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ZXGD3104N8:Diodes MOSFET控制器有助提升PSU效率

發(fā)布時間:2012-01-11

產(chǎn)品特性:
  • 額定電壓為25V
  • 可由適配器的19V供電軌直接供電
  • 擁有180V的 MOSFET漏極感應功能
應用范圍:
  • 適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計

Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。這款新品能取代返馳式轉換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管,并通過減少多達70%的整流器損耗,有效提升最高達3.5%的電源效率。因此,該器件有助電源供應系統(tǒng)更容易達到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達到87%的評級要求。

這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣,介于5V至25V之間,可由適配器的19V供電軌直接供電,并且在瞬態(tài)過壓狀態(tài)下,保證器件正常工作。該器件擁有180V的 MOSFET漏極感應功能,有助設計師減少對外部箝位電路的需求,并能大幅減少配件數(shù)量和節(jié)省空間。

ZXGD3104N8的比例式閘極驅動操作能在漏極電流衰減時,避免MOSFET過早關閉,從而提高了電路效率,并把本體二極管的傳導損耗減至最低。另外,該控制器的短暫關閉傳播延遲通常為15ns,有助把電源電路的效率提升至最大水平。
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