-
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-06
-
在逆變器應(yīng)用中提供更高能效，這款IGBT模塊了解一下
制造商和消費(fèi)者都在試圖擺脫對(duì)化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對(duì)于保護(hù)環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢(shì)具有重要意義。電動(dòng)汽車(EV)在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場(chǎng)，試圖將商用和農(nóng)業(yè)車輛(CAV)改造成由電力驅(qū)動(dòng)。
2024-11-27
-
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-25
-
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-23
-
功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-12
-
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-11
-
車載充電器材料選擇比較：碳化硅與IGBT
車載充電器 (OBC) 解決了電動(dòng)汽車 (EV) 的一個(gè)重要問題。它們將來自電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電池充電的直流電，從而實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車充電。隨著每年上市的電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)、架構(gòu)和尺寸越來越豐富，車載充電器的實(shí)施也變得越來越復(fù)雜。
2024-11-11
-
采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK?為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案
鑒于迫切的環(huán)境需求，我們必須確保清潔能源基礎(chǔ)設(shè)施的啟用，以減少碳排放對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響。在這一至關(guān)重要的舉措中，風(fēng)力發(fā)電技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色，并已處于領(lǐng)先地位。在過去的20年中，風(fēng)力渦輪機(jī)的尺寸已擴(kuò)大三倍，其發(fā)電功率大幅提升，不久后將突破15MW的大關(guān)。因此，先進(jìn)風(fēng)能變流器的需求在不斷增長(zhǎng)。這些變流器在惡劣境條件下工作，需要高度的可靠性和堅(jiān)固性，以確保較長(zhǎng)的使用壽命。為了在限制機(jī)柜內(nèi)元件數(shù)量的情況下最大化功率輸出，我們需要采用高功率密度設(shè)計(jì)。鑒于需求的持續(xù)增長(zhǎng)，我們的大規(guī)模生產(chǎn)能力顯得尤為關(guān)鍵通過對(duì)現(xiàn)有逆變器設(shè)計(jì)的升級(jí)，不僅能夠降低風(fēng)險(xiǎn)，還能縮短開發(fā)時(shí)間，最終達(dá)到優(yōu)化設(shè)計(jì)和開發(fā)流程的目的。
2024-10-27
-
用Python自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試
電力電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動(dòng)設(shè)備和其他消費(fèi)設(shè)備的快速充電器。本文主要說明的是寬禁帶FET的測(cè)試，但雙脈沖測(cè)試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。
2024-10-23
-
IGBT 脈沖測(cè)量方法的優(yōu)點(diǎn)?正確選擇脈沖測(cè)量
采用快速 IGBT 開關(guān)的脈沖測(cè)量方法應(yīng)用范圍非常廣泛。它適用于幾乎所有類型的電感功率元件，從小型 SMD 電感器到重達(dá)幾噸的 MVA 范圍的功率扼流圈。
2024-10-12
-
高壓柵極驅(qū)動(dòng)器的功率耗散和散熱分析，一文get√
高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的高邊和低邊柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，驅(qū)動(dòng)高壓、高速M(fèi)OSFET 而設(shè)計(jì)。
2024-10-08
-
更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結(jié)構(gòu)，并通過可以控制載流子的等離子體層（CPL）結(jié)構(gòu)減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情況下，SDA結(jié)構(gòu)可將Eon降低約60%，通過大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過采用這些技術(shù)并擴(kuò)大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機(jī)LV100封裝中實(shí)現(xiàn)了1800A的額定電流，是傳統(tǒng)1200V IGBT功率模塊的1.5倍。
2024-09-25
- 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動(dòng)化產(chǎn)線注入核心部件
- 瞄準(zhǔn)精準(zhǔn)醫(yī)療，Nordic新型芯片讓可穿戴醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì)更自由
- 信號(hào)切換全能手：Pickering 125系列提供了從直流到射頻的完整舌簧繼電器解決方案
- 射頻供電新突破：Flex發(fā)布兩款高效DC/DC轉(zhuǎn)換器，專攻微波與通信應(yīng)用
- 電源架構(gòu)革新：多通道PMIC并聯(lián)實(shí)現(xiàn)大電流輸出的設(shè)計(jì)秘籍
- 以 XCORE? 技術(shù)為核心，XMOS 亮相 CES 2026
- 有機(jī)基板 + 精簡(jiǎn)引腳，SPHBM4 的雙重技術(shù)突破
- 減重 35%、減排 80% 艾邁斯歐司朗聯(lián)合奧德堡推出零成本環(huán)保卷盤方案
- 極端環(huán)境救星：AMD EPYC 2005 系列處理器解析
- 第一部分：化繁為簡(jiǎn)！BMS秉承簡(jiǎn)單制勝原則兼顧效率與成本
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
