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技術(shù)文章

東京農(nóng)工大學(xué)開發(fā)出單層碳納米管與鈦酸鋰復(fù)合而成的鋰離子電容器

東京農(nóng)工大學(xué)研究生院于2009年3月宣布，開發(fā)出了采用碳納米纖維（CNF）與LTO復(fù)合而成的負(fù)極的鋰離子電容器，與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比，實現(xiàn)了約3倍的能量密度。而且還表示，將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術(shù)的鋰離子電容器的體制。

2010-04-19

東京大學(xué) 單層碳納米管鈦酸鋰鋰離子電容器

IR上市導(dǎo)通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET

據(jù)稱，該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優(yōu)值）為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購買1萬個時的單價為1.50美元。

2010-04-19

IR 導(dǎo)通電阻耐壓功率MOSFET

節(jié)能技術(shù)研討會閉幕低碳經(jīng)濟催熱新型節(jié)能技術(shù)

2010-04-16

節(jié)能技術(shù)研討會閉幕低碳經(jīng)濟催熱新型節(jié)能技術(shù)

新一代低VCEsat雙極晶體管

近年來，中功率雙極晶體管在飽和電阻和功率范圍上的重大突破，極大地拓寬了此類器件的應(yīng)用領(lǐng)域。恩智浦最新推出的SMD封裝中功率晶體管(BISS 4)再次顯現(xiàn)出雙極晶體管的技術(shù)優(yōu)勢，在為開關(guān)應(yīng)用帶來了開關(guān)損耗更小，效率更高的同時，也贏得了更多的市場空間。

2010-04-16

雙極晶體管 SMD BISS 4

2011年電路保護市場將持續(xù)增長

2011年，市場預(yù)測預(yù)測表明：表面貼裝式壓敏電阻將在手機和汽車電子市場持續(xù)成長；聚合物PTC熱敏電阻在傳統(tǒng)過流保護如筆記本電腦和上網(wǎng)本的USB防護和電池的二次防護方面得到發(fā)展；NTC熱敏電阻的市場重心將偏向汽車和大型家庭用空調(diào)系統(tǒng)（其價值在于組件的生產(chǎn)，而不是熱敏電阻本身）；氣體放電管由于...

2010-04-16

過流保護過壓保護電路保護

亞洲表面貼裝盛會下周上海舉行
有力推動我國電子生產(chǎn)行業(yè)制造水平

亞洲表面貼裝盛會下周上海舉行

2010-04-16

亞洲表面貼裝盛會下周上海舉行

不斷挑戰(zhàn)小型化，大河晶振以新的靈感創(chuàng)造最先進的產(chǎn)品

世間的流水滋潤著人們的生活，雖然江河日復(fù)一日的在流淌，然而每天流著不同的水。大河晶振也猶如匯入江河的源頭活水，不斷以新的靈感創(chuàng)造著最先進的產(chǎn)品。2010年4月9日，電子元件技術(shù)網(wǎng)記者在深圳會展中心第75界中國電子展（CEF）大河晶振（RIVER ELETEC）的展位上現(xiàn)場采訪了西安大河晶振科技有限公...

2010-04-16

挑戰(zhàn)小型化大河晶振先進的產(chǎn)品 SZ2010

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