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高功率鍍膜新突破！瑞典Ionautics HiPSTER 25電源首次運(yùn)行

近日，瑞典 Ionautics 公司宣布其全新研發(fā)的 HiPSTER 25 緊湊型高性能高功率脈沖磁控濺射（HiPIMS）脈沖電源成功完成首次運(yùn)行。Ionautics 成立于 2010 年，長(zhǎng)期深耕于電離物理氣相沉積領(lǐng)域， HiPSTER 25提供高達(dá) 25kW 功率，不僅重新定義了行業(yè)高效運(yùn)行模式，還極大提升了性能與能量效率。

2025-06-13

安森美SiC Cascode技術(shù)：共源共柵結(jié)構(gòu)深度解析

碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì)，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開(kāi)特性，這意味著如果沒(méi)有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導(dǎo)通。

2025-06-12

低排放革命！貿(mào)澤EIT系列聚焦可持續(xù)技術(shù)突破

全球電子元器件及工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商——貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)，近日發(fā)布了其Empowering Innovation Together (EIT) 技術(shù)系列的新一期內(nèi)容《低排放、再利用、重塑未來(lái)的技術(shù)》。本期EIT系列專注于探索那些能夠改善環(huán)境的清潔技術(shù)，并提供面向未來(lái)的創(chuàng)新工程解決方案，旨在通過(guò)技術(shù)革新推動(dòng)可持續(xù)發(fā)展的進(jìn)程。

2025-06-11

集成化柵極驅(qū)動(dòng)IC對(duì)多電平拓?fù)潆妷壕獾钠平饴窂?/a>

挑戰(zhàn)極限溫度：高溫IC設(shè)計(jì)的環(huán)境溫度與結(jié)溫攻防戰(zhàn)

在汽車引擎艙的200℃熱浪中，或在深地鉆探設(shè)備的極限工況下，集成電路（IC）的‘心臟’——半導(dǎo)體結(jié)溫正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。環(huán)境溫度與結(jié)溫的差值每擴(kuò)大10℃，芯片壽命可能縮短一半。安森美（onsemi）的Treo平臺(tái)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)證明：通過(guò)材料革新（如SiC/GaN）與動(dòng)態(tài)熱管理，高溫IC的可靠性可提升3倍以上。本文將揭示環(huán)境溫度如何‘傳導(dǎo)’為結(jié)溫危機(jī)，并拆解工業(yè)級(jí)解決方案的底層邏輯。

2025-06-09

ST&高通ST67W611M1模塊量產(chǎn)：Siana案例驗(yàn)證交鑰匙方案提速無(wú)線開(kāi)發(fā)

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）與高通技術(shù)公司（Qualcomm Technologies）強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手開(kāi)發(fā)的集成式Wi-Fi 6和藍(lán)牙5.4二合一模塊ST67W611M1，現(xiàn)已正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。這標(biāo)志著雙方合作的“交鑰匙”無(wú)線連接解決方案邁入商業(yè)化新里程。與此同時(shí)，重要客戶Siana采用該模塊的設(shè)計(jì)項(xiàng)目已宣告成功落地，顯著縮短了其無(wú)線產(chǎn)品的研發(fā)周期。

2025-06-05

貿(mào)澤電子上線機(jī)器人資源中心：賦能工程師探索智能自動(dòng)化未來(lái)

貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）今日上線機(jī)器人技術(shù)資源中樞——集成12大開(kāi)發(fā)模塊與200+工業(yè)級(jí)解決方案的開(kāi)放平臺(tái)，直擊AI自動(dòng)化系統(tǒng)開(kāi)發(fā)痛點(diǎn)。 該平臺(tái)深度解析手術(shù)機(jī)器人精密控制算法、工業(yè)機(jī)械臂實(shí)時(shí)運(yùn)動(dòng)規(guī)劃等場(chǎng)景化案例，提供從TI毫米波雷達(dá)建圖方案到NVIDIA Jetson邊緣AI部署的完整工具鏈，助力工程師將開(kāi)發(fā)周期壓縮40%，為醫(yī)療、制造等關(guān)鍵領(lǐng)域構(gòu)建符合ISO 13849功能安全的機(jī)器人系統(tǒng)。

