-
共模電感技術(shù)深度解析：噪聲抑制、選型策略與原廠競(jìng)爭(zhēng)格局
在高速數(shù)字電路和開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)中，共模噪聲如同無(wú)形的電磁污染，通過(guò)寄生電容和空間輻射耦合，威脅著電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。共模電感（Common Mode Choke）作為電磁兼容設(shè)計(jì)的核心元件，在百kHz至GHz頻段內(nèi)構(gòu)建起抑制電磁干擾的關(guān)鍵屏障6。其獨(dú)特的雙繞組磁路結(jié)構(gòu)能夠區(qū)分共模干擾與差模信號(hào)：對(duì)共模噪聲呈現(xiàn)高阻抗進(jìn)行阻隔，對(duì)有用差模信號(hào)則保持低阻抗通路。這種選擇性濾波特性，使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備通過(guò)嚴(yán)格EMC認(rèn)證不可或缺的元件。
2025-07-22
-
3μV噪聲極限！正弦波發(fā)生器電源噪聲凈化的七階降噪術(shù)
當(dāng)10MHz正弦波的電源抑制比（PSRR）下降20dB，輸出信號(hào)總諧波失真（THD）將惡化10倍！高頻開(kāi)關(guān)電源的百mV級(jí)紋波、LDO基準(zhǔn)源的μV級(jí)噪聲，甚至PCB地彈效應(yīng)，都可能在輸出頻譜上產(chǎn)生-60dBc的雜散。本文揭示三類(lèi)電源噪聲（低頻紋波/高頻開(kāi)關(guān)/地回路干擾）的耦合路徑，并提供從芯片級(jí)到系統(tǒng)級(jí)的七重凈化方案，助您將電源噪聲壓至<3μV RMS。
2025-06-30
-
μV級(jí)精度保衛(wèi)戰(zhàn)：信號(hào)鏈電源噪聲抑制架構(gòu)全解，拒絕LSB丟失！
在精密測(cè)量、醫(yī)療儀器及工業(yè)傳感系統(tǒng)中，信號(hào)鏈的μV級(jí)精度直接決定系統(tǒng)性能上限。而電源噪聲，常以隱形殺手的姿態(tài)吞噬ADC/DAC的有效位數(shù)——當(dāng)1mV電源紋波可導(dǎo)致12位ADC丟失4個(gè)LSB時(shí)，電源架構(gòu)選型便成為精度保衛(wèi)戰(zhàn)的核心戰(zhàn)場(chǎng)。本文從噪聲頻譜與拓?fù)浔举|(zhì)出發(fā)，拆解LDO、開(kāi)關(guān)電源及混合架構(gòu)的噪聲基因，并通過(guò)多場(chǎng)景實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，揭示高精度信號(hào)鏈的電源設(shè)計(jì)法則。
2025-06-19
-
高頻時(shí)代的電源革命：GaN技術(shù)如何顛覆傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)電源架構(gòu)？
在電力電子系統(tǒng)對(duì)能效和功率密度要求日益嚴(yán)苛的背景下，氮化鎵（GaN）技術(shù)已成為推動(dòng)開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）發(fā)展的核心動(dòng)力。相較于傳統(tǒng)硅基器件，GaN憑借其3.4eV的寬禁帶特性、更高的電子遷移率（990-2000 cm2/V·s）及更低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），可將開(kāi)關(guān)頻率提升至兆赫級(jí)，同時(shí)減少30%以上的能量損耗。然而，其實(shí)際應(yīng)用中仍面臨驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、熱管理、電磁兼容性等挑戰(zhàn)。以半橋降壓轉(zhuǎn)換器為例，GaN開(kāi)關(guān)的柵極電壓耐受值更低（通常<6V），且快速切換（dV/dt達(dá)100V/ns）易引發(fā)寄生振蕩和電磁干擾（EMI），這對(duì)電路布局和驅(qū)動(dòng)控制提出了更高要求。
2025-06-09
-
MOS管在開(kāi)關(guān)電源中的核心作用及其關(guān)鍵性能參數(shù)對(duì)設(shè)計(jì)的影響
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的元器件之一，在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中扮演著至關(guān)重要的角色。開(kāi)關(guān)電源作為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴(lài)于MOS管的選擇與應(yīng)用。本文將深入探討MOS管在開(kāi)關(guān)電源中的具體作用，并剖析其關(guān)鍵性能參數(shù)對(duì)電源整體性能的影響。
2025-01-25
-
ESR 對(duì)陶瓷電容器選擇的影響（下）
