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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-25
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-23
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功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-12
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-11
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車載充電器材料選擇比較：碳化硅與IGBT
車載充電器 (OBC) 解決了電動汽車 (EV) 的一個重要問題。它們將來自電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電池充電的直流電，從而實現(xiàn)電動汽車充電。隨著每年上市的電動汽車設(shè)計、架構(gòu)和尺寸越來越豐富，車載充電器的實施也變得越來越復(fù)雜。
2024-11-11
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采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK?為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案
鑒于迫切的環(huán)境需求，我們必須確保清潔能源基礎(chǔ)設(shè)施的啟用，以減少碳排放對環(huán)境的負(fù)面影響。在這一至關(guān)重要的舉措中，風(fēng)力發(fā)電技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色，并已處于領(lǐng)先地位。在過去的20年中，風(fēng)力渦輪機的尺寸已擴大三倍，其發(fā)電功率大幅提升，不久后將突破15MW的大關(guān)。因此，先進風(fēng)能變流器的需求在不斷增長。這些變流器在惡劣境條件下工作，需要高度的可靠性和堅固性，以確保較長的使用壽命。為了在限制機柜內(nèi)元件數(shù)量的情況下最大化功率輸出，我們需要采用高功率密度設(shè)計。鑒于需求的持續(xù)增長，我們的大規(guī)模生產(chǎn)能力顯得尤為關(guān)鍵通過對現(xiàn)有逆變器設(shè)計的升級，不僅能夠降低風(fēng)險，還能縮短開發(fā)時間，最終達(dá)到優(yōu)化設(shè)計和開發(fā)流程的目的。
2024-10-27
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用Python自動化雙脈沖測試
電力電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動汽車動力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設(shè)備和其他消費設(shè)備的快速充電器。本文主要說明的是寬禁帶FET的測試，但雙脈沖測試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。
2024-10-23
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IGBT 脈沖測量方法的優(yōu)點?正確選擇脈沖測量
采用快速 IGBT 開關(guān)的脈沖測量方法應(yīng)用范圍非常廣泛。它適用于幾乎所有類型的電感功率元件，從小型 SMD 電感器到重達(dá)幾噸的 MVA 范圍的功率扼流圈。
2024-10-12
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高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析，一文get√
高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路，驅(qū)動高壓、高速MOSFET 而設(shè)計。
2024-10-08
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更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結(jié)構(gòu)，并通過可以控制載流子的等離子體層（CPL）結(jié)構(gòu)減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情況下，SDA結(jié)構(gòu)可將Eon降低約60%，通過大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過采用這些技術(shù)并擴大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現(xiàn)了1800A的額定電流，是傳統(tǒng)1200V IGBT功率模塊的1.5倍。
2024-09-25
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IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現(xiàn)高性價比電驅(qū)
近幾年新能源車發(fā)展迅猛，技術(shù)創(chuàng)新突飛猛進。如何設(shè)計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當(dāng)?shù)钠胶狻?/p>
2024-09-25
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什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會進入退飽和狀態(tài)？
這要從IGBT的平面結(jié)構(gòu)說起。IGBT和MOSFET有類似的器件結(jié)構(gòu)，MOS中的漏極D相當(dāng)于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當(dāng)于IGBT的發(fā)射極E，二者都會發(fā)生退飽和現(xiàn)象。下圖所示是一個簡化平面型IGBT剖面圖，以此來闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會出現(xiàn)強反型層，形成導(dǎo)電溝道。
2024-08-30
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