2025-06-03

高/低電平復(fù)位電路的底層邏輯與實(shí)戰(zhàn)陷阱

在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，復(fù)位電路的極性選擇直接決定設(shè)備上電穩(wěn)定性。據(jù)統(tǒng)計(jì)，23%的硬件故障源于復(fù)位信號(hào)異常（數(shù)據(jù)來(lái)源：2024 IEEE ICET），而高/低電平復(fù)位方案在電路結(jié)構(gòu)、抗噪能力、芯片適配性等方面存在本質(zhì)差異。本文通過(guò)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)揭示兩種設(shè)計(jì)的深層邏輯。

2025-06-03

意法半導(dǎo)體攜邊緣人工緣智能方案重磅登陸新加坡半導(dǎo)體展會(huì)

全球半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）于2025年5月20日至22日亮相東南亞國(guó)際半導(dǎo)體展會(huì)（展位號(hào)L1901），圍繞“邊緣人工智能與自動(dòng)化解決方案”主題，向業(yè)界展示其針對(duì)智能工業(yè)、智慧城市等場(chǎng)景的技術(shù)創(chuàng)新。作為服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)，ST此次參展凸顯其對(duì)東南亞市場(chǎng)數(shù)字化轉(zhuǎn)型需求的精準(zhǔn)把握。

2025-05-30

運(yùn)動(dòng)追蹤+沖擊檢測(cè)雙感知！意法半導(dǎo)體微型AI傳感器開(kāi)啟智能設(shè)備新維度

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出業(yè)界首款集成運(yùn)動(dòng)追蹤與高重力沖擊測(cè)量的微型AI慣性測(cè)量單元（IMU），采用3.3mm×2.8mm緊湊封裝。該傳感器支持沖擊檢測(cè)精度與動(dòng)態(tài)角度解析，可精準(zhǔn)重構(gòu)智能設(shè)備運(yùn)動(dòng)軌跡與沖擊事件，適配移動(dòng)設(shè)備、可穿戴設(shè)備、消費(fèi)醫(yī)療產(chǎn)品以及智能家居、智能工業(yè)和智能駕駛設(shè)備等場(chǎng)景，推動(dòng)消費(fèi)電子、醫(yī)療監(jiān)護(hù)及工業(yè)4.0設(shè)備邁向高可靠感知新階段。

2025-05-22

中微公司在TechInsights 2025半導(dǎo)體供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)調(diào)查中榮獲兩項(xiàng)第一

在全球技術(shù)分析和知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)提供商TechInsights舉辦的2025年半導(dǎo)體供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)調(diào)查(Semiconductor Supplier Awards Survey)中榮獲六大獎(jiǎng)項(xiàng)，其中在WFE基礎(chǔ)芯片制造商（WFE to Foundation Chip Makers）、薄膜沉積設(shè)備（Deposition Equipment）兩個(gè)榜單中位列第一。

2025-05-19

破局PMIC定制困境：無(wú)代碼方案加速產(chǎn)品落地

電源管理集成電路(PMIC)有益于簡(jiǎn)化最終應(yīng)用并縮小其尺寸，也因此備受青睞。然而，當(dāng)默認(rèn)啟動(dòng)時(shí)序和輸出電壓與應(yīng)用要求不符時(shí)，就需要定制上電設(shè)置。大多數(shù)情況下，電路沒(méi)有可以存儲(chǔ)這些設(shè)置的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)。對(duì)此，低功耗微控制器是一個(gè)很好的解決方案，其功能特性和所包含的工具可以在上電時(shí)對(duì)PMIC控制寄存器進(jìn)行編程，而不需要開(kāi)發(fā)固件。本文將探討如何使用工具鏈來(lái)解決集成難題。該工具鏈無(wú)需開(kāi)發(fā)固件，能夠簡(jiǎn)化PMIC的定制過(guò)程，并顯著縮短開(kāi)發(fā)周期。

2025-05-18