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規(guī)避常見“坑”：科學匹配EliteSiC柵極驅動，讓SiC器件發(fā)揮極致效能
隨著碳化硅（SiC）功率器件在新能源、工業(yè)控制等高壓高頻場景中加速普及，其性能潛力能否充分發(fā)揮，高度依賴于柵極驅動電路的精準設計與匹配。為此，本文提供一份針對SiC MOSFET的柵極驅動器匹配核心指南，系統(tǒng)解析如何在各類高功率主流應用中，科學選型與設計驅動電路，有效管控開關過程，從而顯著降低導通與開關損耗，最大化提升系統(tǒng)的電壓、電流效率與整體可靠性。
2025-12-04
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瞄準200mm GaN晶圓：安森美與英諾賽科簽署戰(zhàn)略協(xié)議，GaN市場競爭格局生變
為加速氮化鎵功率半導體在全球主要市場的普及，安森美與英諾賽科正式確立戰(zhàn)略合作關系。雙方簽署諒解備忘錄，計劃聚焦40V至200V中低壓GaN功率器件，通過深度融合安森美在系統(tǒng)集成與先進封裝方面的專長，以及英諾賽科成熟的制造工藝與量產(chǎn)能力，共同開發(fā)更具成本效益與能效優(yōu)勢的解決方案。此舉旨在快速響應工業(yè)自動化、電動汽車、AI數(shù)據(jù)中心及5G通信等領域對高效功率器件日益增長的需求，推動GaN技術的大規(guī)模商用進程。
2025-12-04
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風電變流器邁入碳化硅時代：禾望電氣集成Wolfspeed模塊實現(xiàn)技術跨越
在風電行業(yè)追求更高效率與可靠性的進程中，碳化硅功率器件正成為打破技術天花板的關鍵支點。全球碳化硅技術領航者Wolfspeed（紐約證券交易所代碼：WOLF）與國內(nèi)可再生能源解決方案提供商禾望電氣（Hopewind）達成深度合作，將先進的2.3 kV LM Pack模塊成功整合至950 Vac風電變流器平臺。這一技術融合標志著風電變流器正式邁入碳化硅時代，為核心部件的高功率密度與低損耗運行提供了全新解決方案。
2025-11-11
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175℃耐溫 + 全系列覆蓋，上海貝嶺高壓電機驅動芯片賦能工業(yè)與儲能場景
自 2018 年啟動工控與儲能市場戰(zhàn)略布局以來，上海貝嶺始終聚焦光伏儲能、伺服變頻、工業(yè)電源、BMS、電動工具、電動車等核心領域，專注于為客戶打造高性價比的半導體產(chǎn)品及系統(tǒng)解決方案。公司產(chǎn)品矩陣覆蓋電源管理、信號鏈產(chǎn)品、功率器件三大核心領域，依托功率器件、電源管理、接口芯片、隔離器、存儲器、馬達驅動、數(shù)據(jù)轉換、標準信號八大產(chǎn)品線，成功構建起全面的模擬與數(shù)模混合產(chǎn)品解決方案平臺。其中，在高壓電機驅動領域，公司產(chǎn)品覆蓋率已突破 80%。
2025-10-17
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強強聯(lián)合：羅姆與英飛凌共推SiC器件封裝兼容方案
全球兩大半導體巨頭——日本的羅姆與德國的英飛凌，正式宣布達成戰(zhàn)略合作。雙方將聚焦于碳化硅功率器件的封裝技術，致力于實現(xiàn)產(chǎn)品封裝的標準化與兼容。此舉旨在為車載電源、可再生能源、儲能及AI數(shù)據(jù)中心等關鍵領域的客戶，構建一個更具彈性與韌性的供應鏈。未來，客戶可以自由選用兩家公司引腳兼容的SiC產(chǎn)品，顯著簡化設計流程，降低采購風險，并實現(xiàn)快速、無縫的供應商切換。
2025-09-28
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安森美破解具身智能落地難題，全鏈路方案助推機器人產(chǎn)業(yè)化
人工智能技術正經(jīng)歷革命性突破，特別是多模態(tài)大模型的快速發(fā)展，為機器人產(chǎn)業(yè)帶來了前所未有的機遇。這些技術進步不僅顯著提升了機器人的環(huán)境感知和智能決策能力，更重要的是正在破解人形機器人規(guī)?；慨a(chǎn)的技術與成本瓶頸。作為半導體解決方案的領先提供商，安森美憑借其在感知、控制和功率器件等關鍵環(huán)節(jié)的全面布局，為具身智能機器人和自主移動機器人(AMR)提供了完整的硬件解決方案，助力機器人實現(xiàn)從單一功能到多功能協(xié)同的智能化飛躍。
2025-09-18
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羅姆半導體亮相上海：SiC與GaN功率器件應用全面解析
日本京都全球知名半導體制造商羅姆（ROHM Semiconductor）正式確認參展2025年上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia 2025）。本次展會將于9月24日至26日在上海舉行，羅姆將重點展示其在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件領域的最新技術突破與產(chǎn)品解決方案，這些技術主要面向工業(yè)設備和汽車電子應用領域。展會期間，羅姆還將舉辦多場專業(yè)技術研討會，與業(yè)界專家共同探討電力電子技術的最新發(fā)展趨勢和創(chuàng)新應用。
2025-09-11
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鵬城芯光耀未來：30萬㎡“半導體+光電子”超級盛會，洞見產(chǎn)業(yè)融合新紀元 ?
