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技術(shù)文章

中國(guó)液晶電視市場(chǎng)：09年縣級(jí)市場(chǎng)成功擴(kuò)張，2010年存在三大風(fēng)險(xiǎn)

但是，2009年1季度，中國(guó)液晶電視市場(chǎng)的表現(xiàn)卻大大出乎人們預(yù)料，銷(xiāo)量同比增長(zhǎng)70％！隨后的幾個(gè)季度，市場(chǎng)表現(xiàn)越來(lái)越好，到2009年3季度，中國(guó)液晶電視市場(chǎng)銷(xiāo)量規(guī)模同比增長(zhǎng)超過(guò)100％！GfK中國(guó)預(yù)測(cè)，2009年中國(guó)液晶電視市場(chǎng)零售量將達(dá)到2300萬(wàn)臺(tái)，比2008年增長(zhǎng)92％，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)2008年末時(shí)的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)。

2010-03-10

液晶電視市場(chǎng) 縣級(jí) 擴(kuò)張三大風(fēng)險(xiǎn)

聯(lián)網(wǎng)消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)將劇增

In-Stat預(yù)計(jì)，2010年，在所有售出的數(shù)字電視中，大約40%將具備聯(lián)網(wǎng)功能。到2013年，全球使用中的這類(lèi)聯(lián)網(wǎng)消費(fèi)電子設(shè)備將達(dá)5億臺(tái)。在2008年至2013年間，此類(lèi)產(chǎn)品的銷(xiāo)售額年均復(fù)合增長(zhǎng)率接近64%。

2010-03-10

聯(lián)網(wǎng) 消費(fèi)電子市場(chǎng) 劇增

恩智浦半導(dǎo)體推出新一代高效率低VCEsat晶體管

這些晶體管稱(chēng)為突破性小信號(hào)(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開(kāi)導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn)，使開(kāi)關(guān)時(shí)間減到絕對(duì)最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時(shí)實(shí)現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開(kāi)關(guān)晶體管使開(kāi)關(guān)和存儲(chǔ)時(shí)間降低到125 ns。新型BISS-4產(chǎn)品表明，雙極晶體管技術(shù)為要求更高性能和降低...

2010-03-10

恩智浦新一代高效率低VCEsat 晶體管

IR推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。

2010-03-10

IR 商用集成氮化鎵功率級(jí)器件

恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開(kāi)關(guān)晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。

2010-03-10

恩智浦 VCEsat 晶體管

iP2010/2011：IR率先推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件

2010-03-10

iP2010 iP2011 氮化鎵

任天堂超過(guò)三星成為消費(fèi)產(chǎn)品和手機(jī)MEMS的最大買(mǎi)家

據(jù)iSuppli公司，日本任天堂在2009年超越韓國(guó)的三星，成為用于消費(fèi)電子產(chǎn)品和手機(jī)的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的全球最大買(mǎi)家。

2010-03-10

任天堂三星 MEMS

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