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TOLL 封裝賦能 GaN 器件：高壓電源轉(zhuǎn)換領域的性能突破與設計要點
太陽能發(fā)電系統(tǒng)的發(fā)展持續(xù)攀升，而光伏逆變器的性能表現(xiàn)，正成為行業(yè)技術的核心。這類設備的核心設計目標，盡可能利用太陽能資源。在眾多技術突破中，氮化鎵（GaN）材料的應用堪稱關鍵創(chuàng)新。當下，氮化鎵正加速替代傳統(tǒng)的硅（Si）基器件及絕緣柵雙極晶體管（IGBT）系統(tǒng)，成為光伏逆變器領域的新一代核心元件。
2025-12-11
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測試技術革命：函數(shù)發(fā)生器與電源融合打造超級測試平臺
在電子測試領域，函數(shù)發(fā)生器與直流電源的深度融合正引發(fā)測試方法的革命性變革。這種創(chuàng)新組合不僅顯著提升了測試效率和精度，更為工程師提供了模擬復雜真實場景的強大能力，從太陽能逆變器驗證到電池系統(tǒng)測試，展現(xiàn)出前所未有的應用潛力。
2025-11-16
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SiC功率模塊的“未病先防”：精確高溫檢測如何實現(xiàn)車載逆變器主動熱管理
碳化硅（SiC）功率模塊正推動電動汽車革命，其高頻、高壓和耐高溫（結(jié)溫可超200°C） 的特性，對溫度檢測的精確性提出了前所未有的挑戰(zhàn)。精確的結(jié)溫監(jiān)測，是釋放SiC性能潛力、保障模塊可靠運行的關鍵。
2025-11-03
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安森美光伏方案剖析：助力逆變器能效全面升級
隨著全球能源轉(zhuǎn)型加速，太陽能逆變器技術正經(jīng)歷革命性變革。目前市場主流組串式逆變器憑借其卓越的靈活性和安裝便捷性，已成為光伏系統(tǒng)的核心選擇。安森美作為功率半導體領域的領導者，通過創(chuàng)新的器件設計和系統(tǒng)級優(yōu)化，持續(xù)推動逆變器功率密度提升與成本下降。其解決方案不僅大幅提升了能量轉(zhuǎn)換效率，更為住宅、商業(yè)和公用事業(yè)等不同應用場景提供了量身定制的技術路徑，助力光伏產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)更高水平的能源利用效率。
2025-09-08
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光伏電流檢測技術革命：TI封裝內(nèi)霍爾傳感器如何重塑太陽能系統(tǒng)效能？
在光伏系統(tǒng)邁向智能化與高效化的進程中，德州儀器(TI)最新推出的TMCS112x/113x系列封裝內(nèi)霍爾效應電流傳感器正引發(fā)行業(yè)變革。這款集成度極高的解決方案以±0.5%的測量精度、-40°C至125°C的寬溫穩(wěn)定性，以及3.5mm×4mm的超緊湊尺寸，正在替代傳統(tǒng)的穿孔式傳感器，為從微型逆變器到兆瓦級光伏電站的全場景電流檢測樹立新標準。
2025-08-08
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安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術驅(qū)動新一代PHEV平臺
安森美（onsemi）與驅(qū)動技術領軍企業(yè)舍弗勒（Schaeffler）進一步深化技術合作，雙方在最新中標項目中采用安森美新一代EliteSiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列。該方案將應用于舍弗勒主驅(qū)逆變器，為全球知名汽車制造商的先進插電式混合動力電動汽車（PHEV）平臺提供核心動力支持。此次合作標志著碳化硅技術在新能源車載系統(tǒng)中的關鍵落地，助力PHEV性能與能效雙重升級。
2025-08-01
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從IGBT到GaN：10kW串式逆變器設計的關鍵要點與性能優(yōu)勢解析
隨著全球?qū)δ茉纯沙掷m(xù)性與安全性的關注升溫，住宅太陽能儲能系統(tǒng)需求持續(xù)攀升。當前市場上，2kW級微型逆變器已實現(xiàn)集成儲能功能，而更高功率場景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設計，探討其技術優(yōu)勢與核心設計要點，為住宅太陽能應用提供高能效、高密度的解決方案參考。
2025-07-16
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安規(guī)電容技術全景圖：從安全設計到國產(chǎn)替代突圍
安規(guī)電容作為電子系統(tǒng)的安全防線，以金屬化聚丙烯薄膜或陶瓷介質(zhì)為核心，確保失效時絕不引發(fā)觸電風險。隨著新能源汽車800V平臺普及，新一代安規(guī)電容正向1000V耐壓與集成化濾波演進，為光伏逆變器、EV充電樁等高危場景筑牢電氣安全基座。
2025-07-10
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200kHz開關頻率破局！Wolfspeed聯(lián)合恩智浦推出牽引逆變器解決續(xù)航焦慮
Wolfspeed與恩智浦（NXP）聯(lián)合推出業(yè)界首款經(jīng)過全面驗證的800V牽引逆變器參考設計，為電動汽車行業(yè)注入關鍵技術動能。面對汽車行業(yè)加速向零排放轉(zhuǎn)型的需求，該設計通過集成動態(tài)柵極強度調(diào)節(jié)技術與碳化硅（SiC）功率模塊，直擊效率提升、功能安全及長期可靠性三大核心痛點，助力車企快速開發(fā)出性能媲美甚至超越燃油車的差異化電動車型。
2025-07-09
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破局電動車續(xù)航！羅姆第4代SiC MOSFET驅(qū)動助力豐田bZ5性能躍遷
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
2025-06-24
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不同拓撲結(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
氮化鎵（GaN）器件因其高開關頻率、低導通損耗的特性，正在快速滲透消費電子、汽車電驅(qū)和數(shù)據(jù)中心等領域。然而，不同拓撲結(jié)構(gòu)對GaN器件的需求呈現(xiàn)顯著差異：例如快充領域的LLC諧振拓撲需要高頻率下的電磁干擾控制，而車載雙向逆變器更關注動態(tài)電阻與耐壓性能。本文將深入分析半橋拓撲、雙向逆變拓撲、多電平拓撲及汽車主驅(qū)模塊中的氮化鎵技術痛點，揭示材料特性與系統(tǒng)設計間的矛盾性關系。
2025-06-10
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從光伏到充電樁，線繞電阻破解新能源設備浪涌防護難題
線繞電阻憑借高可靠性、耐脈沖電流及寬溫域性能，成為新能源與交通領域關鍵電子元件。在光伏逆變器中限制直流側(cè)電容充電電流，于風電變流器Crowbar電路吸收電網(wǎng)故障能量，為電動汽車BMS提供±0.1%精度的四線制電流檢測，并在快充樁中實現(xiàn)緊急泄放儲能。其抗震設計（10G加速度）、10萬小時壽命及-55℃~175℃耐溫特性，保障極端工況下的系統(tǒng)安全，成為新能源設備抵御浪涌沖擊、延長服役周期的核心防護器件，助力綠色能源轉(zhuǎn)型。
2025-05-22
- 強強聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動化產(chǎn)線注入核心部件
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