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快充僅是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用“磨刀石”，落地這一領(lǐng)域可每年省電40億度
眾所周知，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體，相較傳統(tǒng)的硅材料半導(dǎo)體，具備許多非常優(yōu)異的特性，如高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率以及抗強輻射能力等。前一個十年，第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)在基站射頻、功放等通信領(lǐng)域嶄露頭角；2021年，隨著“十四五”規(guī)劃的提出，中國將加速推動以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體新材料新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進程，受益于功率轉(zhuǎn)換的極大應(yīng)用潛力，第三代半導(dǎo)體開始進入新一輪的增長周期。
2021-08-06
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非隔離型柵極驅(qū)動器與功率元器件
ROHM不僅提供電機驅(qū)動器IC，還提供適用于電機驅(qū)動的非隔離型柵極驅(qū)動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器，再介紹ROHM超級結(jié)MOSFET PrestoMOSTM。
2021-08-05
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碳化硅如何為電機驅(qū)動賦能
近年來，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG功率器件已經(jīng)對從普通的電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲的廣泛應(yīng)用和拓撲結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響。SiC功率器件進入市場的時間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應(yīng)用。
2021-08-05
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貿(mào)澤電子與Fingerprint Cards簽署全球分銷協(xié)議
2021年8月4日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與知名生物識別技術(shù)公司Fingerprint Cards (Fingerprints) 簽署全球分銷協(xié)議。簽署本協(xié)議后，貿(mào)澤將向客戶分銷Fingerprints的BM-Lite模塊與開發(fā)套件，以幫助設(shè)計工程師開發(fā)可通過生物識別訪問的設(shè)備。
2021-08-04
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全面計算雄心！一文解構(gòu)“十年磨一劍”的Armv9新架構(gòu)
近日，在由易維訊主辦的第九屆年度中國電子ICT媒體論壇暨2021產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會上，安謀科技高級FAE經(jīng)理鄒偉為業(yè)界深度解讀Arm歷經(jīng)十年打磨才新發(fā)布的針對不同層次算力需求、機器學(xué)習(xí)（ML）發(fā)展路徑的全新一代Armv9架構(gòu)，其不僅是Arm架構(gòu)演進的又一個里程碑，也將成為Arm未來十年及更遠時代推進行業(yè)創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2021-08-04
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使用IC采樣保持放大器
采樣保持(S/H)功能是數(shù)據(jù)采集和模數(shù)轉(zhuǎn)換過程的基礎(chǔ)。S/H放大器電路有兩種不同的基本工作狀態(tài)。在第一種狀態(tài)下，對輸入信號采樣，同時傳送到輸出端（采樣）。在第二種狀態(tài)下，保持最后一個采樣值（保持），直到再次對輸入采樣。在大多數(shù)應(yīng)用中，S/H用作數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中模數(shù)轉(zhuǎn)換器的“前端”。這樣使用時，S/H主要用于在執(zhí)行模數(shù)轉(zhuǎn)換所需的時間段內(nèi)，讓模擬輸入電壓電平保持恒定不變。
2021-08-03
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重磅行業(yè)白皮書披露工業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型洞察，ADI全線解決方案助力消除關(guān)鍵落地痛點
