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互連技術

二次整流電路設計難點解析

在電源工程師歡呼有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器(ACFC)突破50%占空比限制之際，一個被長期忽視的設計陷阱正在浮現(xiàn)——最小占空比(Dmin)的精細控制已成為決定系統(tǒng)可靠性的生死線。實測數(shù)據(jù)顯示，當Dmin低于15%時，ACFC的開關損耗會陡增300%，電磁干擾(EMI)惡化達18dBμV。

2025-04-08

二次整流電路

碳化硅能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關與軟開關應用場景中展現(xiàn)出顯著技術優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器...

2025-04-08

碳化硅共源共柵安森美

福祿克聲學新品震撼上市

在全球聲學檢測技術領域，福祿克公司一直以其創(chuàng)新精神和卓越品質(zhì)著稱。近期，福祿克發(fā)布了最新款ii1020C工業(yè)聲學成像儀，在性能、功能和用戶體驗上均實現(xiàn)了顯著提升，旨在為工業(yè)檢測和電力設備維護提供更為高效和精準的解決方案。

2025-04-08

福祿克

賦能AI與能源及數(shù)字化轉(zhuǎn)型，TDK解決方案亮相慕尼黑上海電子展

TDK株式會社4月7日宣布，將于2025年4月15日至17日慕尼黑上海電子展（展位號N1.210），圍繞「為可持續(xù)的未來加速轉(zhuǎn)型」的核心理念，集中展示人工智能技術應用、綠色能源與數(shù)字化轉(zhuǎn)型的前沿創(chuàng)新成果，覆蓋電子應用全領域的創(chuàng)新技術和產(chǎn)品解決方案，推動各行業(yè)向更智能、更高效、更低碳的未來加速轉(zhuǎn)型。

2025-04-08

AI 能源數(shù)字化轉(zhuǎn)型 TDK

第18講：SiC MOSFET的動態(tài)特性

SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態(tài)電阻。驅(qū)動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，并仔細設計控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。

2025-04-07

SiC MOSFET 閾值電壓

相位魔法解碼：真時延技術如何實現(xiàn)毫米級指向精度

相控陣天線通過移相器、真時延或二者的組合，使合成波束更精確地指向陣列轉(zhuǎn)向角度內(nèi)的所需方向。本文將介紹這兩種方法，以及更寬帶寬的天線陣列是如何推動真時延在其系統(tǒng)設計中的應用。

2025-04-07

相控陣天線真時延技術

CITE 2025啟幕在即：頂尖展商集結(jié) 見證巔峰時刻

科技浪潮奔涌不息，從生成式AI重新定義內(nèi)容創(chuàng)作，到Micro LED顛覆顯示技術，從量子計算突破存儲極限，到無人機重新定義低空經(jīng)濟，全球電子信息產(chǎn)業(yè)正以驚人的速度迭代創(chuàng)新。在這場技術變革的洪流中，如何捕捉趨勢、鏈接生態(tài)、賦能未來？2025年4月9日—11日，將在深圳會展中心（福田）揭曉巔峰時刻。

2025-04-07

CITE 2025 AI 存儲

自主生態(tài)護城河：數(shù)字化轉(zhuǎn)型的可持續(xù)競爭力構(gòu)建

2025-04-07

數(shù)字化轉(zhuǎn)型自主生態(tài)

借力 Mendix 低代碼，加速博世汽車電子數(shù)字化轉(zhuǎn)型

隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型加速和業(yè)務需求的不斷增加，擺在嘉琪面前的是縮短 30% 的開發(fā)時間，同時提升 20% 的人員開發(fā)效率的目標。然而王嘉琪和他的團隊深感傳統(tǒng)高代碼開發(fā)模式的邊際效益越來越低，開發(fā)周期長、人力投入要求高。同時如何提升與業(yè)務部門的溝通效率，正確理解需求，也成為嘉琪一直在思考的問題。

2025-04-07

Mendix 博世汽車電子

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