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WSLT2010…18:Vishay推出2010封裝尺寸電流感測電阻
Vishay日前推出新型高溫 1-W 表面貼裝 Power Metal Strip 電阻,該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在 –65°C 到 +275°C 溫度范圍內(nèi)工作的 2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍(10-m 到 500-m)、較低的誤差(低至 ±0.5%)和低 TCR 值(低至 ±75 ppm/°C)。
2009-02-04
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為大功率和混合動力汽車優(yōu)化的Vishay負載突降保護器件
現(xiàn)在汽車上的電子設(shè)備越來越多,所有連接在供電線路上的電子系統(tǒng)的保護器件不可能平均分擔(dān)瞬態(tài)能量。瞬態(tài)能量對連接的那些最低阻抗的保護器件的影響尤為嚴重。因此,在汽車電子設(shè)計中,一個保護器件要能夠安全地承受負載突降狀態(tài)瞬變的全部能量。本文介紹了負載突降的概念和該如何去應(yīng)對該種情況以及Vishay應(yīng)對該問題的策略和相關(guān)電路保護器件。
2009-01-25
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TSOP75xxx :Vishay最佳敏感度/尺寸比SMD紅外接收器系列
日前,Vishay宣布推出用于遙控系統(tǒng)的新型超小型表面貼裝(SMD)紅外接收器系列 --- TSOP75xxx,從而拓寬了其光電子產(chǎn)品系列。TSOP75xxx 系列器件具有 0.15 mW/sqm 的典型輻照度、在 3.3 V 時 0.35 mA 的超低電流、側(cè)視型的厚度僅為 3.0 mm及業(yè)界最佳敏感度/尺寸比。
2009-01-23
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Si8422DB :Vishay采用MICRO FOOT封裝的MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH) 宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT芯片級封裝的 TrenchFET功率 MOSFET --- Si8422DB,該器件具有背面絕緣的特點。
2009-01-21
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TSOP5038:Vishay傳感器和光障系統(tǒng)應(yīng)用紅外接收器
日前,Vishay推出為傳感器和光障系統(tǒng)應(yīng)用優(yōu)化的小型 SMD 接收器 --- TSOP5038,拓寬了其光電產(chǎn)品系列。
2009-01-19
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VSLB3940:Vishay新型高性能3mm紅外發(fā)射器
日前,Vishay宣布推出 3mm (T1) 紅外發(fā)射器 --- VSLB3940,拓展了其光電產(chǎn)品系列,且這些新器件的性能特征與領(lǐng)先的 5mm 發(fā)射器相當。
2009-01-16
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WSLT2010xxx18:Vishay寬廣工作溫度電流感測電阻
Vishay日前推出新型高溫1-W 表面貼裝 Power Metal Strip電阻,該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在–65°C 到+275°C 溫度范圍內(nèi)工作的2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍(10-m? 到 500-m?)、較低的誤差(低至 ±0.5%)和低 TCR 值(低至 ±75 ppm/°C)。
2009-01-15
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VSMB系列:威世發(fā)光波長940nm的紅外LED
日前,Vishay推出 940nm 表面貼裝紅外(IR)發(fā)射器系列,從而拓展了其光電子產(chǎn)品系列,這些新推出的器件具有遠高于標準發(fā)射器技術(shù)的輻射強度。
2009-01-14
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SiA850DJ :Vishay集成190V功率二極管的MOSFET
日前,Vishay宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ,該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK SC-70 封裝的 SiA850DJ 還是在 1.8V VGS 時具有導(dǎo)通電阻額定值的業(yè)界首款此類器件。
2009-01-09
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IHLP-2020BZ-11:Vishay超薄大電流電感器
近日,Vishay宣布推出新型IHLP 超薄大電流電感器 --- IHLP-2020BZ-11 。這款小型器件具有 2.0mm 超薄厚度、廣泛的電感范圍和較低的 DCR 。
2009-01-08
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表面貼裝功率MOSFET封裝的演進
硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離,為了實現(xiàn)更小的占板面積、更好的散熱性能、更高的效率,表面貼裝封裝工藝在不斷進步。Vishay Si l iconixPolarPAK具有在MOSFET封裝上下表面進行冷卻的封裝能力。尺寸類似于標準SO-8封裝,卻有兩個熱路徑,如果采用來自風(fēng)扇的氣流或附加的散熱器,PolarPAK功率MOSFET就可以處理高得多的電流。
2009-01-05
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Si7633DP/135DP:Vishay最新低導(dǎo)通電阻MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝,具有 ±20V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2008-12-24
- 強強聯(lián)手!貿(mào)澤電子攜手ATI,為自動化產(chǎn)線注入核心部件
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