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技術(shù)文章

晶圓廠產(chǎn)能不足 MOSFET供貨警報(bào)響

臺(tái)晶圓代工廠產(chǎn)能供應(yīng)失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅(qū)動(dòng)IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動(dòng)作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶(hù)一直緊急追單，MOSFET市場(chǎng)明顯供不應(yīng)求現(xiàn)象，對(duì)臺(tái)系相關(guān)供應(yīng)商如富鼎、尼克森及茂達(dá)2010年...

2010-01-21

晶圓產(chǎn)能 MOSFET 供貨警報(bào)

電子電信：新興產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)空間更廣闊

2009年12月以來(lái)，受益于出口預(yù)期的好轉(zhuǎn)和國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策的扶持，信息設(shè)備、信息服務(wù)、電子元器件行業(yè)的表現(xiàn)明顯強(qiáng)于大市。我們認(rèn)為，這一方面體現(xiàn)出市場(chǎng)對(duì)新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高度關(guān)注，另一面也是當(dāng)前市場(chǎng)風(fēng)格轉(zhuǎn)換的內(nèi)在體現(xiàn)。隨著2010年相關(guān)政策的推進(jìn)，電子電信行業(yè)有望長(zhǎng)期保持強(qiáng)于A股的走勢(shì)。

2010-01-21

電子電信新興產(chǎn)業(yè) 成長(zhǎng)空間廣闊

2009年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入同比降11.4%

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司Gartner的估計(jì)，2009年全球半導(dǎo)體行業(yè)總收入為2.26億美元，同比下滑11.4%，這將是該行業(yè)25年來(lái)經(jīng)歷的第六次收入下滑。 Gartner分析稱(chēng)，個(gè)人電腦市場(chǎng)是最先反彈的市場(chǎng)，隨后是手機(jī)、汽車(chē)等市場(chǎng)開(kāi)始反彈。

2010-01-21

全球半導(dǎo)體行業(yè) 收入下降

新系列MEMS加速計(jì)突破尺寸和功耗極限

意法半導(dǎo)體在加速計(jì)設(shè)計(jì)方面取得了最新進(jìn)步，將傳感器尺寸縮小到2 x 2mm，100Hz采樣率時(shí)的功耗降到10微安以下，這數(shù)值已經(jīng)比目前其他產(chǎn)品器件低一個(gè)量級(jí)，，功耗還能再降到幾微安，以配合更低的數(shù)據(jù)速率。由于這一重大成果，空間和功耗受限的便攜設(shè)備得以加快采用動(dòng)作控制型技術(shù)應(yīng)用，性能和功能不...

2010-01-21

MEMS 加速計(jì) 尺寸功耗極限

業(yè)界巨頭謀劃2010年推出新一代液晶拼接產(chǎn)品

2009年，國(guó)內(nèi)大屏拼接產(chǎn)業(yè)發(fā)生的影響最深遠(yuǎn)的事件莫過(guò)于7毫米雙邊接縫的液晶拼接產(chǎn)品的隆重登場(chǎng)了。據(jù)內(nèi)部消息表明，三星、三菱等業(yè)界巨頭已經(jīng)在謀劃2010年推出更新一代的液晶拼接產(chǎn)品：雙邊接縫控制能力渴望達(dá)到3毫米以下。

2010-01-21

液晶拼接大屏幕三星 DLP背投拼接 MPDP等離子拼接

Toshiba推出低導(dǎo)通電阻快速開(kāi)關(guān)30V MOSFET

Toshiba美國(guó)電子元器件公司（TAEC）推出6器件采用TSON先進(jìn)封裝的30V MOSFET系列。這些新器件用于同步DC-DC轉(zhuǎn)換器中，如移動(dòng)和臺(tái)式電腦，服務(wù)器，游戲機(jī)和其它電子器件中，移動(dòng)和臺(tái)式電腦，服務(wù)器，游戲機(jī)和其它電子器件。

2010-01-21

Toshiba 電阻 MOSFET TSON封裝

TI推出降低上表面熱阻的功率MOSFET

日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool NexFET 功率MOSFET有助于縮小終端設(shè)備的尺寸，同時(shí)還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。

2010-01-21

TI MOSFET DualCool NexFET 器件

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晶圓廠產(chǎn)能不足 MOSFET供貨警報(bào)響

電子電信：新興產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)空間更廣闊

2009年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入同比降11.4%

新系列MEMS加速計(jì)突破尺寸和功耗極限

業(yè)界巨頭謀劃2010年推出新一代液晶拼接產(chǎn)品

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TI推出降低上表面熱阻的功率MOSFET

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