-
意法半導(dǎo)體與高通達(dá)成無線物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)略合作
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 與高通公司旗下子公司高通技術(shù)國際有限公司（Qualcomm Technologies International, Ltd，簡稱QTI）近日宣布，雙方達(dá)成一項新的戰(zhàn)略協(xié)議，合作開發(fā)基于邊緣 AI的下一代工業(yè)和消費(fèi)物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
2024-10-11
-
貿(mào)澤推出全新一期EIT系列 探索可持續(xù)智能電網(wǎng)的技術(shù)創(chuàng)新
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布Empowering Innovation Together (共求創(chuàng)新，EIT) 計劃全新一期技術(shù)內(nèi)容，探討將可再生能源納入智能電網(wǎng)技術(shù)的好處，并重點介紹AI和5G在實現(xiàn)可持續(xù)電網(wǎng)管理中的作用。
2024-09-25
-
貿(mào)澤電子對FIRST創(chuàng)始人兼發(fā)明家Dean Kamen進(jìn)行視頻專訪
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很高興推出與工程師、發(fā)明家兼FIRST? (For Inspiration and Recognition of Science and Technology) 創(chuàng)始人Dean Kamen的視頻專訪。這家非營利機(jī)構(gòu)致力于通過機(jī)器人實踐項目，推動青少年的科學(xué)、技術(shù)、工程與數(shù)學(xué) (STEM) 教育。自2014年以來，貿(mào)澤一直是FIRST的主要贊助商之一，協(xié)助該機(jī)構(gòu)每年持續(xù)激發(fā)數(shù)十萬年輕人的創(chuàng)新靈感，培養(yǎng)他們?nèi)娴腟TEM和生活技能。
2024-09-09
-
2024CIOE中國光博會 | 傲科光電邀您相約12A59展位！
匯聚全球光電科技，盡在中國深圳光電博覽會(CIOE)。本屆CIOE將于2024年9月11-13日在深圳國際會展中心(寶安新館)隆重舉辦。在這個全球光電科技匯聚的盛會上，傲科光電將展示業(yè)界領(lǐng)先的400G/800G/1.6T 應(yīng)用的全系列Driver、TIA及硅光解決方案。
2024-09-09
-
什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會進(jìn)入退飽和狀態(tài)？
這要從IGBT的平面結(jié)構(gòu)說起。IGBT和MOSFET有類似的器件結(jié)構(gòu)，MOS中的漏極D相當(dāng)于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當(dāng)于IGBT的發(fā)射極E，二者都會發(fā)生退飽和現(xiàn)象。下圖所示是一個簡化平面型IGBT剖面圖，以此來闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會出現(xiàn)強(qiáng)反型層，形成導(dǎo)電溝道。
2024-08-30
-
可調(diào)速工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器有哪些不同類型
本文簡要介紹了 VSD 和 VFD 的常用定義，并探討了廣泛使用 VFD 的原因。然后，回顧了 IEC 61800-9 中為交流驅(qū)動器定義的效率等級，并介紹了 Delta Electronics、Siemens、Schneider Electric 和 Omron Automation 提供的典型市電供電型 VFD，最后還以 MEAN WELL 的示例系統(tǒng)為例，探討了 VFD 在 AMR 和其他電池供電型系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2024-08-13
-
西門子Xcelerator即服務(wù)助力松下進(jìn)行家電開發(fā)數(shù)字化轉(zhuǎn)型
西門子支持全球領(lǐng)先的電子產(chǎn)品制造商松下電器將產(chǎn)品開發(fā)和設(shè)計數(shù)據(jù)管理轉(zhuǎn)移到軟件即服務(wù)(SaaS)模式,作為其數(shù)字化轉(zhuǎn)型(DX)策略——“松下轉(zhuǎn)型”(Panasonic Transformation – PX)的一部分
