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電源管理

選擇高壓場效應(yīng)管實現(xiàn)節(jié)能的技巧

高壓金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）技術(shù)在過去幾年中經(jīng)歷了很大的變化，這為電源工程師提供了許多選擇。了解不同MOSFET器件的細微差別及不同切換電路的應(yīng)力，能夠幫助工程師避免許多問題，并實現(xiàn)效率最大化。本文講述高壓場效應(yīng)管如何實現(xiàn)節(jié)能。

2010-06-18

場效應(yīng)管 MOSFET 結(jié)溫度

IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗

本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200VRC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術(shù)進步。

2010-06-18

IGBT 軟開關(guān) 損耗 TrenchStop RC-IGBT

薄膜電池市場份額擴張難加速

轉(zhuǎn)化率的提升無疑對薄膜電池的競爭力加分不少。然而，專家認為，由于綜合成本未實現(xiàn)全面下降，技術(shù)受制于人和穩(wěn)定性不足，薄膜電池的市場份額提升仍面臨著較大的阻力。

2010-06-18

薄膜電池擴張晶硅電池轉(zhuǎn)換率

物聯(lián)網(wǎng)家電：理想照進現(xiàn)實還需三五年

物聯(lián)網(wǎng)概念風起云涌，“錢”景無限惹來眾多家電企業(yè)搶灘。然而囿于目前行業(yè)標準缺失，整體互聯(lián)上下游商業(yè)模式并未成熟，物聯(lián)網(wǎng)家電從科技走向真正商業(yè)化尚需時日。海爾集團U-home本部總經(jīng)理李莉估計整個的實現(xiàn)過程可能要三至五年。

2010-06-18

物聯(lián)網(wǎng)家電商業(yè)化搶灘

無刷直流電機的無位置傳感器控制

無刷直流電機的無位置傳感器控制的難點在于轉(zhuǎn)子位置信號的檢測，目前國內(nèi)外研究人員提出了諸多方法，其中反電動勢法最為簡單、可靠，應(yīng)用范圍最廣泛。普遍采用的控制方案為基于DSP的控制和基于專用集成電路的控制等，但是其價格高、體積大，不利于用在微型電機控制器中。本文介紹基于C8051F330單片...

2010-06-16

無刷直流電機傳感器 PWM

馬達設(shè)計的技巧

現(xiàn)今的可調(diào)速驅(qū)動電路都采用變頻器來調(diào)整輸出電流，以滿足三相馬達的要求。變頻器的形狀大小通常會受到應(yīng)用的限制。在許多情況下，電路板與馬達靠得很近，而馬達構(gòu)造的高度也會受限。另外，所用高功率半導體器件的物理性質(zhì)和所選封裝的形狀，也要求電路板上有足夠的位置空間。本文為你講解馬達設(shè)計...

2010-06-15

馬達布局約束變頻器

安森美半導體收購SDT 醫(yī)用助聽器DSP技術(shù)實力得到強化

安森美半導體宣布收購Sound Design Technologies, Ltd.（SDT），收購將有助于增強安森美半導體在助聽器及音頻處理應(yīng)用超低功耗DSP技術(shù)實力，SDT將被納入安森美半導體位于加拿大安大略省滑鐵盧的醫(yī)療部。

2010-06-13

助聽器高密度封裝安森美半導體

汽車級IGBT在混合動力車中的設(shè)計應(yīng)用

根據(jù)不同車輛設(shè)計，逆變器可能放置在汽車尾箱、變速箱內(nèi)或引擎蓋下靠近內(nèi)燃機的位置，因此IGBT模塊要經(jīng)受嚴峻的溫度(-40℃～150℃)和機械條件(振動、沖擊)的考驗。本文為你介紹汽車級IGBT在混合動力車中的設(shè)計應(yīng)用。

2010-06-13

IGBT 混合動力車逆變器

Fairchild推出自動選擇高速USB開關(guān)FSA2000

飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)專注開發(fā)提升用戶滿意度以及使產(chǎn)品取得市場成功的模擬和功率功能，為手機設(shè)計人員提供一款集成有無電容耳機音頻放大器的自動選擇高速USB開關(guān)FSA2000.

2010-06-13

Fairchild 自動選擇 USB開關(guān) FSA2000

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