在樓氏電容事業(yè)部，我們深知 ESR 對(duì)這些高功率或高頻率電路的影響，因?yàn)?Q 值在這些電路中至關(guān)重要。同時(shí)，我們也意識(shí)到，由于ESR會(huì)隨著設(shè)備工作頻率的改變而變化，因此并不存在一種適用于所有情況的超低ESR電容器。為此，我們精心打造了一系列II類(lèi)陶瓷電介質(zhì)電容器（根據(jù)芯片尺寸選用BX或X7R材料），這些電容器不僅具備卓越的容積效率，而且壓電效應(yīng)微乎其微。我們專(zhuān)門(mén)針對(duì)惡劣環(huán)境設(shè)計(jì)了一系列產(chǎn)品，例如在大功率寬帶耦合和開(kāi)關(guān)電源中，以確保產(chǎn)品的可靠運(yùn)行。
2025-01-03
-
車(chē)用開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)頻率定多高才不影響EMC？
本文探討了汽車(chē)電力應(yīng)用中開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)頻率如何確定，以及高開(kāi)關(guān)頻率對(duì)電磁兼容性（EMC）的影響。文章分析了不同應(yīng)用場(chǎng)景下EMC標(biāo)準(zhǔn)的差異，以及如何通過(guò)系統(tǒng)評(píng)估和電路板布局優(yōu)化來(lái)滿(mǎn)足這些標(biāo)準(zhǔn)。
2024-10-31
-
【測(cè)試案例分享】使用示波器自動(dòng)化測(cè)量電源開(kāi)關(guān)損耗
開(kāi)關(guān)電源是當(dāng)前電子信息飛速發(fā)展不可或缺的電源方式之一。開(kāi)關(guān)電源以其功耗小、效率高、節(jié)能效果顯著的優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)類(lèi)電子以及各類(lèi)供電系統(tǒng)當(dāng)中，成為一種主流的電源產(chǎn)品。
2024-08-25
-
如何在沒(méi)有軟啟動(dòng)方程的情況下測(cè)量和確定軟啟動(dòng)時(shí)序？
電源管理IC通常包含稱(chēng)為軟啟動(dòng)的內(nèi)置功能。軟啟動(dòng)功能主要見(jiàn)于開(kāi)關(guān)電源中，但也可見(jiàn)于線(xiàn)性電源(LDO)中，作用是在啟動(dòng)期間以受控方式逐漸提高輸出電壓，從而限制沖擊電流，這有助于防止初始通電時(shí)電流或電壓突然激增。大多數(shù)開(kāi)關(guān)電源都帶有軟啟動(dòng)功能，該功能可以從外部調(diào)節(jié)或在內(nèi)部設(shè)置。
2024-08-23
-
SW與電感之間的鋪銅面積越大越好嗎？
開(kāi)關(guān)電源是以功率MOS為核心的電能變換器，除了芯片自身的參數(shù)會(huì)對(duì)電能質(zhì)量產(chǎn)生較大影響外，PCB的設(shè)計(jì)也是非常重要。
2024-06-19
-
MOSFET器件的高壓CV測(cè)試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿(mǎn)足電路的效率，設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開(kāi)關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容，因?yàn)檫@將影響開(kāi)關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說(shuō)明書(shū)中提供。
2024-06-08
-
超結(jié)MOS在全橋電路上的應(yīng)用
全橋電路廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域，如開(kāi)關(guān)電源、變頻器、逆變器、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域 。在電路中，全橋電路可以使直流電轉(zhuǎn)換成交流電；在電機(jī)控制中，全橋電路可用于變頻調(diào)速和正弦波控制。
2024-06-03
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
- 貿(mào)澤電子自動(dòng)化資源中心上線(xiàn)：工程師必備技術(shù)寶庫(kù)
- 隔離變壓器全球競(jìng)爭(zhēng)圖譜：從安全隔離到能源革命的智能屏障
- 芯海科技盧國(guó)建：用“芯片+AI+數(shù)據(jù)”重新定義健康管理
- 揭秘未來(lái)勞動(dòng)力：貿(mào)澤與Molex新電子書(shū)解析機(jī)器人技術(shù)變革
- 國(guó)產(chǎn)芯片與系統(tǒng)深度融合！兆易創(chuàng)新聯(lián)袂普華軟件破局汽車(chē)電子
- 鵬城芯光耀未來(lái)：30萬(wàn)㎡“半導(dǎo)體+光電子”超級(jí)盛會(huì)，洞見(jiàn)產(chǎn)業(yè)融合新紀(jì)元 ?
- 11萬(wàn)+人次！5000+海外買(mǎi)家！2025 AGIC+IOTE深圳物聯(lián)網(wǎng)展圓滿(mǎn)收官，2026再聚
- 超5萬(wàn)觀眾打卡！AGIC+IOTE 2025深圳開(kāi)幕，1000家展商演繹物聯(lián)新活力
- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車(chē)模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
