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Picor Micro-Ohm MOSFET 場效應(yīng)管

文件來源：Foo Kee-?；娮佑邢薰?br> 文件類型：pdf
更新時間：2012-12-19
文件大?。?49K
PI5101 μRDS(on)FET? 方案結(jié)合了一個高質(zhì)素的5V, 360 μΩ 橫向N 溝道的場效應(yīng)管和利用一個祗有4.1mm x 8mm x 2mm 的LGA(Land Grid Array)封裝, 使產(chǎn)品于工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的SO-8封裝范圍內(nèi)達(dá)到世界級水平.
本文鏈接：http://www.azglds.com/gptech-dl/988
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