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關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時間的精確測量方法
在某些對器件時間特性要求較高的工程應(yīng)用中，需要更精確地確定IGBT的導(dǎo)通延遲時間。因而高精度的測量時間間隔是測量領(lǐng)域一直關(guān)注的問題。本文從精簡結(jié)構(gòu)，同時兼顧精度的角度出發(fā)，提出一種基于時間測量芯片TDC-GP2來精確測量IGBT導(dǎo)通延遲時間系統(tǒng)，用于測量IGBT的導(dǎo)通延遲時間，實現(xiàn)簡單且成本低的一種較為理想的測量方案。
2011-09-06
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單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路
為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時產(chǎn)生瞬時集電極電流，設(shè)計人員一般會設(shè)計柵特性是需要負偏置柵驅(qū)動的IGBT。然而提供負偏置增加了電路的復(fù)雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動器，因為這些IC是專為接地操作而設(shè)計──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開發(fā)出來了。器件與負偏置柵驅(qū)動IGBT進行性能表現(xiàn)的比較測試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測試結(jié)果。
2011-08-29
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新型節(jié)能設(shè)計技術(shù)研討會圓滿舉辦 打造西部電子高能效設(shè)計技術(shù)盛會
由CNT Networks、中國電子展組委會和China Outlook Consulting聯(lián)合在成都和西安兩地成功舉辦了第七/八屆新型節(jié)能設(shè)計技術(shù)研討會成功舉辦。本屆研討會成都站活動于8月23日將在成都明悅大酒店舉辦；8月25日移師西安曲江國際會展中心，與中國（西安）電子展同期舉行。來自威世、凌力爾特、基美電子、英飛凌、羅姆、品佳電子的技術(shù)專家全面介紹了包括超快恢復(fù)二極管、薄膜電容、鋁電容、、鉭電容、聚合物電容、MOSFET、IGBT、SiC器件在內(nèi)的電子元器件在太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、新能源汽車、工業(yè)與通訊等領(lǐng)域中的應(yīng)用
2011-08-27
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綠色能源計劃推動中國IGBT市場增長
據(jù)IHS iSuppli公司中國研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴格的能源政策，2011-2015年中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場銷售額的復(fù)合年度增長率將達13%...
2011-08-15
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IGBT構(gòu)成的交流傳動逆變器的設(shè)計
隨著半導(dǎo)體器件的發(fā)展，IGBT越來越多的被應(yīng)用到交流傳動技術(shù)中。本文主要分析了IGBT構(gòu)成的交流傳動逆變器的主電路原理、逆變電路結(jié)構(gòu)及緩沖保護電路結(jié)構(gòu)，并對主電路的安裝布局以及電壓電流參數(shù)的選取做出了說明，同時提出了一種由M57959構(gòu)成的IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計。
2011-08-04
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進展
從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效，可以使美國的經(jīng)濟規(guī)模擴大70%以上，與此同時，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長足的進展。
2011-07-27
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大功率弧焊逆變電源的IGBT保護技術(shù)
本文通過分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機的控制程序?qū)『改孀冸娫吹?span id="r77zjfl" class='red'>IGBT采取相應(yīng)措施進行保護，從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2011-07-15
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新應(yīng)用帶動IGBT革新
前些年消費電子和工業(yè)控制是推動IGBT市場快速發(fā)展的兩架馬車，中小功率IGBT大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應(yīng)用的“提攜”下，大功率IGBT迎來了新的春天，而這些應(yīng)用帶來新的課題，與之相應(yīng)的是革新的永不止步。
2011-07-11
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Diodes推出減少 IGBT 開關(guān)損耗的40V 閘極驅(qū)動器
Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器（gate driver） ，有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。
2011-07-08
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IGBT及其子器件的四種失效模式
本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。
2011-07-07
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IGBT的四大保護措施
在中大功率的開關(guān)電源裝置中，IGBT由于其控制驅(qū)動電路簡單、工作頻率較高、容量較大的特點。本文通過對IGBT損壞機理的分析，根據(jù)其損壞的原因，提供柵極保護、過壓、過流、過熱四大有效的保護措施，以保證IGBT安全可靠工作。
2011-07-07
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影響IGBT驅(qū)動電路性能參數(shù)的因素分析
在硬開關(guān)橋式電路中，功率器件IGBT能否正確可靠地使用起著至關(guān)重要的作用。驅(qū)動電路就是將控制電路輸出的PWM信號進行功率放大，以滿足驅(qū)動IGBT的要求，所以，驅(qū)動電路設(shè)計的是否合理直接關(guān)系到IGBT的安全、可靠使用。為了確保驅(qū)動電路設(shè)計的合理性，使用時必須分析驅(qū)動電路中的參數(shù)。
2011-06-29
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