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面向汽車應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談
由于汽車環(huán)境的復(fù)雜多變，應(yīng)用于EV和HEV的IGBT要經(jīng)受得住更多的考驗(yàn)。在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機(jī)械振動(dòng)或機(jī)械沖擊等多種試驗(yàn)中，IGBT模塊會(huì)出現(xiàn)一些典型的故障模式。廠家針對(duì)這種問(wèn)題研發(fā)出了具有優(yōu)化性能和成本的功率半導(dǎo)體模塊。
2008-11-02
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中頻電阻焊機(jī)電源的IGBT保護(hù)方法
中頻直流逆變電阻焊接電源作為一種新型的控制電源，以其顯著的高質(zhì)低耗的特點(diǎn)成為電阻焊電源的發(fā)展方向。IGBT是一種用MOS管來(lái)控制晶體管的電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)。本文從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，總結(jié)了過(guò)壓、過(guò)流與過(guò)熱保護(hù)的相關(guān)問(wèn)題和各種保護(hù)方法，適用性強(qiáng)、應(yīng)用效果好。
2008-10-25
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IGBT技術(shù)——半導(dǎo)體技術(shù)與封裝的完美匹配
本文討論了IGBT2、IGBT3 以及SEMITRANS模塊采用的新IGBT4 半導(dǎo)體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示了在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來(lái)的性能提升。
2008-10-23
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IGBT集成驅(qū)動(dòng)模塊的研究
本文主要研究IGBT集成驅(qū)動(dòng)模塊，首先闡述了IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的原則，接著著重分析了EXB841、M57962AL、GH一039、HL402四類模塊的結(jié)構(gòu)和典型應(yīng)用，最后結(jié)合IR、UC37系列驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行比較得出結(jié)論。
2008-10-17
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IGBT 在不間斷電源中的應(yīng)用
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為UPS 功率設(shè)計(jì)的首選，只有對(duì)IGBT的特性充分了解和對(duì)電路進(jìn)行可靠性設(shè)計(jì)，才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點(diǎn)。本文介紹UPS 中的IGBT 的應(yīng)用情況和使用中的注意事項(xiàng)。
2008-10-16
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IGCT門極驅(qū)動(dòng)電路的原理分析
在目前的中電壓大功率應(yīng)用領(lǐng)域，占主導(dǎo)地位的功率半導(dǎo)體器件有晶閘管、GTO和IGBT等，這些傳統(tǒng)的功率器件在實(shí)用方面都存在一些缺陷。ABB半導(dǎo)體公司率先提出了一種新型功率半導(dǎo)體器件—IGCT。它的關(guān)鍵思想是將改進(jìn)結(jié)構(gòu)的GTO與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動(dòng)器在外圍以低電感方式連接。在性能上明顯優(yōu)于目前廣泛使用的GTO和IGBT器件。著重對(duì)IGCT門極驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)和原理進(jìn)行了介紹和分析。
2008-10-14
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀(jì)末出現(xiàn)的一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)集于一身：輸入阻抗高，開(kāi)關(guān)頻率高，工作電流大等，在變頻器、開(kāi)關(guān)電源，弧焊電源等領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用。M57962L采用+15V、- 10V雙電源供電，由于采用- 10V關(guān)斷電壓，能更可靠關(guān)斷，同時(shí)具有封閉性軟關(guān)斷功能，從而使IGBT更加安全的工作。
2008-10-11
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SPWM全橋逆變器輸出變壓器直流偏磁的抑制
分析了SPWM開(kāi)關(guān)型變換器中輸出變壓器產(chǎn)生直流偏磁的機(jī)理。提出了一種基于電壓電流反饋控制技術(shù)抑制正弦波逆變器偏磁的方法，并提供了較為實(shí)用的拓?fù)潆娐?，同時(shí)分析了它的工作機(jī)理。該電路的有效性在介質(zhì)阻擋強(qiáng)電離放電用IGBT全橋逆變電源中得到了驗(yàn)證。
2008-10-07
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用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGBT)作為一種復(fù)合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動(dòng)和高開(kāi)關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn)，在電機(jī)控制、開(kāi)關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。本文對(duì)應(yīng)用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)進(jìn)行討論，并提出一種具有完善保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)電路。
2008-10-02
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用于功率變換器的IGBT驅(qū)動(dòng)核心電路
用于IGBT功率模塊上的驅(qū)動(dòng)電路必須能夠完成門極驅(qū)動(dòng)和模塊保護(hù)功能。它們還必須能為控制部分和功率半導(dǎo)體之間提供電氣隔離，并滿足多種不同型號(hào)IGBT的驅(qū)動(dòng)要求。為了滿足上述要求，必須對(duì)現(xiàn)有的門極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行優(yōu)化。具體地說(shuō)，就是必須在諸多因素如功能，靈活性以及性價(jià)比之間尋求最優(yōu)平衡，所幸的是，在新的門極驅(qū)動(dòng)電路SKYPER中我們做到了這一點(diǎn)。
2008-10-01
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等離子體荷電噴霧逆變電源的研究
本文依據(jù)等離子體荷電噴霧的特點(diǎn)，以IGBT為核心器件，設(shè)計(jì)了脈寬調(diào)制型（PWM）15kHz高壓逆變電源，介紹了逆變電源主回路、PWM控制電路及過(guò)流保護(hù)回路。試驗(yàn)結(jié)果表明：在噴霧中使用等離子體技術(shù)，不僅噴霧的特性達(dá)到了改善，而且還增加了霧滴的荷電數(shù)量。
2008-09-30
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中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
在中國(guó)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場(chǎng)銷售額保持著較快的增長(zhǎng)，是中國(guó)功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
- 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動(dòng)化產(chǎn)線注入核心部件
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