今年年初，工信部印發(fā)《工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新發(fā)展行動計劃（2021—2023年）》對今后三年工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的重點工作內(nèi)容做出部署，具體包括：實施網(wǎng)絡(luò)體系強基行動，推進工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)互通工程，推動IT與OT網(wǎng)絡(luò)深度融合；實施平臺體系壯大行動，推進工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺體系化升級工程，推動工業(yè)設(shè)備和業(yè)務(wù)系統(tǒng)上云上平臺數(shù)量比2020年翻一番；等等。行動計劃完整反應(yīng)了當(dāng)前工業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的大勢所趨，在第九屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2021產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會上，ADI首次線下發(fā)布的思想領(lǐng)導(dǎo)力白皮書《工業(yè)4.0數(shù)字化轉(zhuǎn)型洞察：無縫連接推動工業(yè)創(chuàng)新》關(guān)鍵發(fā)現(xiàn)也反應(yīng)這個趨勢。
2021-08-03
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兼容SPICE的運算放大器宏模型
目前，電路仿真領(lǐng)域呈現(xiàn)采用全方位電路仿真方法的趨勢。我們認為，在所有安裝的電路仿真器中，有75%用于系統(tǒng)設(shè)計，而不是IC設(shè)計。幾乎所有這些仿真器都是SPICE的變體。隨著電子行業(yè)不斷發(fā)展，系統(tǒng)工程師面對日益增多的集成電路，尤其是無處不在的運算放大器，也需要愈加精準(zhǔn)的模型。但是，這些IC器件的速度和復(fù)雜性不斷提高，給初期的SPICE開發(fā)人員帶來了始料未及的問題。
2021-08-02
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貿(mào)澤連續(xù)第五年榮獲第十屆中國財經(jīng)峰會“2021杰出品牌形象”獎
2021年7月29日－專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布在第十屆中國財經(jīng)峰會暨2021可持續(xù)商業(yè)大會中榮獲 “2021杰出品牌形象”企業(yè)獎，貿(mào)澤電子亞太區(qū)市場及商務(wù)拓展副總裁田吉平女士榮獲“十年杰出商業(yè)領(lǐng)袖”人物獎。此次評選由大會評委會審議，貿(mào)澤憑借在市場中不斷創(chuàng)新進取的品牌活力和積極性獲此殊榮，田吉平女士以其優(yōu)異的企業(yè)組織管理能力、靈活的應(yīng)變力和專業(yè)的知識素養(yǎng)，領(lǐng)導(dǎo)貿(mào)澤電子在分銷行業(yè)中一路升級而獲得個人榮譽。
2021-08-01
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貿(mào)澤榮獲Molex亞太、美洲及歐洲區(qū)年度電子目錄分銷商大獎
2021年7月30日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布榮獲全球知名電子解決方案制造商Molex 頒發(fā)的2020年度亞太 (APS)、美洲及歐洲區(qū)電子目錄分銷商大獎。2020年，貿(mào)澤憑借在上述三大區(qū)域大幅增長的客戶數(shù)，以及POS增速迅猛而獲此殊榮。此前，貿(mào)澤已連續(xù)三年獲得歐洲區(qū)電子目錄分銷商獎，并連續(xù)兩年獲得亞太區(qū)和美洲電子目錄分銷商獎。
2021-08-01
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如何選擇升壓調(diào)節(jié)器/控制器IC并使用LTspice選擇外圍組件
為升壓調(diào)節(jié)器選擇IC的過程與降壓調(diào)節(jié)器不同，主要區(qū)別在于所需輸出電流與調(diào)節(jié)器IC數(shù)據(jù)手冊規(guī)格之間的關(guān)系。在降壓拓撲中，平均電感電流基本上與負載電流相同。而升壓拓撲的情形則不一樣，它需要基于開關(guān)電流進行計算。本文介紹了升壓調(diào)節(jié)器IC（帶內(nèi)部MOSFET）或控制器IC（帶外部MOSFET）的選擇標(biāo)準(zhǔn)，以及如何使用LTspice?選擇合適的外圍組件以構(gòu)建完整的升壓功率級。
2021-08-01
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貿(mào)澤電子宣布與Marktech Optoelectronics簽訂全球分銷協(xié)議
貿(mào)澤電子宣布與Marktech Optoelectronics簽訂全球分銷協(xié)議。Marktech Optoelectronics是標(biāo)準(zhǔn)和定制光電子元件與組件的知名設(shè)計和制造商。簽約后，貿(mào)澤將為客戶提供Marktech Optoelectronics的一系列發(fā)射器和光電二極管，其應(yīng)用范圍包括夜視、安全設(shè)備、光纖和驗鈔等。
2021-07-29
- 高性能差分信號路由：CBMG709在工業(yè)控制系統(tǒng)中的關(guān)鍵作用
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