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技術(shù)文章

提升 ADAS 應(yīng)用功能與安全的多樣解決方案

隨著自動(dòng)駕駛技術(shù)的不斷進(jìn)步，高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 的作用和重要性正在不斷擴(kuò)大。ADAS不僅增強(qiáng)了駕駛體驗(yàn)，而且在減少交通事故、提高駕駛安全性方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。為了進(jìn)一步提升ADAS的功能和安全性，該領(lǐng)域正在引入一系列先進(jìn)技術(shù)和解決方案。這些創(chuàng)新解決方案涵蓋傳感器技術(shù)、數(shù)據(jù)處理和分...

2024-08-30

ADAS 自動(dòng)駕駛技術(shù)

意法半導(dǎo)體 X 邁凱倫：超級(jí)跑車化身電驅(qū)的狂野巨獸

過去幾十年來，一直都是由內(nèi)燃機(jī)為超級(jí)跑車提供充沛動(dòng)力，并搭配精心調(diào)校的底盤，從而打造出獨(dú)一無二的駕乘感受。而在電氣化時(shí)代，像邁凱倫應(yīng)用技術(shù)公司這樣的企業(yè)都面臨著一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)，那就是如何利用電氣化技術(shù)制造出一輛血統(tǒng)純正的超級(jí)跑車。

2024-08-30

意法半導(dǎo)體邁凱倫超級(jí)跑車電驅(qū)

適用于電化學(xué)傳感器的運(yùn)算放大器

電化學(xué)氣體檢測(cè)元件需要恒定的偏置才能正常準(zhǔn)確地運(yùn)行，這可能會(huì)消耗大量功率。當(dāng)器件處于空閑或休眠模式時(shí)，正常的電源管理系統(tǒng)往往會(huì)試圖讓這些器件都保持關(guān)斷狀態(tài)。然而，電化學(xué)傳感器需要數(shù)十分鐘甚至幾個(gè)小時(shí)才能穩(wěn)定下來。因此，檢測(cè)元件及其偏置電路必須處于“始終接通”狀態(tài)。此外，對(duì)于...

2024-08-30

電化學(xué)傳感器運(yùn)算放大器

第104屆中國(guó)電子展主題區(qū)揭秘！搶占黃金C位，“硬控”全場(chǎng)目光

在今年的政府工作報(bào)告中提出，要大力推進(jìn)現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系建設(shè)，加快發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力。具體而言，新質(zhì)生產(chǎn)力就是由技術(shù)革命性突破、生產(chǎn)要素創(chuàng)新性配置、產(chǎn)業(yè)深度轉(zhuǎn)型升級(jí)而催生的當(dāng)代先進(jìn)生產(chǎn)力，它以勞動(dòng)者、勞動(dòng)資料、勞動(dòng)對(duì)象及其優(yōu)化組合的質(zhì)變?yōu)榛緝?nèi)涵，以全要素生產(chǎn)率提升為核心標(biāo)志。

2024-08-30

中國(guó)電子展硬控

雙色LED點(diǎn)陣顯示器行、列引腳的識(shí)別與檢測(cè)

雙色點(diǎn)陣顯示器有共陽型和共陰型兩種類型。圖13—20所示是8×8雙色點(diǎn)陣顯示器的電路結(jié)構(gòu)，圖13—20（a）為共陽型點(diǎn)陣顯示器，有8行16列，每行的16個(gè)LED（兩個(gè)LED組成一個(gè)發(fā)光點(diǎn)）的正極接在一根行公共線上，有8根行公共線，每列的8個(gè)LED的負(fù)極接在一根列公共線上，共有16根列公共線，共陽型點(diǎn)陣顯示器...

2024-08-30

雙色LED 點(diǎn)陣顯示器

觀眾如潮！AI+IoT行業(yè)頂級(jí)盛會(huì)，重磅開幕！

IOTE 2024第二十二屆國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站 + AGIC 2024 國(guó)際通用人工智能展在深圳國(guó)際會(huì)展中心盛大開幕。

2024-08-30

AI+IoT 國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)展

什么是IGBT的退飽和（desaturation）？什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)？

這要從IGBT的平面結(jié)構(gòu)說起。IGBT和MOSFET有類似的器件結(jié)構(gòu)，MOS中的漏極D相當(dāng)于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當(dāng)于IGBT的發(fā)射極E，二者都會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象。下圖所示是一個(gè)簡(jiǎn)化平面型IGBT剖面圖，以此來闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個(gè)大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會(huì)出現(xiàn)強(qiáng)反型層，形成...

2024-08-30

IGBT 退飽和

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