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DFN系列：Vishay精密薄膜表面貼裝電阻網(wǎng)絡(luò)和分壓電阻

日前，Vishay宣布，推出業(yè)界首款精密薄膜表面貼裝電阻網(wǎng)絡(luò)和分壓電阻 --- DFN系列。器件采用引腳間距為0.65mm、厚度為1mm的4mm x 4mm雙平面無鉛封裝。與傳統(tǒng)的5mm x 6mm SOIC 8引線封裝相比，DFN系列的新封裝可節(jié)省53%的印制電路板空間。

2009-08-25
軍工/航天電子應(yīng)用對鉭電容的挑戰(zhàn)
——Vishay電容器部門高級產(chǎn)品市場總監(jiān)Mosier, Michael L.專訪

鉭電容因為可靠性高、壽命長、高容量的特點，在軍工/航天電子系統(tǒng)里有大量應(yīng)用，同時鉭電容的小型化也滿足了系統(tǒng)小型化的要求。Vishay是鉭電容的主要供應(yīng)商之一，本屆西部電子論壇上，來自Vishay的鉭電容專家Mosier, Michael L.和黃勇將發(fā)表《高可靠性鉭電容器在軍工/航天市場的應(yīng)用》的主題演講。

2009-08-21
Vishay高性能精密無磁薄膜電阻

日前，Vishay宣布，推出新款PNM系列精密無磁薄膜電阻。在-55℃～+125℃的寬溫范圍內(nèi)，這些器件具有低至±25ppm/℃的標(biāo)準(zhǔn)TCR，經(jīng)過激光微調(diào)后的容差只有±0.1%。

2009-08-20
SMNH：Vishay新款超高精度Bulk Metal箔四電阻網(wǎng)絡(luò)

日前，Vishay宣布，推出具有優(yōu)異的負載壽命、負載壽命比和貯存壽命穩(wěn)定性特性的超高精度Bulk Metal箔四電阻網(wǎng)絡(luò) -- SMNH電阻網(wǎng)絡(luò)。

2009-08-20
SiB4xxDK：Vishay采用熱增強PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET

日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的20V MOSFET。

2009-08-18
Si4628DY ：Vishay新款低導(dǎo)通電阻單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出使用該公司最新TrenchFET技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產(chǎn)品中前所未有的最低導(dǎo)通電阻，在10V和4.5V柵極驅(qū)動電壓下的最大RDS(on)只有3mΩ和3.8mΩ。

2009-08-14
PLT系列：Vishay穩(wěn)定性極高的TCR薄膜電阻

日前，Vishay 宣布，推出新的PLT系列TCR薄膜電阻。在-55℃～+125℃的溫度范圍內(nèi)，新器件的標(biāo)準(zhǔn)TCR為±5ppm/℃，容差低至±0.02%。

2009-08-11
MUH1Px：Vishay新系列小尺寸表面貼裝1A整流器具有超快反向恢復(fù)時間

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新系列小尺寸、表面貼裝的1A整流器 --- MUH1Px。整流器的電壓范圍為100V～200V，25ns的超快反向恢復(fù)時間可滿足高頻應(yīng)用的要求。

2009-08-10
TCxT1300X01：Vishay可靠性最高的光電傳感器

日前，Vishay宣布推出通過AEC-Q101認證的TCPT1300X01和TCUT1300X01表面貼裝透射式(斷續(xù)式)光電傳感器，可用于汽車市場。今天推出的傳感器是業(yè)內(nèi)首款達到+145℃的結(jié)溫等級、-40℃～+125℃的工作溫度范圍和潮濕敏感度等級1(MSL1)的器件。

2009-08-07
MSE1Px：Vishay具有高達25kV的ESD小尺寸整流器

日前，Vishay宣布，推出ESD保護高達25kV的系列低尺寸表面貼裝整流器 --- MSE1Px。

2009-08-06
Vishay推出三款采用不同封裝的的500V功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型500V電壓的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，將該公司的6.2代N溝道平面FET技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封裝上。

2009-08-03
SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET

日前，Vishay 宣布推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當(dāng)中最低的。

2009-07-31

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