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電源管理

如何通過優(yōu)化模塊布局解決芯片縮小帶來的電氣性能挑戰(zhàn)

在本文的第一部分——《如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)》，我們提到尺寸和功率往往看起來像硬幣的兩面。當你縮小尺寸時，你不可避免地會降低功率。在那篇文章中，我們介紹了芯片縮小對熱性能的影響，以及如何通過優(yōu)化芯片位置和模塊布局來減輕這種影響。現(xiàn)在，讓我們來看看...

2023-04-10

模塊布局芯片電氣性能

RS-485基礎知識：何時需要端接，以及如何正確端接

RS-485 網(wǎng)絡的許多信號完整性和通信問題都源于端接，這可能是因為缺少端接或端接不正確。在 RS-485 基礎知識系列的這一部分，我將討論何時不需要端接 RS-485 網(wǎng)絡，以及在需要端接時如何使用標準（并聯(lián)）端接和交流電 (AC) 端接網(wǎng)絡。

2023-04-07

RS-485 端接

不勞開發(fā)固件了！用這個控制器可實現(xiàn)USB-C PD 3.0 PPS

更大的顯示屏、更強的性能和更高的數(shù)據(jù)吞吐量是 5G 智能手機的發(fā)展趨勢，它推動了對更大電池容量和快速充電能力的需求。如何突破傳統(tǒng)的充電方式是設計者面臨的挑戰(zhàn)，因為傳統(tǒng)充電方式效率低下，而消費者對快速充電的期望又越來越高，所以在滿足這一需求的功率水平下就可能會導致發(fā)熱過度。

2023-04-07

控制器 USB-C PD 智能手機

如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)

尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當你縮小尺寸時--這是我們行業(yè)中不斷強調(diào)的目標之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設計上，就不需要拋硬幣了。

2023-04-06

IGBT模塊布局芯片

低成本無刷直流電機控制MCU

電機對能耗的貢獻率在美國接近50%，因此降低電機能耗能有效地提高能源利用率，而采用先進的微控制器（MCU）技術來實現(xiàn)電機控制是一種有效的方法。本文介紹了的電機控制MCU技術發(fā)展及其應用。

2023-04-04

無刷直流電機電機控制 MCU

并聯(lián)穩(wěn)壓器緩解電源啟動問題

電阻器 R一個通過 RD、并聯(lián)穩(wěn)壓器 IC1，二極管 D1和晶體管 Q1 構成低負載串聯(lián)通調(diào)節(jié)偏置電源。選擇這些元件以產(chǎn)生 Q 的電壓1 落在 IC 之間的發(fā)射器1的關斷電壓和整流輔助偏置繞組輸出產(chǎn)生的標稱電壓 VAUX_NOM.實際上，IC上的電壓1的 V抄送引腳以有線或方式跟隨，以較高者為準：VAUX_NOM 或晶體管Q...

2023-04-04

并聯(lián)穩(wěn)壓器電源啟動

阻抗頻率特性與敲擊信號

在昨天，通過掃頻的方法分別測量了兩個動圈式揚聲器在不同頻率下的阻抗。?兩個揚聲器中小型揚聲器，直流阻抗為4歐姆。?另外一個是大型低頻揚聲器，直流電阻為8歐姆。?前天，通過施加階躍電壓測量了揚聲器單位沖激響應信號。?通常情況下，揚聲器可以看成一個近似線性時不變系統(tǒng)。?它的單位沖激響應...

2023-04-04

阻抗頻率特性敲擊信號

詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝

電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時尺寸較小，從而有助于實現(xiàn)更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時散熱效果并不理想。

2023-04-03

MOSFET 散熱封裝

基于碳化硅的25kW電動汽車直流快充開發(fā)指南-結構和規(guī)格

隨著消費者對電動汽車 (EV) 的需求和訴求持續(xù)增強，直流快速充電市場在蓬勃發(fā)展，市場對快速充電基礎設施的需求也在增加。預測未來五年的年復合增長率 (CAGR) 為20%至30%。如果您是在電力電子領域工作的一名應用、產(chǎn)品或設計工程師，遲早會參與到這新的充電系統(tǒng)的設計中。

2023-04-03

SiC 電動汽車直流快充

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