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IHLP-2020CZ-11：Vishay最新薄型、高電流電感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出采用 2020 封裝尺寸的新型IHLP薄型、高電流電感器 --- IHLP-2020CZ-11。這款小型 IHLP-2020CZ-11 器件具有 3.0mm 的超薄厚度、寬泛的電感范圍及低 DCR。
2008-12-18
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Zinc Air Prismatic：勁量最新推出高性能電池
近日，電池廠商Energizer(勁量)宣布將在明年的International CES上發(fā)布一款高能量電池- Zinc Air Prismatic.這種電池主要用于移動數(shù)碼娛樂設(shè)備，并可以由廠商自主定義電池尺寸以減小設(shè)備體積，能量方面，Zinc Air Prismatic的能量密度是相同大小常規(guī)堿性或鋰離子電池的3倍，可以說是電池行業(yè)的一次進(jìn)步。
2008-12-17
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Tronics成立子公司TronicsMEMS 就近服務(wù)美國市場
據(jù)EE Times網(wǎng)站報(bào)道，法國MEMS元器件供應(yīng)商Tronics Microsystems SA日前宣布在美國德州Richardson成立了子公司Tronics MEMS，為美國MEMS客戶提供原型器件、認(rèn)證及量產(chǎn)服務(wù)。
2008-12-17
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惠普等開發(fā)出柔性電子紙
美國惠普和美國亞利桑那大學(xué)（Arizona State University，亞歷桑那州立大學(xué)）正式宣布，開發(fā)出了掉在地上也不會損壞的柔性電子紙。該電子紙為有源矩陣型，不過沒有公開尺寸和分辨率等。
2008-12-16
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英特爾開發(fā)出突破性硅基APD
英特爾(Intel)周日宣布，他們在通往光計(jì)算機(jī)的道路上又邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。Intel在最新一期自然雜志上發(fā)表的文章宣稱，公司已經(jīng)使用硅材料創(chuàng)造了雪崩光電二極管（APD）的性能世界紀(jì)錄，頻率高達(dá)340GHz。
2008-12-11
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NEC東金將開始量產(chǎn)透磁率為100的無鹵防噪音薄膜
NEC東金開發(fā)出提高了噪音抑制效果的無鹵防噪音薄膜“Busteraid EFX”，將于2008年12月開始量產(chǎn)。該薄膜為將其貼于噪音源頭及傳播路徑處即可抑制噪音的薄膜狀部件，共備有厚度在50μm～1mm之間的6種產(chǎn)品。具有產(chǎn)生的反射波等副作用小、信號波形幾乎不變等優(yōu)點(diǎn)。面向手機(jī)、筆記本電腦以及數(shù)碼相機(jī)等電子產(chǎn)品。
2008-12-10
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混亂的FPD市場促進(jìn)企業(yè)推陳出新
“2008年第二季度各公司紛紛增產(chǎn)大尺寸液晶面板，結(jié)果導(dǎo)致第四季度不得不大幅減產(chǎn)。09年仍將持續(xù)這一狀況，面板供應(yīng)鏈的情況正在發(fā)生巨大變化。在這種混亂的狀況下，通過變更生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)推陳出新的企業(yè)才能夠生存”。日本Techno System Research的林秀介在該公司主辦的“第三屆TSR研討會”上如是說。
2008-12-09
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EKX系列：Vishay最新高性能鋁電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新系列徑向鋁電容器--- EKX系列器件，這些器件可實(shí)現(xiàn) +105°C 的高溫運(yùn)行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。
2008-12-08
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明年夏普或?qū)⒅氐翘柲茈姵禺a(chǎn)量全球首位
法國調(diào)查公司Yole Developpement(以下簡稱Yole)的數(shù)據(jù)顯示，2008年夏普排名全球太陽能電池生產(chǎn)能力的首位(《PV Fab Database 2008 IV日語版》)。然而，夏普的實(shí)際生產(chǎn)量在2007年被德國Q-Cells公司超過。2008年很有可能被中國的尚德電力(Suntech Power)趕超，從而下滑到第3位。其主要原因是多晶硅原料供應(yīng)不足。
2008-12-08
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汽車電子行業(yè)未來兩年可能出現(xiàn)“傷亡”
在日前于法國巴黎舉行的國際汽車電子會議上，市場研究機(jī)構(gòu)Strategy Analytics的分析師Ian Riches預(yù)測，汽車電子市場雖然可望持續(xù)成長，但在接下來的兩年內(nèi)恐怕也會出現(xiàn)“傷亡”。
2008-12-08
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Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
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三星SDI將在移動娛樂市場推出5英寸以上的有機(jī)EL面板
據(jù)日經(jīng)BP社報(bào)道，日前在東京都內(nèi)舉行的“第三屆TSR研討會”上，韓國三星SDI移動顯示器營銷部（Mobile Display Marketing Team）副總裁Woo Jong Lee發(fā)表主題演講，展望了面向移動設(shè)備的有源矩陣型有機(jī)EL面板的前景。
2008-12-05
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