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IR 推出可靠的超高 1200 V IGBT 以降低開關(guān)及傳導(dǎo)損耗
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源（UPS）太陽能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2011-09-07
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關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的精確測(cè)量方法
在某些對(duì)器件時(shí)間特性要求較高的工程應(yīng)用中，需要更精確地確定IGBT的導(dǎo)通延遲時(shí)間。因而高精度的測(cè)量時(shí)間間隔是測(cè)量領(lǐng)域一直關(guān)注的問題。本文從精簡(jiǎn)結(jié)構(gòu)，同時(shí)兼顧精度的角度出發(fā)，提出一種基于時(shí)間測(cè)量芯片TDC-GP2來精確測(cè)量IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間系統(tǒng)，用于測(cè)量IGBT的導(dǎo)通延遲時(shí)間，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單且成本低的一種較為理想的測(cè)量方案。
2011-09-06
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單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路
為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流，設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)檫@些IC是專為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動(dòng)器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開發(fā)出來了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測(cè)試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測(cè)試結(jié)果。
2011-08-29
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新型節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會(huì)圓滿舉辦 打造西部電子高能效設(shè)計(jì)技術(shù)盛會(huì)
由CNT Networks、中國(guó)電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting聯(lián)合在成都和西安兩地成功舉辦了第七/八屆新型節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會(huì)成功舉辦。本屆研討會(huì)成都站活動(dòng)于8月23日將在成都明悅大酒店舉辦；8月25日移師西安曲江國(guó)際會(huì)展中心，與中國(guó)（西安）電子展同期舉行。來自威世、凌力爾特、基美電子、英飛凌、羅姆、品佳電子的技術(shù)專家全面介紹了包括超快恢復(fù)二極管、薄膜電容、鋁電容、、鉭電容、聚合物電容、MOSFET、IGBT、SiC器件在內(nèi)的電子元器件在太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、新能源汽車、工業(yè)與通訊等領(lǐng)域中的應(yīng)用
2011-08-27
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綠色能源計(jì)劃推動(dòng)中國(guó)IGBT市場(chǎng)增長(zhǎng)
據(jù)IHS iSuppli公司中國(guó)研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報(bào)告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴(yán)格的能源政策，2011-2015年中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)銷售額的復(fù)合年度增長(zhǎng)率將達(dá)13%...
2011-08-15
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IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)
隨著半導(dǎo)體器件的發(fā)展，IGBT越來越多的被應(yīng)用到交流傳動(dòng)技術(shù)中。本文主要分析了IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的主電路原理、逆變電路結(jié)構(gòu)及緩沖保護(hù)電路結(jié)構(gòu)，并對(duì)主電路的安裝布局以及電壓電流參數(shù)的選取做出了說明，同時(shí)提出了一種由M57959構(gòu)成的IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。
2011-08-04
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效，可以使美國(guó)的經(jīng)濟(jì)規(guī)模擴(kuò)大70%以上，與此同時(shí)，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展。
2011-07-27
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大功率弧焊逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù)
本文通過分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實(shí)際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹?span id="drz5fzr" class='red'>IGBT采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù)，從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2011-07-15
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新應(yīng)用帶動(dòng)IGBT革新
前些年消費(fèi)電子和工業(yè)控制是推動(dòng)IGBT市場(chǎng)快速發(fā)展的兩架馬車，中小功率IGBT大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應(yīng)用的“提攜”下，大功率IGBT迎來了新的春天，而這些應(yīng)用帶來新的課題，與之相應(yīng)的是革新的永不止步。
2011-07-11
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Diodes推出減少 IGBT 開關(guān)損耗的40V 閘極驅(qū)動(dòng)器
Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計(jì)的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動(dòng)器（gate driver） ，有助于提高太陽能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。
2011-07-08
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IGBT及其子器件的四種失效模式
本文通過案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。
2011-07-07
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IGBT的四大保護(hù)措施
在中大功率的開關(guān)電源裝置中，IGBT由于其控制驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、工作頻率較高、容量較大的特點(diǎn)。本文通過對(duì)IGBT損壞機(jī)理的分析，根據(jù)其損壞的原因，提供柵極保護(hù)、過壓、過流、過熱四大有效的保護(hù)措施，以保證IGBT安全可靠工作。
2011-07-07
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