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第16講：SiC SBD的特性
SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn)，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性。
2025-03-03
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三安與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅晶圓合資廠正式通線
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM) ，和中國(guó)化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產(chǎn)品）三安光電（上海證券交易所代碼：600703）今日宣布，雙方在重慶設(shè)立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠（即“安意法半導(dǎo)體有限公司”，以下簡(jiǎn)稱安意法）現(xiàn)已正式通線。這一里程碑標(biāo)志著意法半導(dǎo)體和三安正朝著于2025年年底前實(shí)現(xiàn)在中國(guó)本地生產(chǎn)8英寸碳化硅這一目標(biāo)穩(wěn)步邁進(jìn)，屆時(shí)將更好地滿足中國(guó)新能源汽車、工業(yè)電源及能源等市場(chǎng)對(duì)碳化硅日益增長(zhǎng)的需求。
2025-02-27
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全民智駕熱潮下，ADAS系統(tǒng)對(duì)電源芯片的四大需求
南芯科技在 ADAS 電源芯片領(lǐng)域早有布局，并于去年發(fā)布了單芯片車載攝像頭 PMIC 系列，通過(guò)安全高效的電源管理提升 ADAS 系統(tǒng)攝像頭的穩(wěn)定性與可靠性。其中，SC6201Q 已于去年實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，符合 ASIL-B 功能安全標(biāo)準(zhǔn)要求的 SC6205Q 和 SC6206Q 也已步入規(guī)模量產(chǎn)階段，持續(xù)為 ADAS 應(yīng)用保駕護(hù)航。
2025-02-26
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貿(mào)澤電子與Amphenol聯(lián)合推出全新電子書探索連接技術(shù)在電動(dòng)汽車和電動(dòng)垂直起降飛行器中的作用
注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Amphenol合作推出全新電子書《9 Experts Discuss the Role of Connectivity in e-Mobility》（9位專家探討連接技術(shù)在電動(dòng)出行中的作用），深入探討電動(dòng)汽車中的連接和傳感器技術(shù)。書中，來(lái)自交通運(yùn)輸行業(yè)和Amphenol的專家針對(duì)支持當(dāng)今純電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車 (EV/HEV) 以及電動(dòng)垂直起降 (eVTOL) 飛行器獨(dú)特需求的技術(shù)與策略提供了深度見(jiàn)解。
2025-02-22
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2
電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。
2025-02-21
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意法半導(dǎo)體為數(shù)據(jù)中心和AI集群帶來(lái)更高性能的云光互連技術(shù)
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出了新一代專有硅光技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心和 AI 集群帶來(lái)性能更高的光互連解決方案。隨著 AI 計(jì)算需求的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，計(jì)算、內(nèi)存、電源以及這些資源的互連都面臨著性能和能效的挑戰(zhàn)。意法半導(dǎo)體新推出的硅光技術(shù)和新一代 BiCMOS 技術(shù)可以幫助云計(jì)算服務(wù)商和光模塊廠商克服這些挑戰(zhàn)。計(jì)劃從 2025 年下半年開始，800Gb/s 和 1.6Tb/s 光模塊將逐步提升產(chǎn)量。
2025-02-21
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第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性
本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項(xiàng)重要設(shè)計(jì)要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗(yàn)證，為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準(zhǔn)。
2025-02-20
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可再生電力：道達(dá)爾能源將在15年內(nèi)為意法半導(dǎo)體法國(guó)供電1.5億千瓦時(shí)
道達(dá)爾能源公司 (TotalEnergies) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 簽署了一份實(shí)體購(gòu)電協(xié)議，為意法半導(dǎo)體位于法國(guó)的工廠供應(yīng)可再生電力，這份為期十五年的合同于 2025 年 1 月生效，總購(gòu)電量為 1.5 億千瓦時(shí) (TWh)。
2025-02-18
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功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)（一）綜述
工業(yè)應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體的驅(qū)動(dòng)電源功率不大，設(shè)計(jì)看似簡(jiǎn)單，但要設(shè)計(jì)出簡(jiǎn)單低成本的電路并不容易。這就需要一個(gè)集成度高，外圍器件少，功率密度高的DCDC輔助電源方案，減小線路板面積，這對(duì)避免受干擾，提高可靠性也有幫助。這是開發(fā)EiceDRIVER? Power 2EP系列的背景。
2025-02-18
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設(shè)計(jì)高壓SIC的電池?cái)嚅_開關(guān)
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng)，由單相或三相電網(wǎng)功率或儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）提供動(dòng)力，可以通過(guò)固態(tài)電路保護(hù)提高其可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高壓固態(tài)電池?cái)嚅_連接開關(guān)時(shí)，需要考慮一些基本的設(shè)計(jì)決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)，設(shè)備類型，熱包裝，設(shè)備堅(jiān)固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，并為高壓，高電流電池?cái)嚅_開關(guān)定義了半導(dǎo)體包裝，以及表征系統(tǒng)寄生電感和過(guò)度流動(dòng)保護(hù)限制的重要性。
2025-02-16
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如何測(cè)量PMIC的PSRR
PSRR是一個(gè)重要參數(shù)，可評(píng)估LDO在輸入電源中的變化中保持一致輸出電壓的能力。在輸入電源體驗(yàn)波動(dòng)的情況下，實(shí)現(xiàn)高PSRR至關(guān)重要，從而確保輸出電壓的可靠性。下圖1說(shuō)明了測(cè)量PSRR的一般方法。
2025-02-16
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第15講：高壓SiC模塊封裝技術(shù)
SiC芯片可以高溫工作，與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進(jìn)，本文帶你詳細(xì)了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。
2025-02-14
- 800V牽引逆變器：解鎖電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航與性能躍升的工程密鑰
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