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安森美半導體ESD保護二極管榮獲《Electronic Products》2007“年度產品”獎

安森美半導體的ESD9L5.0S ESD保護二極管榮獲美國《Electronic Products》雜志頒發(fā)2007“年度產品”獎。產品評選包括技術上的重大進展、應用、設計創(chuàng)新或性價比有出色表現(xiàn)。

2008-08-04
P10L：Vishay Sfernice微型面板電位計

Vishay宣布推出具有長久使用壽命、溫度系數(shù)低至 ±150 ppm/°C 且具有 9.6mm 小型尺寸的新型低成本面板電位計。

2008-07-11
Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時超低的導通電阻。

2008-06-18
SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET

Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。

2008-05-28
TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容

Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內最低的1.5Ω ESR值。

2008-05-14
DG系列：Vishay八款高精度儀表應用模擬多路復用器與開關

日前，Vishay推出八款面向高精度儀表應用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復用器與開關。這些產品還是同類器件中首批除標準 TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。

2008-05-12
Vishay的電點火器芯片電阻器榮獲 EDN無源元器件和互聯(lián)欄目第18屆年度創(chuàng)新獎

Vishay日前宣布，在4月14日加利福尼亞州圣荷西舉辦的宴會和頒獎典禮上，其電點火器芯片電阻器（EPIC）榮獲無源元器件和互聯(lián)欄目的EDN創(chuàng)新獎。

2008-04-24
Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET

日前，為滿足對便攜式設備中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT芯片級封裝，具有超薄厚度及最低導通電阻。

2008-04-09
Si7192DP：Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，該器件具有破紀錄的導通電阻規(guī)格及導通電阻與柵極電荷乘積。

2008-03-26
NB3N3002/5573：安森美PureEdge高性能時鐘產生器

安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴展其PureEdge高性能時鐘產生產品系列，推出NB3N3002和NB3N5573這兩款新器件。

2007-12-13
PolySwitch BD280系列：Tyco Electronics汽車電路應用電路保護器件

泰科電子今天宣布針對汽車市場推出新系列的瑞侃PolySwitch電路保護器件。這種可插拔的PolySwitch保護器件可以用在載客汽車和重型卡車的線路中，實現(xiàn)自復過電流保護，它的端子寬度為2.8 mm，便于使用，可以用在12V的汽車系統(tǒng)中一一對應地取代小型熔斷器和II型雙金屬電路保護器件。

2007-12-10
南方芯源成為Philips全球MOSFET供應商

2007年5月1日，經過5輪審核及多次產品可靠性認證，Samwin正式成為Philips(Lighting Electronics)的全球MOSFET供應商。首批通過認證的產品有：SW P 2N60，SW P 4N60及SW P 7N60產品，用于Philips 原廠生產的螢光燈Ballast。

2007-05-07

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