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射頻MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)的最新進(jìn)展
數(shù)字測(cè)試、儀器和無(wú)線通信領(lǐng)域的新興應(yīng)用需要高性能的開(kāi)關(guān)產(chǎn)品。未來(lái)的應(yīng)用將延續(xù)這一趨勢(shì)——需要更寬的帶寬、更低的損耗、更高的電阻可重復(fù)性和更高的線性度。以TeraVicta為代表的開(kāi)關(guān)產(chǎn)品供應(yīng)商將繼續(xù)利用MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)新一代開(kāi)關(guān)產(chǎn)品的發(fā)展，滿足最新應(yīng)用的需求。
2008-11-01
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采用PCTF技術(shù)降低微波/射頻器件成本
本文主要介紹了一種經(jīng)濟(jì)的射頻器件封裝技術(shù)——通鍍厚膜PCTF(Plated Copper on Thick Film)技術(shù)，該技術(shù)為無(wú)引腳SMT元件、模塊設(shè)計(jì)者提供了一個(gè)經(jīng)濟(jì)的封裝方案，對(duì)于中小批量生產(chǎn)尤其適用。PCTF具有技術(shù)電學(xué)性能穩(wěn)定、散熱效率高、耐高溫、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。
2008-11-01
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中芯國(guó)際推出0.11μm圖像傳感器制造技術(shù)
中國(guó)的中芯國(guó)際（SMIC）開(kāi)發(fā)出了生產(chǎn)0.11μm CMOS圖像傳感器的工藝技術(shù)。其0.11μm工藝技術(shù)的布線層所用金屬材料既可使用鋁（Al）也可使用銅（Cu）。該公司已開(kāi)始了0.11μm工藝技術(shù)的試生產(chǎn)，可采用200mm或300mm晶圓生產(chǎn)。
2008-10-30
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設(shè)計(jì)非隔離型反激LED驅(qū)動(dòng)器
反激型LED驅(qū)動(dòng)器比較通用，因?yàn)樵摻Y(jié)構(gòu)可以用于輸入電壓高于或低于所要求的輸出電壓。本文所描述的電路基于高度集成的MAX16802 PWM LED驅(qū)動(dòng)器IC，是一個(gè)驅(qū)動(dòng)高亮度LED的簡(jiǎn)單電路，只需很少的外圍元件，而且提供了線性和PWM亮度調(diào)節(jié)的功能。
2008-10-29
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iSuppli：09年太陽(yáng)能電池用硅材料將開(kāi)始降價(jià)
“2010年，太陽(yáng)能電池用硅材料的供求關(guān)系將緩解。在此之前，2009年現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格將大幅下降”。——美國(guó)iSuppli公司高級(jí)主管和總分析師（Senior Director and Principal Analyst）Henning Wicht在該公司主辦的研討會(huì)“iSuppli Japan Seminar 2008”上，對(duì)結(jié)晶硅太陽(yáng)能電池單元原料——多晶硅材料的供求關(guān)系情況作了如此預(yù)測(cè)。
2008-10-26
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CAN數(shù)據(jù)總線系統(tǒng)EMC的評(píng)價(jià)方法
CAN數(shù)據(jù)總線系統(tǒng)的EMC很大程度上取決于CAN網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)和線束的接口——集成收發(fā)器的性能。因此，評(píng)價(jià)CAN數(shù)據(jù)總線系統(tǒng)EMC的重點(diǎn)應(yīng)集中于集成收發(fā)器。本文主要通過(guò)評(píng)價(jià)收發(fā)器IC的EMC，有效地對(duì)CAN數(shù)據(jù)總線系統(tǒng)進(jìn)行預(yù)評(píng)價(jià)。該EMC評(píng)價(jià)方法適用于單線CAN、高速CAN和容錯(cuò)CAN系統(tǒng)，具有廣泛的應(yīng)用前景。
2008-10-25
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GSM手機(jī)電磁兼容設(shè)計(jì)
本文簡(jiǎn)要介紹了EMC（electric magnetic compatibility）的概念和設(shè)計(jì)技術(shù)，針對(duì) GSM手機(jī)的電路和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，提出了幾項(xiàng)在GSM手機(jī)中可以采用的EMC技術(shù)。
2008-10-25
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如何讓LED光源燈具符合EMC標(biāo)準(zhǔn)
本文針對(duì)目前市場(chǎng)上LED不符合EMC標(biāo)準(zhǔn)的問(wèn)題，提出了一種基于LinkSwitch-TN系列小型SO-8封裝電源IC的電子鎮(zhèn)流器，該方案符合標(biāo)準(zhǔn)燈殼空間限制要求以及EN55022A EMI標(biāo)準(zhǔn)。
2008-10-22
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電源中的負(fù)載管理與負(fù)載開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
本文針對(duì)便攜式電子產(chǎn)品延長(zhǎng)充電時(shí)間間隔的方法，提出采用現(xiàn)代的負(fù)載管理來(lái)最大限度省電。首先分析了電源管理IC和負(fù)載開(kāi)關(guān)IC組成負(fù)載管理，接著分析了電源管理IC及負(fù)載開(kāi)關(guān)組成的結(jié)構(gòu)，然后分析了新型負(fù)載開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)，最后簡(jiǎn)單地介紹幾種較典型的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
2008-10-16
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一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路
本文針對(duì)傳統(tǒng)欠壓鎖定電路靜態(tài)功耗較大，降低了電源的效率且增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性等不足之處，提出了一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并且通過(guò)HSPICE仿真對(duì)結(jié)果進(jìn)行了分析。
2008-10-16
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LED生產(chǎn)過(guò)程中的濕度控制
發(fā)光二極管產(chǎn)品一直以低消耗，高壽命，耐候性能好等優(yōu)勢(shì)逐步成為光電顯示領(lǐng)域?qū)檭海绕涫墙陙?lái)的固態(tài)照明領(lǐng)域，大功率發(fā)光二極管已經(jīng)越來(lái)越受到業(yè)界的青睞。 發(fā)光二極管產(chǎn)品分為：點(diǎn)陣數(shù)碼管、lamp、smd 、top view、side view、大功率等很多品種，但是這些品種都有一個(gè)共同點(diǎn)就是都是存在樹(shù)脂和支架的非氣密閉封裝結(jié)合。所以都屬于潮濕敏感性元件，而潮濕敏感性元件暴露在回流焊接期間升高的溫度環(huán)境下，陷于樹(shù)脂的表面貼裝元件(SMD, surface mount device)內(nèi)部的潮濕會(huì)產(chǎn)生足夠的蒸汽壓力損傷或毀壞元件。本文介紹LED生產(chǎn)過(guò)程中的濕度控制流程和方法等。
2008-10-16
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USB傳感器與存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)記錄中的應(yīng)用
本文在隨著最新一代智能USB Host控制器IC的推出形勢(shì)下，提出與MCU配合使用不僅可為PC應(yīng)用使用USB數(shù)據(jù)采集設(shè)備，而且還可將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在低成本高容量的閃存盤上這一觀點(diǎn)，并通過(guò)數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用實(shí)例來(lái)闡述這一觀點(diǎn)的應(yīng)用。
2008-10-15
- 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動(dòng)化產(chǎn)線注入核心部件
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