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技術(shù)文章

OBD-II 系統(tǒng)的 ESD 防護(hù)（下）

本文為OBD-II系統(tǒng)ESD保護(hù)系列文章的下篇。在前文《OBD-II系統(tǒng)的ESD防護(hù)（上）》中，我們已詳細(xì)介紹了OBD-II端口及其支持的協(xié)議。

2023-06-01

OBD-II系統(tǒng) ESD防護(hù)

降低電源紋波噪聲的方法與實(shí)例

在應(yīng)用電源模塊常見的問(wèn)題中，降低負(fù)載端的紋波噪聲是大多數(shù)用戶都關(guān)心的。下文結(jié)合紋波噪聲的波形、測(cè)試方式，從電源設(shè)計(jì)及外圍電路的角度出發(fā)，闡述幾種有效降低輸出紋波噪聲的方法。

2023-06-01

電源紋波噪聲方法

SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和質(zhì)量要求

在 SiC 方面，GeneSiC 使用溝槽輔助平面柵極工藝流程，確保可靠的柵極氧化物和具有較低傳導(dǎo)損耗的器件。測(cè)試表明，在 150-kHz、1,200-V、7.5-kW DC/DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，溫度較低的器件運(yùn)行溫度約為 25°C。據(jù)估計(jì)，這種溫差可將器件壽命提高 3 倍。該公司對(duì)其 SiC 產(chǎn)品進(jìn)行了 100% 的雪崩測(cè)試，其示例...

2023-05-31

SiC 功率器件 GaN 功率器件

比對(duì)隔離電源與非隔離電源

在給嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)電源電路，或選用成品電源模塊時(shí)，要考慮的重要問(wèn)題之一就是用隔離還是非隔離的電源方案。在進(jìn)行討論之前，我們先了解下隔離與非隔離的概念，及兩者的主要特點(diǎn)。

2023-05-31

隔離電源非隔離電源

基于形式的高效 RISC-V 處理器驗(yàn)證方法

RISC-V的開放性允許定制和擴(kuò)展基于 RISC-V 內(nèi)核的架構(gòu)和微架構(gòu)，以滿足特定需求。這種對(duì)設(shè)計(jì)自由的渴望也正在將驗(yàn)證部分的職責(zé)轉(zhuǎn)移到不斷壯大的開發(fā)人員社群。然而，隨著越來(lái)越多的企業(yè)和開發(fā)人員轉(zhuǎn)型RISC-V，大家才發(fā)現(xiàn)處理器驗(yàn)證絕非易事。新標(biāo)準(zhǔn)由于其新穎和靈活性而帶來(lái)的新功能會(huì)在無(wú)意中產(chǎn)生...

2023-05-31

RISC-V 處理器驗(yàn)證

國(guó)網(wǎng)新規(guī)下電力DTU最小系統(tǒng)核心板設(shè)計(jì)的新思路

根據(jù)國(guó)家能源局2020年能源領(lǐng)域行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制修訂計(jì)劃，中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司牽頭起草了《12kV一二次融合成套柱上開關(guān)》、《12kV一二次融合成套環(huán)網(wǎng)箱》兩項(xiàng)電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。2021年6月中國(guó)電科院配電技術(shù)中心組織30余家配電開關(guān)及配電終端主流生產(chǎn)企業(yè)開啟了兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的執(zhí)行。

2023-05-31

DTU 核心板 MCU

ST中國(guó)區(qū)總裁介紹半導(dǎo)體制造戰(zhàn)略：加大第三代半導(dǎo)體垂直整合，與客戶長(zhǎng)期雙贏

對(duì)于ST而言，芯片設(shè)計(jì)和制造同樣重要。ST在制造上的戰(zhàn)略規(guī)劃正在逐步實(shí)施，將會(huì)幫助其實(shí)現(xiàn)200億美元營(yíng)收和2027碳中和兩大目標(biāo)。而因?yàn)樾酒圃炻L(zhǎng)而又復(fù)雜，所以芯片廠商需要客戶及早分享設(shè)計(jì)方案及生產(chǎn)計(jì)劃，這樣才能實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的雙贏。

2023-05-31

ST 射頻功率GaN

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