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AI&IoT

加速度計(jì)與MEMS明日之星

電容式加速度計(jì)是將被測(cè)非電量的變化轉(zhuǎn)換為電容量變化的一種傳感器。本文主要是介紹該加速度計(jì)的優(yōu)點(diǎn)以及隨著MEMS和半導(dǎo)體制程的進(jìn)步該加速度計(jì)的發(fā)展趨勢(shì)。

2008-10-25

電容式加速度計(jì) MEMS 電容式麥克風(fēng)

如何解決光纖在應(yīng)用中的損耗

光纖通信是信息時(shí)代發(fā)展的必然結(jié)果，而光纖的傳輸損耗特性是決定光網(wǎng)絡(luò)傳輸距離、傳輸穩(wěn)定性和可靠性的重要因素，在極大的程度上決定著通信的質(zhì)量。傳輸損耗主要有接續(xù)損耗和非接續(xù)損耗，應(yīng)對(duì)這兩種損耗分別有不同的解決方法。

2008-10-25

傳輸損耗接續(xù)損耗非接續(xù)損耗

我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)進(jìn)出口仍將穩(wěn)步發(fā)展

在日前舉辦的“2008中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)高峰論壇”上，商務(wù)部部長(zhǎng)助理崇泉表示，目前，我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)從高速增長(zhǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)橹兴僭鲩L(zhǎng)，增速趨于平穩(wěn)，但是中國(guó)作為世界電子信息產(chǎn)品制造中心的地位不會(huì)改變。目前，我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)形成了全方位、多層次的開放格局。隨著經(jīng)濟(jì)全球化的深入發(fā)展，我國(guó)電子信息...

2008-10-24

電子信息產(chǎn)業(yè)

我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)進(jìn)出口仍將穩(wěn)步發(fā)展

2008-10-24

電子信息產(chǎn)業(yè)

我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)進(jìn)出口仍將穩(wěn)步發(fā)展

2008-10-24

電子信息產(chǎn)業(yè)

電子產(chǎn)品的靜電放電保護(hù)（二）

本文是繼一系列報(bào)道了ESD破壞機(jī)理、沖擊源模型和防護(hù)裝置，主要討論具有高速度和低閾值電壓的瞬態(tài)電壓抑制（TVS）二極管的文章的最后一部分，重點(diǎn)關(guān)注了應(yīng)用方面，并針對(duì)一些案例，提供特殊應(yīng)用電路保護(hù)方案。

2008-10-24

ESD TVS二極管保護(hù)方案

電子產(chǎn)品的靜電放電保護(hù)（一）

本文第一部分介紹了電子行業(yè)的四個(gè)長(zhǎng)期技術(shù)和應(yīng)用趨勢(shì)以及靜電放電(ESD)保護(hù)對(duì)耐用電子設(shè)計(jì)的重要性，舉例說(shuō)明了ESD閃擊可能引發(fā)的故障機(jī)制，以及一些定義測(cè)試儀器和測(cè)試協(xié)議的常見標(biāo)準(zhǔn)，最后介紹了分流型保護(hù)器件的關(guān)鍵參數(shù)；第二部分介紹最常見的分流時(shí)間瞬態(tài)抑制器，并探討如何為其中廣泛應(yīng)用的...

2008-10-24

ESD 耐用電子設(shè)計(jì) 故障機(jī)制分流型保護(hù)器件分流時(shí)間瞬態(tài)抑制器

低電壓故障保護(hù)

本文討論過(guò)壓保護(hù)在連接系統(tǒng)電路的開關(guān)和復(fù)用器中的必要性，提出了過(guò)壓的保障方法。首先分析了過(guò)壓的內(nèi)外部保護(hù)，接著分析了低電壓故障保護(hù)，最后舉例介紹了低電壓、故障保護(hù)型開關(guān)的應(yīng)用。

2008-10-24

低電壓故障保護(hù) 開關(guān) 多路復(fù)用器

安森美晶閘管浪涌保護(hù)器件

本文主要介紹了一種晶閘管浪涌保護(hù)器件（TSPD），首先分析得出一個(gè)簡(jiǎn)單的晶閘管的保護(hù)特性是很不對(duì)稱的，為具備對(duì)稱的過(guò)壓保護(hù)，提出必須使用兩個(gè)反平行的晶閘管來(lái)實(shí)現(xiàn)，即晶閘管浪涌保護(hù)器件（TSPD），接著分析了它的電流-電壓曲線特性，最后舉例說(shuō)明TSPD有雙向和單向之分。

2008-10-24

晶閘管浪涌保護(hù)器件對(duì)稱過(guò)壓保護(hù) 安森美

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