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重磅！國產(chǎn)碳化硅設(shè)備再獲佳績(jī)

近日，國產(chǎn)SiC設(shè)備又傳來了振奮人心的消息：北京中電科電子裝備有限公司的SiC晶錠和晶片減薄機(jī)實(shí)現(xiàn)了6/8英寸大尺寸和新工藝路線匹配的雙技術(shù)突破。

2023-09-21

問界新M7體驗(yàn)高階智駕，有哪些車用高端控制芯片？

華為與賽力斯聯(lián)合推出的問界新M7在9月12日正式發(fā)布，一亮相即受到消費(fèi)者的青睞。

2023-09-21

低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。它描述了使用不同電壓應(yīng)用的設(shè)計(jì)，以及自適應(yīng) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，這是驅(qū)動(dòng)雙 n 溝道半橋的第三種方法。

2023-09-21

低壓  電機(jī)驅(qū)動(dòng)

長(zhǎng)電科技鄭力：高性能先進(jìn)封裝創(chuàng)新推動(dòng)微系統(tǒng)集成變革

第24屆電子封裝技術(shù)國際會(huì)議(ICEPT2023)于近日在新疆召開,來自海內(nèi)外學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界超700名專家學(xué)者、研究人員、企業(yè)人士齊聚一堂,共話先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新、學(xué)術(shù)交流與國際合作。長(zhǎng)電科技董事、首席執(zhí)行長(zhǎng)鄭力出席會(huì)議,發(fā)表《高性能先進(jìn)封裝創(chuàng)新推動(dòng)微系統(tǒng)集成變革》主題演講。

2023-09-21

長(zhǎng)電科技  先進(jìn)封裝  微系統(tǒng)

驅(qū)動(dòng)電源模塊密度的關(guān)鍵因素

依靠簡(jiǎn)單的經(jīng)驗(yàn)法則來評(píng)估電源模塊密度的關(guān)鍵因素是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，例如電源解決方案開關(guān)頻率與整體尺寸和密度成反比；與驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)密度的負(fù)載相比，功率密度往往以不同的速率變化；因此合理的做法是將子系統(tǒng)和相關(guān)器件分開分析。先進(jìn)的封裝和3D電源封裝? (3DPP?) 技術(shù)可讓電源模塊密度匹配其服務(wù)的相應(yīng)...

2023-09-21

電源模塊  密度  關(guān)鍵因素

艾睿滿足不同電源應(yīng)用需求的多樣化解決方案

電源是所有電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，為了滿足不同應(yīng)用在功率、交直流轉(zhuǎn)換上的各種要求，便需要各式各樣的功率元器件、模塊，來提供合適、安全的電源，使系統(tǒng)能夠穩(wěn)定運(yùn)作。本文將為您介紹由艾睿電子推出的多款功率轉(zhuǎn)換解決方案，以及安森美（onsemi）、村田制作所（Murata）所推出的相關(guān)產(chǎn)品。

2023-09-21

艾睿  電源應(yīng)用  解決方案

LDO穩(wěn)壓器綜合指南：噪聲、折衷方案、應(yīng)用和趨勢(shì)

本文介紹 LDO穩(wěn)壓器選型 時(shí)幾個(gè)不太注意的關(guān)鍵參數(shù)。還針對(duì)特殊低噪聲要求，將開關(guān)穩(wěn)壓器和LDO穩(wěn)壓器進(jìn)行了比較。此外還討論了行業(yè)趨勢(shì)，以及介紹需要高性能LDO穩(wěn)壓器的應(yīng)用。

2023-09-20

LDO穩(wěn)壓器  噪聲  趨勢(shì)

IGBT驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)入可編程時(shí)代，英飛凌新品X3有何玄機(jī)？

俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動(dòng)IC。一顆好的驅(qū)動(dòng)不僅要提供足夠的驅(qū)動(dòng)功率，最好還要有完善的保護(hù)功能，例如退飽和保護(hù)、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)斷、欠壓保護(hù)等，為IGBT的安全運(yùn)行保駕護(hù)航。

2023-09-19

IGBT驅(qū)動(dòng)芯片  可編程  英飛凌

如何在有限空間里實(shí)現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個(gè)好方法！

SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動(dòng)裝配的便利性，同時(shí)減少了元件尺寸，并達(dá)成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。

2023-09-18

高性能  RDS(On)  表面貼裝