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技術(shù)文章

如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車(chē)電池的充電能力

終端用戶希望新的電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)能夠最大限度地減少車(chē)輛的空閑時(shí)間，尤其是在長(zhǎng)途駕駛中。電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)人員需要提高充電器的功率輸出、功率密度和效率，以實(shí)現(xiàn)終端用戶期望的快速充電。目前，單個(gè)單元充電器的設(shè)計(jì)范圍是從7千瓦到30千瓦。將單個(gè)單元元件組合到模塊化設(shè)計(jì)中可以增加功率輸出，幫助充電...

2022-12-13

面貼裝功率器件電動(dòng)汽車(chē)電池

干貨分享丨超詳細(xì)的200G QSFP56光模塊知識(shí)

隨著數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展，在100G光模塊不足以滿足日益增長(zhǎng)的網(wǎng)絡(luò)升級(jí)要求而400G還未普及的情況下，200G QSFP56光模塊成為了200G以太網(wǎng)部署的主流解決方案。接下來(lái)，就由易天光通信為你詳細(xì)介紹一下200G QSFP56光模塊。

2022-12-13

QSFP56光模塊

實(shí)驗(yàn)出真知！可充分發(fā)揮ESD保護(hù)元件性能的電路設(shè)計(jì)

TDK的多層貼片式壓敏電阻產(chǎn)品陣容齊全，可保護(hù)設(shè)備因受ESD（靜電放電）影響而引發(fā)的故障和誤動(dòng)作，能幫助客戶有效解決ESD問(wèn)題。但隨著用戶設(shè)備的小型化、輕量化和高功能化，以前效果出眾的多層貼片式壓敏電阻產(chǎn)品也出現(xiàn)了無(wú)法充分發(fā)揮保護(hù)效果的情況。

2022-12-13

ESD 保護(hù)元件電路設(shè)計(jì)

800V高壓BMS：如何做到系統(tǒng)架構(gòu)升級(jí)，組件成本下降？

各種電池結(jié)構(gòu)都有其固有的優(yōu)缺點(diǎn)。汽車(chē)OEM廠商需要分析并確定哪種架構(gòu)更適合自己的生產(chǎn)模式，同時(shí)保持系統(tǒng)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。使用兩個(gè)獨(dú)立的400V電池是解決這一挑戰(zhàn)的創(chuàng)新性解決方案。

2022-12-13

BMS 系統(tǒng)架構(gòu) 組件成本

不同功率器件在充電樁三相LLC拓?fù)渲械膽?yīng)用探討

近年來(lái)新能源汽車(chē)發(fā)展迅速，對(duì)充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求。基于三相LLC變換器技術(shù)的30千瓦功率模塊單元性能更優(yōu)，可以滿足現(xiàn)有的市場(chǎng)需求?；?0千瓦三相LLC變換器常見(jiàn)的母線電壓等級(jí)800V，對(duì)于650V和1200V器件存在兩種不同的拓?fù)浞桨浮Ｎ恼箩槍?duì)這兩類(lèi)拓?fù)溥M(jìn)行參數(shù)設(shè)計(jì)，選取...

2022-12-13

功率器件充電樁 LLC拓?fù)?/p>

SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比

富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。

2022-12-13

SiC MOSFET 寄生電容高頻電源

英飛凌優(yōu)化DC-DC設(shè)計(jì)，滿足新一代數(shù)據(jù)中心的性能與能耗需求

可提供優(yōu)質(zhì)體驗(yàn)、創(chuàng)造全新商業(yè)模式的AI、5G、物聯(lián)網(wǎng)等新技術(shù)，近幾年的落地速度不斷加快。上述新技術(shù)背后都需要有性能強(qiáng)大的數(shù)據(jù)中心提供支持，不過(guò)伴隨著強(qiáng)大算力與傳輸功能而來(lái)的便是高能耗。英飛凌指出，龐大的能源消耗帶來(lái)的不只是電費(fèi)的增加，還有與日俱增的ESG壓力，因此企業(yè)必須在使用高性能...

2022-12-12

英飛凌 DC-DC設(shè)計(jì) 數(shù)據(jù)中心

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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比

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