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IGBT產(chǎn)品市場(chǎng)現(xiàn)狀分析
雖然長(zhǎng)期來看，IGBT的增長(zhǎng)前景很樂觀，是一個(gè)值得期待的市場(chǎng)，可是到目前為止IGBT的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)為大多數(shù)歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控，本土廠商想要打破國(guó)外企業(yè)對(duì)國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)壟斷，還需要很多努力。
2013-01-06
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從過流、過壓、過熱三方面講述IGBT保護(hù)電路如何設(shè)計(jì)
本文從過流保護(hù)、過壓保護(hù)與過熱保護(hù)三個(gè)方面，論述了IGBT的相關(guān)問題，并從實(shí)際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護(hù)方法，這些方法實(shí)用性強(qiáng)，保護(hù)效果好，是IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必備知識(shí)。
2013-01-05
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能實(shí)現(xiàn)調(diào)頻調(diào)幅輸出的串聯(lián)諧振式電源
本文介紹了用正弦脈寬調(diào)制（SPWM）技術(shù)實(shí)現(xiàn)調(diào)頻調(diào)幅輸出的串聯(lián)諧振式電源的工作原理。該電源采用了IGBT模塊構(gòu)成的半橋逆變電路，它具有IGBT驅(qū)動(dòng)、過壓、過流、過熱保護(hù)及故障鎖定功能。
2012-12-13
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大功率開關(guān)電源IGBT短路保護(hù)的三種設(shè)計(jì)方法
開關(guān)電源同其它電子裝置一樣，短路是最嚴(yán)重的故障，短路保護(hù)是否可靠，是影響開關(guān)電源可靠性的重要因素。而大功率的開關(guān)電源大多都是用的IGBT這種電力電子開關(guān)元器件，要防止整個(gè)開關(guān)電源的的短路，那就要在IGBT短路保護(hù)安全的情況下保證開關(guān)電源的正常運(yùn)作。
2012-12-02
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1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)，提供適合工業(yè)應(yīng)用的基準(zhǔn)效率
IR 推出第八代 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)，新技術(shù)針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供更好的軟關(guān)斷功能，有助于把dv/dt降到最低，從而減少電磁干擾、抑制過壓，提供適合工業(yè)應(yīng)用的基準(zhǔn)效率和耐用性。
2012-11-20
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安森美推出系列的高性能工業(yè)應(yīng)用IC新產(chǎn)品
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能工業(yè)IC的廣泛產(chǎn)品陣容，先進(jìn)全新的VLDO、GFI控制器、KNX收發(fā)器及IGBT方案彰顯公司的產(chǎn)品陣容實(shí)力和深度。高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體持續(xù)推動(dòng)高性能工業(yè)集成電路(IC)方案的電源管理。最新器件提供高度強(qiáng)固性，應(yīng)用于寬工作溫度范圍，性能突出，同時(shí)以極低能耗工作。
2012-11-16
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利用DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)設(shè)計(jì)大功率直流電源
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，很多場(chǎng)合需要大功率大電流的直流電源。本文基于IGBT器件，利用DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)設(shè)計(jì)大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快速控制直流電源。對(duì)該電源裝置進(jìn)行了仿真和實(shí)驗(yàn)，獲得了較為滿意的動(dòng)靜態(tài)性能。
2012-11-12
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9款高能效溝槽型場(chǎng)截止IGBT
安森美擴(kuò)充高性能溝槽型場(chǎng)截止IGBT陣容，推出9款新的高能效方案。這些新器件提升系統(tǒng)總體開關(guān)能效，降低功率耗散，且提升系統(tǒng)可靠性，能為工程師在應(yīng)用其電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)提供更豐富的選擇。
2012-11-11
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安森美半導(dǎo)體新增九種高性能溝槽型場(chǎng)截止IGBT
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場(chǎng)截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案，提升系統(tǒng)總體開關(guān)能效，降低功率耗散，且提升系統(tǒng)可靠性，這些產(chǎn)品中包含專門針對(duì)太陽能及不間斷電源(UPS)應(yīng)用高性能電源轉(zhuǎn)換的器件。
2012-10-25
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英飛凌擴(kuò)展第三代逆導(dǎo)IGBT產(chǎn)品組合
英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其第三代逆導(dǎo) （RC） 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 （IGBT） 產(chǎn)品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產(chǎn)品，以因應(yīng)市場(chǎng)對(duì)高可靠性的持續(xù)需求。
2012-10-25
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用IGBT實(shí)現(xiàn)高壓大功率變頻器
目前，高壓大功率變頻器是一個(gè)十分重要的應(yīng)用領(lǐng)域。而基于IGBT的變頻器其功率等級(jí)最大多在5000kw左右，功率在10000kw及以上的高壓變頻器用IGBT就難以實(shí)現(xiàn)。目前，ABB等國(guó)際大公司均推出了基于IGBT的三電平變頻器。但在高壓大功率應(yīng)用條件下，三電平技術(shù)的可靠性在國(guó)內(nèi)還有待于提高。此外，高壓大功率變頻器的性能試驗(yàn)也是一個(gè)難題。
2012-10-25
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具有2.5A輸出電流的智能IGBT光電耦合驅(qū)動(dòng)器
飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了一款先進(jìn)的具有2.5A輸出電流能力的智能IGBT光電耦合驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品，此器件具有一個(gè)集成式的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器，其備有低RDS(ON) CMOS晶體管，能助力實(shí)現(xiàn)IGBT的軌至軌驅(qū)動(dòng)，適用于驅(qū)動(dòng)功率IGBT和MOSFET的快速開關(guān)。
2012-10-22
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