SEMI-e 2025深圳國際半導體展百字速覽 時間地點：2025年9月10-12日，深圳國際會展中心（寶安）。 核心亮點： 雙展融合：聯(lián)動CIOE中國光博會，共筑30萬㎡“半導體+光電子”生態(tài)，超5000家展商、16萬專業(yè)觀眾共聚。 國產(chǎn)突破：1000+龍頭企業(yè)（紫光展銳、中芯國際、北方華創(chuàng)等）展示先進封裝、SiC/GaN功率器件、工業(yè)軟件等核心技術。 精準展區(qū)：6大主題聚焦2.5D/3D封裝、CPO光互聯(lián)、車載芯片應用，覆蓋設計至制造全鏈。 行業(yè)前瞻：20+場峰會深度探討第三代半導體材料、TGV封裝等議題，破解產(chǎn)業(yè)瓶頸。 行動指南：一證通行雙展，掃碼免費領取參觀證件，高效對接產(chǎn)業(yè)資源。
2025-09-03
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SiC賦能工業(yè)充電器：拓撲結構優(yōu)化與元器件選型實戰(zhàn)指南
隨著工業(yè)新能源體系（如電動叉車、分布式儲能、重型工程機械）的快速擴張，電池充電器的高功率密度、高轉換效率、高可靠性已成為剛性需求。傳統(tǒng)IGBT器件因開關速度慢、反向恢復損耗大，難以滿足“小體積、大輸出”的設計目標——而碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，徹底改變了這一局面。 SiC器件的核心優(yōu)勢在于極致的開關性能：其開關速度可達IGBT的5-10倍，反向恢復損耗幾乎為零，同時能在175℃以上的高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。這些特性不僅能將充電器的功率密度提升40%以上（相同功率下體積縮小1/3），更關鍵的是，它突破了IGBT對功率因數(shù)校正（PFC）拓撲的限制——比如圖騰柱PFC、交錯并聯(lián)PFC等新型架構，原本因IGBT的損耗問題無法落地，如今借助SiC得以實現(xiàn)，使充電器的整體效率從92%提升至96%以上。 本文將聚焦工業(yè)充電器的拓撲結構優(yōu)化，結合SiC器件的特性，拆解“如何通過拓撲選型匹配SiC優(yōu)勢”“元器件（如電容、電感）如何與拓撲協(xié)同”等核心問題，為工程師提供可落地的設計指南。
2025-08-29
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安森美iGaN解密：打造300W游戲電源能效巔峰
當電子設備的性能追求愈發(fā)嚴苛，尤其是游戲等高負載場景下的極致體驗，對電源轉換技術提出了前所未有的挑戰(zhàn)：既要磅礴動力（300W級），又需超高效率與緊湊形態(tài)。硅基功率器件日漸觸及物理天花板，這驅使產(chǎn)業(yè)目光轉向潛力巨大的氮化鎵（GaN）。安森美iGaN技術作為高效能電源的先鋒代表，如何賦能300W游戲適配器的設計？本文將剖析其核心優(yōu)勢，并深入探討關鍵設計要素如電源管理、旁路電容等實現(xiàn)高效的關鍵點。
2025-08-22
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工業(yè)充電器能效革命：碳化硅技術選型與拓撲優(yōu)化實戰(zhàn)
隨著800V高壓平臺在電動汽車與工業(yè)儲能領域加速滲透，傳統(tǒng)硅基功率器件正面臨開關損耗與散熱設計的雙重瓶頸。以碳化硅（SiC）MOSFET為代表的新型半導體，憑借10倍于IGBT的開關頻率和85%的能效提升率，正推動工業(yè)充電器架構向高頻化、集成化躍遷。本文深度解析SiC技術賦能的拓撲結構選型策略，揭曉如何在LLC諧振、圖騰柱PFC等創(chuàng)新方案中精準匹配功率器件參數(shù)，實現(xiàn)系統(tǒng)成本與性能的黃金平衡點。
2025-08-19
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工業(yè)充電器PFC拓撲進化論：SiC如何重塑高效電源設計？
在工業(yè)4.0時代，從便攜式電動工具到重型AGV（自動導引車），電池供電設備正加速滲透制造業(yè)、倉儲物流和建筑領域。然而，工業(yè)級充電器的設計挑戰(zhàn)重重：既要承受嚴苛環(huán)境（如高溫、震動、粉塵），又需在120V~480V寬輸入電壓下保持高效穩(wěn)定，同時滿足輕量化、無風扇散熱的需求。碳化硅（SiC）功率器件的崛起，正為這一難題提供破局關鍵——其超快開關速度和低損耗特性，不僅提升了功率密度，更解鎖了傳統(tǒng)IGBT難以實現(xiàn)的新型PFC（功率因數(shù)校正）拓撲。本文將深入解析工業(yè)充電器的PFC級設計策略，助您精準選型。
2025-08-18
- 國產(chǎn)濾波技術突破：金升陽FC-LxxM系列實現(xiàn)寬電壓全場景覆蓋
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