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技術(shù)文章

控制電機(jī)控制器的微控制器

您可能已經(jīng)在框圖中注意到 EFM8 似乎由 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的 5 V 供電。但實(shí)際上，EFM8 有一個(gè)集成的線性穩(wěn)壓器，可接受 5 V 輸入并生成 3.3 V 電壓供自身使用和外部電路使用。J2 是一個(gè)三針接頭，允許用戶通過(guò) DC/DC 轉(zhuǎn)換器或 USB 連接提供的 5 V 電壓為 EFM8 供電。

2023-08-03

控制電機(jī)控制器微控制器

板載電源：定制還是標(biāo)準(zhǔn)？

在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中設(shè)計(jì)電路板的電源部分時(shí)，很容易從目錄中選擇標(biāo)準(zhǔn)模塊。如今，許多供應(yīng)商提供各種優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，無(wú)論是隔離磚還是非隔離負(fù)載點(diǎn)模塊 (POL)。

2023-08-03

板載電源嵌入式系統(tǒng) 電路板

使用SiC MOSFET和Si IGBT柵極驅(qū)動(dòng)優(yōu)化電源系統(tǒng)

在電動(dòng)汽車 (EV) 和光伏 (PV) 系統(tǒng)等綠色能源應(yīng)用所需的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和交流 (AC) 逆變器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是關(guān)鍵元件。但是如要獲得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)需要精確的驅(qū)動(dòng)電壓（具體取決于所使用的器件）。

2023-08-03

SiC MOSFET Si IGBT 柵極驅(qū)動(dòng) 電源系統(tǒng)

1200V,1700V,2000V......高性能碳化硅器件如何應(yīng)對(duì)持續(xù)挑戰(zhàn)？

SiC 等寬禁帶 (WBG) 器件對(duì)于當(dāng)今汽車和可再生能源等應(yīng)用至關(guān)重要。隨著我們的世界逐漸轉(zhuǎn)向使用可持續(xù)能源（主要是電力），能效比以往任何時(shí)候都更重要。提高開(kāi)關(guān)模式能效的方法之一是降低銅損和開(kāi)關(guān)損耗。然而，為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，直流母線電壓不斷上升，半導(dǎo)體技術(shù)必須發(fā)展以跟上步伐。這些技術(shù)對(duì)...

2023-08-03

高性能碳化硅器件安森美

穩(wěn)壓二極管的動(dòng)態(tài)電阻

穩(wěn)壓二極管是利用其反向擊穿時(shí)電流會(huì)急劇升高的特性進(jìn)行穩(wěn)壓，表現(xiàn)出此時(shí)的動(dòng)態(tài)電阻 Rz，也就是增加的電壓除以增加的電流，所得到的比值比較小，這樣就會(huì)使得外部電壓的波動(dòng)對(duì)穩(wěn)壓二極管兩端電壓影響較小。

2023-08-03

穩(wěn)壓二極管動(dòng)態(tài)電阻

晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計(jì)算

功率晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS旁路等場(chǎng)合。本文通過(guò)公式計(jì)算和在線IPOSIM仿真兩種方式，對(duì)晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計(jì)算和結(jié)溫預(yù)估進(jìn)行說(shuō)明，給廣大工程師在晶閘管選型時(shí)提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應(yīng)用中的損耗計(jì)算，請(qǐng)參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計(jì)算》。

2023-08-03

晶閘管 UPS 損耗

AFE8092幀同步特性簡(jiǎn)析

TI Transceiver芯片是高集成度，高性能的射頻收發(fā)器芯片。產(chǎn)品族內(nèi)產(chǎn)品架構(gòu)種類豐富。在產(chǎn)品架構(gòu)方面，包括了以AFE77xx系列為代表的零中頻架構(gòu)收發(fā)信機(jī)，以AFE80xx, AFE79xx，AFE76xx系列為代表的射頻直采架構(gòu)收發(fā)信機(jī)。在產(chǎn)品通道數(shù)方面，支持最低2T2R1F，4T4R2F到8T8R2F的通道數(shù)。同時(shí)，也支持大...

2023-08-03

AFE8092 射頻收發(fā)器

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