-
VLMW84:Vishay超薄SMD LED系列
日前,Vishay推出業(yè)界首個(gè)采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基于藍(lán)寶石 InGaN/TAG 技術(shù)的高強(qiáng)度白光功率 SMD LED 系列 --- VLMW84…。該系列器件可降低高容量應(yīng)用的成本,它們具有 25K/W 的低熱阻以及 5600mcd~14000mcd 的高光功率。
2008-12-22
-
Vishay提供計(jì)算IHLP電感開(kāi)關(guān)損失的在線工具
Vishay目前在其網(wǎng)站上提供了計(jì)算 IHLP? 電感器開(kāi)關(guān)損失的基于 Web 的免費(fèi)工具。這種易于使用的開(kāi)關(guān)損失計(jì)算器可針對(duì)各個(gè)單獨(dú)應(yīng)用進(jìn)行定制,從而使設(shè)計(jì)人員能夠選擇正確的部件以優(yōu)化板設(shè)計(jì),同時(shí)加速產(chǎn)品上市時(shí)間。該開(kāi)關(guān)損失計(jì)算器可用于降壓、升壓及降壓/升壓直流到直流轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
2008-12-18
-
IHLP-2020CZ-11:Vishay最新薄型、高電流電感器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布推出采用 2020 封裝尺寸的新型IHLP薄型、高電流電感器 --- IHLP-2020CZ-11。這款小型 IHLP-2020CZ-11 器件具有 3.0mm 的超薄厚度、寬泛的電感范圍及低 DCR。
2008-12-18
-
VBUS052CD-FAH/4CD-FHI:Vishay新型ESD保護(hù)陣列
日前,Vishay推出兩款具有低電容及漏電流的最新小型ESD 保護(hù)陣列--- 2 線路的 VBUS052CD-FAH 和 4 線路的 VBUS054CD-FHI,這些器件可保護(hù)高速數(shù)據(jù)線,以防止瞬態(tài)電壓信號(hào)。
2008-12-16
-
SiB800EDK:Vishay新款超小MOSFET+SBD器件
日前,Vishay宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET+肖特基二極管--- SiB800EDK,該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強(qiáng)型 PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出,意味著Vishay將其在 100 mA 時(shí)具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至 1.5V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)規(guī)定的額定導(dǎo)通電阻的 MOSFET 進(jìn)行了完美結(jié)合。
2008-12-15
-
SiP4613A/B :Vishay新型高端負(fù)載開(kāi)關(guān)器件
日前,Vishay推出一款新型有保護(hù)的高端負(fù)載開(kāi)關(guān)-- SiP4613A/B。隨著該型器件的面世,Vishay進(jìn)一步擴(kuò)充了其電流限制保護(hù)負(fù)載開(kāi)關(guān)系列。該器件可在 2.4V~5.5V 的電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行,并可處理 1A 的持續(xù)輸出電流。
2008-12-11
-
EKX系列:Vishay最新高性能鋁電容器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布推出新系列徑向鋁電容器--- EKX系列器件,這些器件可實(shí)現(xiàn) +105°C 的高溫運(yùn)行,且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。
2008-12-08
-
Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件,從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術(shù),利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%,從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
-
VSMF4720:Vishay新型SMD PLCC2封裝高功率紅外發(fā)射器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)推出采用 PLCC2 封裝的新型 870nm SMD 紅外發(fā)射器,拓寬其光電子產(chǎn)品系列。該器件具有業(yè)界最低的正向電壓及最高的輻射強(qiáng)度。
2008-11-25
-
VBUS053AZ-HAF:Vishay新型USB-OTG總線端口保護(hù)陣列
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布推出新型超薄 ESD 保護(hù)陣列,該器件具有低電容和漏電流,可保護(hù) USB-OTG 端口免受瞬態(tài)電壓信號(hào)損壞。新器件在工作電壓為 5.5V 時(shí)提供三線 USB ESD 保護(hù),在工作電壓為 12V 時(shí)提供單線 VBUS 保護(hù)。
2008-11-20
-
SiR440DP/SiR866DP/SiR890DP:Vishay新型第三代功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)推出一款新型 20V n 通道器件,擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET功率MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝,在 20V 額定電壓時(shí)具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
2008-11-20
-
ECL系列:Vishay最新高電容值高紋波電流SMD鋁電容器
日前,Vishay宣布推出新系列表面貼裝鋁電容器,這些器件可實(shí)現(xiàn) +105°C 的高溫運(yùn)行,具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。新型 ECL系列極化鋁電解電容器可在高密度 PCB 上實(shí)現(xiàn)表面貼裝,這些器件具有非故態(tài)、自修復(fù)的電解質(zhì)。為實(shí)現(xiàn)高溫運(yùn)行,其耐熱墊與模塑底板提供了更高的穩(wěn)定性與保護(hù)。
2008-11-05
- 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手!貿(mào)澤電子攜手ATI,為自動(dòng)化產(chǎn)線注入核心部件
- 瞄準(zhǔn)精準(zhǔn)醫(yī)療,Nordic新型芯片讓可穿戴醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì)更自由
- 信號(hào)切換全能手:Pickering 125系列提供了從直流到射頻的完整舌簧繼電器解決方案
- 射頻供電新突破:Flex發(fā)布兩款高效DC/DC轉(zhuǎn)換器,專攻微波與通信應(yīng)用
- 電源架構(gòu)革新:多通道PMIC并聯(lián)實(shí)現(xiàn)大電流輸出的設(shè)計(jì)秘籍
- 以 XCORE? 技術(shù)為核心,XMOS 亮相 CES 2026
- 有機(jī)基板 + 精簡(jiǎn)引腳,SPHBM4 的雙重技術(shù)突破
- 減重 35%、減排 80% 艾邁斯歐司朗聯(lián)合奧德堡推出零成本環(huán)保卷盤方案
- 極端環(huán)境救星:AMD EPYC 2005 系列處理器解析
- 第一部分:化繁為簡(jiǎn)!BMS秉承簡(jiǎn)單制勝原則兼顧效率與成本
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall




