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技術(shù)文章

使用柵極電阻控制IGBT的開關(guān)

柵極電阻會(huì)影響IGBT的開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗及各種其他參數(shù)，必須根據(jù)具體應(yīng)用的參數(shù)非常仔細(xì)地選擇和優(yōu)化。一般情況下，減小柵極電阻阻值可降低IGBT的開關(guān)損耗，但同時(shí)也必須注意快速的導(dǎo)通關(guān)斷所帶來的電壓尖峰和電磁干擾。

2008-11-02

柵極電阻 IGBT MOSFET 柵極峰值電流

如何根據(jù)需要恰當(dāng)選擇電機(jī)

深入了解各種電機(jī)的特點(diǎn)有助于工程師對(duì)所需的應(yīng)用選擇適當(dāng)?shù)碾姍C(jī)。本文簡單介紹永磁有刷換向直流電機(jī)、無刷直流電機(jī)與混合式步進(jìn)電機(jī)的工作原理，并從若干方面對(duì)這幾種電機(jī)的特點(diǎn)進(jìn)行詳細(xì)的分析比較，以助于工程師選擇參考。

2008-11-02

永磁有刷換向直流電機(jī) 無刷直流電機(jī) 混合式步進(jìn)電機(jī)

電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS）由電動(dòng)機(jī)直接提供轉(zhuǎn)向助力，只需通過改變控制器軟件的設(shè)計(jì)，即可方便地調(diào)節(jié)汽車系統(tǒng)的助力特性。本文介紹了利用MC9S12系列單片機(jī)為微控制器的EPS控制系統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，經(jīng)試驗(yàn)該系統(tǒng)性能良好，可基本滿足電動(dòng)助力系統(tǒng)轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的需要。

2008-11-02

MOSFET EPS MC9S12 NE555

步進(jìn)電機(jī)H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

本文設(shè)計(jì)的步進(jìn)電機(jī)H橋驅(qū)動(dòng)電路，使加到電機(jī)繞組上的電流信號(hào)前后沿較陡，降低了開關(guān)損耗，改善了電機(jī)的高頻特性，同時(shí)具有多種保護(hù)功能．實(shí)驗(yàn)證明，該驅(qū)動(dòng)電路簡單、可靠并具有優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)性能。

2008-11-02

H橋功率驅(qū)動(dòng) MOSFET U14 1N4744

MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

常用MOSFET管主要有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，兩者在導(dǎo)通的時(shí)候都會(huì)有導(dǎo)通損耗和開關(guān)損失出現(xiàn)，要想辦法降低這兩種損失。在MOS管的驅(qū)動(dòng)問題方面，除了要考慮導(dǎo)通電壓的問題，速度也是一個(gè)考察的方面。

2008-11-02

MOSFET NMOS PMOS 導(dǎo)通損耗開關(guān)損失

IPM驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的研究

智能功率模塊(IPM)是集GTR及MOSFET兩者優(yōu)點(diǎn)于一身的功率開關(guān)器件，，內(nèi)置的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路縮短了系統(tǒng)開發(fā)時(shí)間，也提高了故障下的自保護(hù)能力。本文簡單介紹了IPM的基本工作特性和常用IPM驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方法，并給出了設(shè)計(jì)實(shí)例。

2008-11-02

IPM IGBT MOSFET PM100DSA120 PIC

IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)在直流調(diào)速系統(tǒng)中的應(yīng)用

本文將大功率開關(guān)器件IGBT應(yīng)用在功率變換電路及直流調(diào)速系統(tǒng)中。闡述了IGBT 驅(qū)動(dòng)器的基本要求，同時(shí)介紹了EXB841 芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，并分析了系統(tǒng)的工作原理。

2008-11-02

IGBT AT89C51 EXB841 轉(zhuǎn)速測量

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IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)在直流調(diào)速系統(tǒng)中的應(yīng)用

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