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VBUS052CD-FAH/4CD-FHI：Vishay新型ESD保護(hù)陣列
日前，Vishay推出兩款具有低電容及漏電流的最新小型ESD 保護(hù)陣列--- 2 線路的 VBUS052CD-FAH 和 4 線路的 VBUS054CD-FHI，這些器件可保護(hù)高速數(shù)據(jù)線，以防止瞬態(tài)電壓信號(hào)。
2008-12-16
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SiB800EDK：Vishay新款超小MOSFET＋SBD器件
日前，Vishay宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強(qiáng)型 PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在 100 mA 時(shí)具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至 1.5V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)規(guī)定的額定導(dǎo)通電阻的 MOSFET 進(jìn)行了完美結(jié)合。
2008-12-15
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SiP4613A/B ：Vishay新型高端負(fù)載開(kāi)關(guān)器件
日前，Vishay推出一款新型有保護(hù)的高端負(fù)載開(kāi)關(guān)-- SiP4613A/B。隨著該型器件的面世，Vishay進(jìn)一步擴(kuò)充了其電流限制保護(hù)負(fù)載開(kāi)關(guān)系列。該器件可在 2.4V～5.5V 的電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行，并可處理 1A 的持續(xù)輸出電流。
2008-12-11
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EKX系列：Vishay最新高性能鋁電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布推出新系列徑向鋁電容器--- EKX系列器件，這些器件可實(shí)現(xiàn) +105°C 的高溫運(yùn)行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。
2008-12-08
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Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
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VSMF4720：Vishay新型SMD PLCC2封裝高功率紅外發(fā)射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出采用 PLCC2 封裝的新型 870nm SMD 紅外發(fā)射器，拓寬其光電子產(chǎn)品系列。該器件具有業(yè)界最低的正向電壓及最高的輻射強(qiáng)度。
2008-11-25
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VBUS053AZ-HAF：Vishay新型USB-OTG總線端口保護(hù)陣列
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布推出新型超薄 ESD 保護(hù)陣列，該器件具有低電容和漏電流，可保護(hù) USB-OTG 端口免受瞬態(tài)電壓信號(hào)損壞。新器件在工作電壓為 5.5V 時(shí)提供三線 USB ESD 保護(hù)，在工作電壓為 12V 時(shí)提供單線 VBUS 保護(hù)。
2008-11-20
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SiR440DP/SiR866DP/SiR890DP：Vishay新型第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出一款新型 20V n 通道器件，擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET功率MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時(shí)具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
2008-11-20
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ECL系列：Vishay最新高電容值高紋波電流SMD鋁電容器
日前，Vishay宣布推出新系列表面貼裝鋁電容器，這些器件可實(shí)現(xiàn) +105°C 的高溫運(yùn)行，具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。新型 ECL系列極化鋁電解電容器可在高密度 PCB 上實(shí)現(xiàn)表面貼裝，這些器件具有非故態(tài)、自修復(fù)的電解質(zhì)。為實(shí)現(xiàn)高溫運(yùn)行，其耐熱墊與模塑底板提供了更高的穩(wěn)定性與保護(hù)。
2008-11-05
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對(duì)于采用 PowerPAK SO-8 封裝類(lèi)型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
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電子元件：并購(gòu)整合有利于低成本規(guī)模擴(kuò)張
從近期行業(yè)最近動(dòng)態(tài)來(lái)看，并購(gòu)整合仍是業(yè)界的常態(tài)，較典型的有元件市場(chǎng)TDK與EPCOS二大巨頭合并、Vishay收購(gòu)Kemet電容器生產(chǎn)線。
2008-10-21
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TSOP2X/4X/58X/59X系列：Vishay 5V紅外接收器升級(jí)產(chǎn)品
Vishay目前宣布，采用新一代集成電路升級(jí)5V紅外接收器的性能，可將器件敏感度提高15%，并增強(qiáng)脈寬精度。
2008-10-01
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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