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技術(shù)文章

如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應用？

如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。

2023-09-20

氮化鎵晶體管

提升直流穩(wěn)壓電路的效率并降低噪聲

在高效率非常重要的場合，開關(guān)穩(wěn)壓器是電壓調(diào)節(jié)的理想選擇。但是，開關(guān)穩(wěn)壓器仍然會消耗一些能量，而且開關(guān)噪聲可能是一個挑戰(zhàn)。利用 Analog Device 的直通特性，用戶可以實現(xiàn)效率的顯著提升和無噪聲運行。負載對電壓波動的承受能力越強，潛在效益越大。

2023-09-20

直流穩(wěn)壓電路噪聲效率

搭載1200V P7芯片的PrimePACK刷新同封裝功率密度

繼英飛凌1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶認可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200V IGBT7 P7芯片，并將其應用在PrimePACK?模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。

2023-09-20

P7芯片 PrimePACK 功率密度

LDO穩(wěn)壓器綜合指南：噪聲、折衷方案、應用和趨勢

本文介紹 LDO穩(wěn)壓器選型時幾個不太注意的關(guān)鍵參數(shù)。還針對特殊低噪聲要求，將開關(guān)穩(wěn)壓器和LDO穩(wěn)壓器進行了比較。此外還討論了行業(yè)趨勢，以及介紹需要高性能LDO穩(wěn)壓器的應用。

2023-09-20

LDO穩(wěn)壓器噪聲趨勢

非隔離式變換器電磁干擾（EMI）的分析與建模方法（下）

如果在設計初期沒有考慮電磁干擾(EMI)問題，那元件在最終設計階段將很難滿足 EMI 要求。對 EMI 進行建模與分析將幫助設計人員在設計之初即優(yōu)化 EMI 并預測 EMI 性能。

2023-09-20

變換器電磁干擾建模

如何設計采用Sallen-Key濾波器的抗混疊架構(gòu)

此KWIK（技術(shù)訣竅與綜合知識）電路應用筆記提供了解決特定設計挑戰(zhàn)的分步指南。對于給定的一組應用電路要求，本文說明了如何利用通用公式應對這些要求，并使它們輕松擴展到其他類似的應用規(guī)格。

2023-09-20

Sallen-Key 濾波器抗混疊架構(gòu)

向連接器高頻高速輕薄化進階!——對話優(yōu)群科技

世界領(lǐng)先的電子制造設備展會——慕尼黑上海電子展在2023年7月11-13日于國家會展中心正式拉開帷幕, 各大連接器企業(yè)在展會中紛紛攜帶特色電子產(chǎn)品亮相。

2023-09-19

連接器高頻優(yōu)群科技

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