【導(dǎo)讀】前面有講到設(shè)計(jì)人員因?yàn)闆]有留意到DDR3主控沒有讀寫平衡功能，就按照常規(guī)的布線要求來走線，導(dǎo)致數(shù)據(jù)和時(shí)鐘信號(hào)長(zhǎng)度差異較大，最終使得DDR3系統(tǒng)運(yùn)行不到額定頻率?？磥頉]有讀寫平衡的DDR3，直接按照DDR2的設(shè)計(jì)規(guī)則來做還是比較靠譜的，那么DDR2的設(shè)計(jì)到底有哪些規(guī)則呢？我想大家肯定會(huì)比較感興趣吧。
到底有哪些規(guī)則呢？所謂實(shí)踐出真理，還是先來看看下面的這個(gè)案例吧！
這個(gè)DDR2系統(tǒng)采用8片顆粒表底貼的設(shè)計(jì)，地址、控制、命令信號(hào)一拖八，其余信號(hào)一拖二，但最終的系統(tǒng)跑不起來。查看PCB設(shè)計(jì)，列出部分信號(hào)的截圖如下，先不評(píng)論，各位慢慢開始來找茬吧。
上圖高亮部分為時(shí)鐘信號(hào)(綠白)的走線，從主控芯片出來?yè)Q層經(jīng)過1300mil到分支過孔，此處端接一個(gè)100ohm差分阻抗，再?gòu)倪^孔處分支各走一段1250mil和1350mil的走線到表底兩個(gè)顆粒，其中一個(gè)顆粒再端接一個(gè)100歐姆差分電阻，其他的時(shí)鐘信號(hào)也大致如此。
圖中黃色高亮部分為地址信號(hào)走線，從主控芯片出來馬上第一級(jí)分支，再約600mil進(jìn)行第二級(jí)分支，再一個(gè)分支經(jīng)過1000mil進(jìn)行第三級(jí)分支，另一分支在50mil左右也開始第三級(jí)分支，最后接0ohm串阻約1100mil到顆粒，其中在最邊上某一第三分支過孔處上拉一個(gè)47ohm電阻到Vtt,其他的地址、控制信號(hào)也大致如此結(jié)構(gòu)。
再來看DQS信號(hào)，如上圖高亮玫紅白點(diǎn)信號(hào)，進(jìn)過一級(jí)分支各0ohm串阻經(jīng)350mil和738mil的線路到表底層顆粒，其他的差異不大。
最后再看數(shù)據(jù)信號(hào)，圖中黃色高亮部分，采用的菊花鏈結(jié)構(gòu)，先到其中一個(gè)顆粒，再到另一面的第二個(gè)顆粒，其他的數(shù)據(jù)信號(hào)也是這種結(jié)構(gòu)。
好了，其他的如電源我們就不用看了，看到這里我們已經(jīng)大致知道這個(gè)DDR2系統(tǒng)跑不起來是有原因的啦。
