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技術文章

提高下一代DRAM器件的寄生電容性能

隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產(chǎn)生負面影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結...

2024-11-20

DRAM器件寄生電容

意法半導體Web工具配合智能傳感器加快AIoT項目落地

意法半導體新推出了一款基于網(wǎng)絡的工具 ST AIoT Craft，該工具可以簡化在意法半導體智能 MEMS 傳感器的機器學習內核 (MLC)上開發(fā)節(jié)點到云端的 AIoT（物聯(lián)網(wǎng)人工智能）項目以及相關網(wǎng)絡配置。

2024-11-19

意法半導體 Web工具智能傳感器 AIoT

韌性與創(chuàng)新并存，2024 IIC創(chuàng)實技術再獲獎分享供應鏈挑戰(zhàn)下的自我成長

11月5日-6日，由全球電子行業(yè)知名媒體AspenCore主辦的國際集成電路展覽會暨研討會（IIC Shenzhen 2024）在深圳福田會展中心7號館圓滿落幕。作為業(yè)界頗具影響力的系統(tǒng)設計峰會，IIC Shenzhen 2024再次為半導體產(chǎn)業(yè)搭建了一個專業(yè)的交流平臺，聚集國內外電子產(chǎn)業(yè)領袖、管理人員、設計精英及決策者，聚...

2024-11-19

IIC 創(chuàng)實技術供應鏈

上海國際嵌入式展暨大會（embedded world China ）與多家國際知名項目達成合作

embedded world China 同期嵌入式大會，延續(xù)德國母展優(yōu)良傳統(tǒng)，攜手WEKA Fachmedien GmbH共同舉辦——匯集嵌入式系統(tǒng)生態(tài)系統(tǒng)所有學科的研究人員和開發(fā)人員、行業(yè)和學術界，共同推動復雜系統(tǒng)體系的演變及其多方面的創(chuàng)新。

2024-11-19

上海國際嵌入式展嵌入式

第104屆中國電子展震撼開幕，助推產(chǎn)業(yè)深度融合發(fā)展

近期，隨著特朗普當選美國總統(tǒng)，整個電子信息產(chǎn)業(yè)一致認為全球產(chǎn)業(yè)格局將迎來特朗普2.0時代，各種預測分析撲朔迷離，產(chǎn)業(yè)的區(qū)域化重塑，逐步建立新的格局。同時，電子信息行業(yè)高速發(fā)展的底層邏輯不變，從底層市場來看，國際知名產(chǎn)業(yè)機構都預測今年半導體市場規(guī)模呈現(xiàn)兩位數(shù)的增長態(tài)勢。企業(yè)側，國內...

2024-11-19

第104屆中國電子展智能制造

在更寬帶寬應用中使用零漂移放大器的注意事項

零漂移運算放大器使用斬波、自穩(wěn)零或這兩種技術的結合來消除不需要的低頻誤差源，例如失調和1/f噪聲。傳統(tǒng)上，此類放大器僅用于低帶寬應用中，因為這些技術在較高頻率時會產(chǎn)生偽像。只要系統(tǒng)設計時考慮了高頻誤差，例如紋波、毛刺和交調失真(IMD)等，較寬帶寬的解決方案也可以受益于零漂移運算放大...

2024-11-19

零漂移放大器寬帶寬應用

第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入

離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。

2024-11-19

SiC 加工工藝離子

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