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SiZ700DT: Vishay單封裝雙不對(duì)稱功率MOSFET器件
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出在一個(gè)封裝內(nèi)集成一對(duì)不對(duì)稱功率MOSFET系列的首款產(chǎn)品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉(zhuǎn)換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間
2009-06-29
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Vishay依托技術(shù)優(yōu)勢(shì)，大力推動(dòng)綠色環(huán)保產(chǎn)業(yè)發(fā)展
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，替代能源虛擬貿(mào)易展(Alternative Energy Virtual Trade Show)在公司網(wǎng)站正式上線。
2009-06-19
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1242 QPL系列：Vishay推出新的微調(diào)電位器
Vishay推出1242 QPL系列微調(diào)電位器，它具有低至±10ppm/℃的端到端TCR，在滑動(dòng)端上的TCR為±25ppm/℃，負(fù)載壽命穩(wěn)定率為0.1%，可設(shè)定值小于0.05%；1/4平方英寸、RJ26型的器件滿足并超出MIL-PRF-22097標(biāo)準(zhǔn)F章的要求。用于航空、軍工和航天。
2009-06-08
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ACAS 0606 AT：Vishay新推出精密薄膜電阻陣列
Vishay Intertechnology, Inc.推出新款A(yù)CAS 0606 AT，擴(kuò)大了ACAS AT系列精密薄膜電阻陣列的可用功率等級(jí)
2009-06-03
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Accutrim系列：Vishay新型超高精度微調(diào)電位器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用Bulk Metal?箔技術(shù)的超高精度Accutrim?系列微調(diào)電位器 --- 1240和1260系列，達(dá)到并超出了MIL-PRF-39035標(biāo)準(zhǔn)H章的要求。
2009-06-01
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Sfernice LPS系列：Vishay新型超小尺寸高性能厚膜功率電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出小尺寸、寬阻值范圍的新型300W、600W和800W厚膜功率電阻 --- Vishay Sfernice LPS300、LPS600和LPS800
2009-05-31
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Vishay推出通過嚴(yán)格軍標(biāo)認(rèn)證的新型Bulk Metal箔電阻及其代替器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，已將其QPL RNC90Y系列高可靠Bulk Metal?箔電阻的容差減小到±0.005%。如果設(shè)計(jì)者需要的電阻阻值比QPL規(guī)定的范圍更高或更低，但是要求具有同樣的性能，也可采用非QPL版的S555器件。
2009-05-25
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VLMW711U2U3XV：Vishay新型SMD功率封裝1W白光LED
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為其Little Star?系列LED增添了一個(gè)新成員－通過汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的1W白光LED --- Little Star VLMW711U2U3XV
2009-05-22
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1202系列：Vishay超高精度AccutrimTM微調(diào)電位器
Vishay宣布，推出采用Bulk Metal?箔工藝的超高精度Accutrim?系列微調(diào)電位器 --- 1202系列，該系列器件采用1?英寸的直線RJ12型定型長度，達(dá)到并超出了MIL-PRF-22097標(biāo)準(zhǔn)F章的要求。對(duì)于精確的調(diào)校，該器件在-55℃～+150℃、+25℃參考溫度下提供了±10ppm/℃的端到端TCR，在整個(gè)滑動(dòng)臂上的TCR為±25ppm/℃，在滿載額定功率、+85℃溫度下工作2000小時(shí)后的典型負(fù)載壽命穩(wěn)定率為0.1%，典型設(shè)置精度小于0.05%。
2009-05-20
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Vishay推出厚度僅為0.6mm的LC EMI/ESD濾波器陣列
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款LC EMI/ESD濾波器陣列，包括四通道的VEMI45LA-HNH和八通道的VEMI85LA-HGK，在超級(jí)緊湊的LLP1713和LLP3313無引線封裝內(nèi)提供了小于1db的輸入損耗。
2009-05-15
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Si7615DN：Vishay 新型第三代20V P通道功率MOSFET
Vishay Siliconix發(fā)布具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻的新型第三代20V P通道TrenchFET?功率MOSFET
2009-05-14
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Vishay發(fā)布三款經(jīng)CECC認(rèn)證的新型高精度Bulk Metal箔電阻
賓夕法尼亞、MALVERN — 2009 年 4 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出三款面向航空、國防和航天(AMS)應(yīng)用的通過CECC認(rèn)證的新型高精度Bulk Metal?箔電阻 --- RS92N、RS92NA和AN。在-55℃～+155℃、+20℃參考溫度條件下，器件的典型TCR只有±2ppm/℃，容差為±0.01%，在70℃溫度下工作2000小時(shí)后的負(fù)載壽命穩(wěn)定率為±0.005%(50ppm)。
2009-05-02
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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