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技術(shù)文章

SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET

日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對(duì)于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。

2008-10-23

SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET

是否所有的ESD保護(hù)二極管都有相同的保護(hù)效果？

本文針對(duì)目前所面臨的找到一種具有成本效益的ESD解決方案的挑戰(zhàn)，分析了ESD方面所需考慮的因素，提出了將電壓箝位到更低水平的最優(yōu)方案，接著并比較幾種保護(hù)器件得出安森美的保護(hù)器件更具競(jìng)爭(zhēng)性和優(yōu)越性。

2008-10-23

ESD 保護(hù)二極管箝位電壓

過壓保護(hù)的備用電路: 技巧和竅門

過壓保護(hù)(OVP)器件用于保護(hù)后續(xù)電路免受甩負(fù)載或瞬間高壓的破壞，在某些特定的應(yīng)用中，基本的過壓保護(hù)電路不足以勝任器件保護(hù)的要求，通常有以下兩種需求。第一，電路的最大輸入電壓可能增大；第二，適當(dāng)修改電路，可以在發(fā)生過壓或欠壓時(shí)利用輸出電容儲(chǔ)能保持能量。本文討論如何針對(duì)這兩種需求修改...

2008-10-23

過壓保護(hù) 電路 MOSFET

印制電路板上的電磁干擾及抑制

本文主要討論在印制電路板的布線設(shè)計(jì)中電源布線和信號(hào)布線的電磁干擾問題，并提出解決途徑：抑制電源布線產(chǎn)生的干擾的主要方法有電源平面法、共地平面法和電源母線法；抑制信號(hào)布線產(chǎn)生的干擾的主要方法有增大信號(hào)線之間的距離，減小信號(hào)線與地之間的距離；同時(shí)，設(shè)計(jì)印制電路板還應(yīng)遵循一定的抗干...

2008-10-23

印制電路板電磁干擾抑制

靜電在LED顯示屏生產(chǎn)過程中的危害及防護(hù)措施

如何規(guī)范化生產(chǎn)，如何生產(chǎn)出真正意義上的低衰減、長(zhǎng)壽命的 LED顯示屏產(chǎn)品？本文僅從LED顯示屏生產(chǎn)過程的靜電防護(hù)角度，討論該過程靜電帶來的危害及其防護(hù)方法。

2008-10-23

靜電 LED 防護(hù)措施危害

抑制耳機(jī)放大器RF噪音的兩種方法

本文主要討論抑制耳機(jī)放大器RF噪音的方法，提出了兩種方法：通過屏蔽并縮短輸入信號(hào)引線降低輸入放大器的RF能量；選擇具有RF抑制功能的放大器，使耦合到輸出端的噪聲最小。并以GSM手機(jī)為例具體闡釋了這兩種方法的實(shí)現(xiàn)。

2008-10-23

抑制RF噪音音頻放大器屏蔽

電子信息產(chǎn)業(yè)出口受制發(fā)展后勁面臨考驗(yàn)

隨著十月華爾街金融風(fēng)暴的加劇，我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)的出口經(jīng)受嚴(yán)峻考驗(yàn)。工業(yè)和信息化部日前在第十屆高交會(huì)上發(fā)布的《2008年Q3季度中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行公報(bào)》顯示，電子信息產(chǎn)業(yè)今年前三季度經(jīng)濟(jì)運(yùn)行保持平穩(wěn)發(fā)展，但延續(xù)了過往幾個(gè)季度增速放緩的態(tài)勢(shì)，經(jīng)濟(jì)運(yùn)行增速始終低于全國(guó)工業(yè)平均水平，...

2008-10-22

電子信息產(chǎn)業(yè) 通訊計(jì)算機(jī) 家用視聽業(yè)

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