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超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用
典型的AC380V變頻器應(yīng)用框圖，主要包括輸入AC380V三相整流、三相逆變IGBT功率驅(qū)動(dòng)、輔助電源等部分；其中輔助電源主要經(jīng)過(guò)DC高壓降壓后為IGBT驅(qū)動(dòng)IC、主控mcu、通訊模塊芯片等供電。
2024-01-02
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SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)
低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用，包括大氣隙電機(jī)、無(wú)槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高開關(guān)頻率（50-100kHz）來(lái)維持所需的紋波電流。然而，對(duì)于50kHz以上的調(diào)制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無(wú)法滿足這些需求，如果是380V系統(tǒng)，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創(chuàng)了新的機(jī)會(huì)。
2023-12-20
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泰克助力汽車測(cè)試及質(zhì)量監(jiān)控實(shí)現(xiàn)效率和創(chuàng)新最大化
對(duì)于功率器件工程師而言，最大限度降低開關(guān)損耗是一項(xiàng)嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，尤其對(duì)于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進(jìn)材料有望提高效率，但也有其自身的復(fù)雜性。測(cè)量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的開關(guān)參數(shù)，并評(píng)估其動(dòng)態(tài)行為的標(biāo)準(zhǔn)方法是雙脈沖測(cè)試 (DPT)。
2023-12-05
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如何優(yōu)化SiC柵級(jí)驅(qū)動(dòng)電路？
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓開關(guān)，同時(shí)開關(guān)頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天將帶來(lái)本系列文章的第二部分SiC柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵要求和NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的基本功能。
2023-11-29
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商業(yè)、建筑和農(nóng)業(yè)車輛應(yīng)用中TO-247PLUS分立封裝的回流焊接
今天，功率半導(dǎo)體為很多應(yīng)用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發(fā)熱充分散出去是解決高功率密度設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。通過(guò)使用IGBT焊接在雙面覆銅陶瓷板(DCB)上可以幫助減少散熱系統(tǒng)的熱阻，前提是需要IGBT單管封裝支持SMD工藝。本文將展示一種可回流焊接的TO-247PLUS單管封裝，該封裝可將器件芯片到DCB基板的熱阻降至最低。
2023-11-21
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。開關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓開關(guān)，同時(shí)開關(guān)頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關(guān)頻率。
2023-11-12
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能實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊
隨著全球?qū)稍偕茉吹娜找骊P(guān)注以及對(duì)效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求的高溫短路耐受能力，實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
2023-11-12
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讓電動(dòng)汽車延長(zhǎng)5%里程的SiC主驅(qū)逆變器
本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 將電動(dòng)汽車的續(xù)航里程延長(zhǎng)多達(dá) 5%。另外，文中還討論了為什么一些原始設(shè)備制造商 (OEM) 不愿意從硅基絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 過(guò)渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 為緩解 OEM 的擔(dān)憂同時(shí)提升 OEM 對(duì)這種成熟的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的信心所做的努力。
2023-11-12
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通過(guò)碳化硅(SiC)增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)
電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開關(guān)的替代方案，改善 BESS 的性能。
2023-11-10
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充分利用IGBT的關(guān)鍵在于要知道何時(shí)、何地以及如何使用它們
如今，碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體風(fēng)頭正盛。但在此之前，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業(yè)的主角。本文將介紹IGBT在哪些應(yīng)用中仍能發(fā)揮所長(zhǎng)，然后快速探討一下這些多用途器件的未來(lái)前景。
2023-11-07
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高集成度智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦通吃MOSFET和IGBT
光耦也叫光電耦合器，是以光為媒介傳輸電信號(hào)的一種電-光-電轉(zhuǎn)換器件。光耦由發(fā)光源和受光器兩部分組成，密閉于同一殼體內(nèi)，彼此用透明絕緣體隔離。
2023-10-27
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、開啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動(dòng)器IC和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。
2023-10-25
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