2024-08-06
-
半導(dǎo)體后端工藝｜第九篇：探索不同材料在傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝中的作用
可靠性和穩(wěn)定性是保障半導(dǎo)體產(chǎn)品順暢運(yùn)行的關(guān)鍵因素。半導(dǎo)體器件的封裝必須注意避免受到物理、化學(xué)和熱損傷。因此，封裝材料必須具備一定的質(zhì)量要求。隨著業(yè)界對半導(dǎo)體產(chǎn)品運(yùn)行速度的要求不斷提高，封裝材料需要具備更優(yōu)異的電氣性能，比如具備低介電常數(shù)（Permittivity）1和介電損耗（Dielectric Loss）2的基板等。
2024-08-02
-
全新Reality AI Explorer Tier，免費(fèi)提供強(qiáng)大的AI/ML開發(fā)環(huán)境綜合評估“沙盒”
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布推出Reality AI Explorer Tier——作為Reality AI Tools?軟件的免費(fèi)版本，可用于開發(fā)工業(yè)、汽車和商業(yè)應(yīng)用中的AI與TinyML解決方案。
2024-07-17
-
采用被動式紅外傳感器做運(yùn)動檢測 有沒有簡捷實現(xiàn)的方案？
本文首先討論運(yùn)動檢測的基本原理，然后展示開發(fā)者如何使用與 Microchip DM080104 ATtiny 1627 Curiosity Nano 連接的 PIR 進(jìn)行運(yùn)動檢測。最后，介紹一種可替代復(fù)雜算法開發(fā)的運(yùn)動檢測方法。這種方法充分發(fā)揮了機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 技術(shù)的優(yōu)勢。其中包括入門所需的技巧和竅門。
2024-07-16
-
半導(dǎo)體后端工藝 第八篇：探索不同晶圓級封裝的工藝流程
在本系列第七篇文章中，介紹了晶圓級封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同晶圓級封裝方法所涉及的各項工藝。晶圓級封裝可分為扇入型晶圓級芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級芯片封裝(Fan-Out WLCSP)、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝、及硅通孔(TSV)封裝。此外，本文還將介紹應(yīng)用于這些晶圓級封裝的各項工藝，包括光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝和濕法(Wet)工藝。
2024-07-02
-
更深入了解汽車與航空電子等安全關(guān)鍵型應(yīng)用的IP核考量因素
中國已經(jīng)連續(xù)十多年成為全球第一大汽車產(chǎn)銷國，智能化也成為了汽車行業(yè)發(fā)展的一個重要方向，同時越來越多的制造商正在考慮進(jìn)入無人機(jī)和飛行汽車等低空設(shè)備，而所有的這些系統(tǒng)產(chǎn)品都需要先進(jìn)芯片的支撐，其中的許多芯片因其功能都是安全關(guān)鍵型芯片（safety-critical chip）。
2024-06-21
- 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動化產(chǎn)線注入核心部件
- 瞄準(zhǔn)精準(zhǔn)醫(yī)療，Nordic新型芯片讓可穿戴醫(yī)療設(shè)備設(shè)計更自由
- 信號切換全能手：Pickering 125系列提供了從直流到射頻的完整舌簧繼電器解決方案
- 射頻供電新突破：Flex發(fā)布兩款高效DC/DC轉(zhuǎn)換器，專攻微波與通信應(yīng)用
- 電源架構(gòu)革新：多通道PMIC并聯(lián)實現(xiàn)大電流輸出的設(shè)計秘籍
- 以 XCORE? 技術(shù)為核心，XMOS 亮相 CES 2026
- 有機(jī)基板 + 精簡引腳，SPHBM4 的雙重技術(shù)突破
- 減重 35%、減排 80% 艾邁斯歐司朗聯(lián)合奧德堡推出零成本環(huán)保卷盤方案
- 極端環(huán)境救星：AMD EPYC 2005 系列處理器解析
- 第一部分：化繁為簡！BMS秉承簡單制勝原則兼顧效率與成本
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
