

2025年中國（西部）電子信息博覽會（簡稱“西部電博會”）將于7月9日至11日在成都世紀城新國際會展中心舉辦。本屆博覽會以“新西部、新重構、新機遇”為主題，聚焦電子信息產(chǎn)業(yè)最新趨勢與機遇。為提升參展體驗，組委會正式啟用“成都電子展.網(wǎng)址”與“西部電博會.網(wǎng)址”兩大中文域名，觀眾、展商及合作伙伴...

2025-06-23

2025西部電博會成都電子展中文域名西部電子信息博覽會成都電子展展會網(wǎng)址

高壓BMS：電池儲能系統(tǒng)的安全守護者與壽命延長引擎

在能源轉型的浪潮中，電池儲能系統(tǒng)（BESS）已成為住宅、商業(yè)、工業(yè)和電網(wǎng)級應用的核心基礎設施。而高達數(shù)百伏甚至上千伏的高壓電池系統(tǒng)，因其能量密度高、系統(tǒng)效率高、電流損耗小的優(yōu)勢，正成為大規(guī)模儲能的主流選擇。然而，高壓意味著高風險，也對電池管理提出了前所未有的挑戰(zhàn)。高壓電池管理系統(tǒng)...

2025-06-20

高壓BMS 電池管理系統(tǒng) 電池儲能系統(tǒng) 電池安全電池健康狀態(tài)SOH

高精度低噪聲 or 大功率強驅動？儀表放大器與功率放大器選型指南

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)的精密舞臺上，兩類關鍵“演員”——儀表放大器（In-Amp）與功率放大器（Power Amp）——扮演著截然不同卻都不可或缺的角色。它們雖共享“放大”之名，但設計哲學、核心任務與應用疆域存在本質差異。理解這種差異，是工程師為系統(tǒng)挑選“最佳配角”的關鍵。

2025-06-20

儀表放大器功率放大器高精度放大器功率驅動電路

戰(zhàn)略布局再進一步：意法半導體2025股東大會關鍵決議全票通過

意法半導體（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年股東大會于荷蘭阿姆斯特丹圓滿落幕，大會全票通過所有決議案。作為全球多重電子應用領域領導者，此次決議將為公司戰(zhàn)略布局注入新動能。

2025-06-20

意法半導體股東大會

μV級精度保衛(wèi)戰(zhàn)：信號鏈電源噪聲抑制架構全解，拒絕LSB丟失！

在精密測量、醫(yī)療儀器及工業(yè)傳感系統(tǒng)中，信號鏈的μV級精度直接決定系統(tǒng)性能上限。而電源噪聲，常以隱形殺手的姿態(tài)吞噬ADC/DAC的有效位數(shù)——當1mV電源紋波可導致12位ADC丟失4個LSB時，電源架構選型便成為精度保衛(wèi)戰(zhàn)的核心戰(zhàn)場。本文從噪聲頻譜與拓撲本質出發(fā)，拆解LDO、開關電源及混合架構的噪聲基因...

2025-06-19

電源噪聲 ADC精度 PSRR優(yōu)化信號鏈噪聲抑制 LDO選型開關電源濾波

破解工業(yè)電池充電器難題：升壓or圖騰柱？SiC PFC拓撲選擇策略

工業(yè)設備電動化浪潮下，電池充電器面臨嚴苛挑戰(zhàn)：需兼容120-480V寬壓輸入，在震動/粉塵/溫變等惡劣條件下實現(xiàn)高效供電，同時滿足尺寸重量極限壓縮與無風扇散熱需求。本文聚焦PFC級核心設計，對比升壓與圖騰柱拓撲的實戰(zhàn)優(yōu)劣，解析SiC MOSFET如何重構工業(yè)充電器性能邊界。

2025-06-19

工業(yè)電池充電器 PFC拓撲對比升壓PFC 圖騰柱PFC SiC MOSFET應用

從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴展實戰(zhàn)指南

在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯(lián)擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。

2025-06-19

SiC MOSFET并聯(lián) 高功率設計分立器件優(yōu)勢功率擴展熱管理設計并聯(lián)可靠性

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