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WSLP3921\5931:Vishay推出Power Metal Strip?電阻
日前，Vishay Intertechnology，推出兩款新的采用3921和5931外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻 --- WSLP3921和WSLP5931，電阻具有5W～10W的高功率等級(jí)和低至0.0003Ω的極低阻值。
2010-11-22
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SiZ710DT：Vishay Siliconix推出低導(dǎo)通電阻MOSFET器件用于筆記本電腦
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出首款采用PowerPAIR? 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對(duì)稱雙通道TrenchFET?功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的導(dǎo)通電阻減小43%，同時(shí)具有更高的最大電流并提高效率...
2010-11-19
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IHLP-6767DZ-11：Vishay推出采新型電感器用于DC-DC電源
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款采用6767外形尺寸的IHLP?小外形、高電流電感器。IHLP-6767DZ-11具有4.0mm的超薄厚度，還具有高效率和低至2.05mΩ的DCR，以及1.0μH～47.0μH的寬范圍標(biāo)準(zhǔn)感值...
2010-11-18
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Vishay官方網(wǎng)站發(fā)布5個(gè)光電子產(chǎn)品在線講座
日前，Vishay宣布為幫助客戶了解固態(tài)照明、光耦可控硅、光電二極管、高速光耦和環(huán)境光傳感器的應(yīng)用及關(guān)鍵參數(shù)，Vishay在其網(wǎng)站上的視頻中心加入5個(gè)新的光電子產(chǎn)品在線講座...
2010-11-12
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SiHG47N60S：Vishay推出新款N溝道功率MOSFET適用于電機(jī)控制電源
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET。 SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。
2010-11-08
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Vishay推出紅外接收器適用于與3D電視機(jī)配套使用的LCD快門眼鏡
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款針對(duì)與3D電視機(jī)配套使用的LCD快門眼鏡而專門開(kāi)發(fā)的紅外接收器，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。表面貼裝的TSOP75D25和 TSOP35D25紅外接收器可以裝進(jìn)主動(dòng)式3D眼鏡里，接收來(lái)自電視機(jī)的紅外信號(hào)，確保眼鏡的LCD快門能夠恰當(dāng)?shù)赝介_(kāi)啟和關(guān)閉，從而產(chǎn)生3D效果。
2010-11-01
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VLMx51系列：Vishay推出小尺寸PLCC2 Plus封裝SMD LED用于照明
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小尺寸PLCC2 Plus封裝的紅色、琥珀色、黃色和白色功率SMD LED。VLMx51系列具有高光通量和非常低的結(jié)至環(huán)境熱阻，可用于各種照明應(yīng)用。
2010-10-29
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Vishay Siliconix推出兩款功率MOSFET用于植入式醫(yī)療應(yīng)用
新MOSFET的應(yīng)用將包括送藥系統(tǒng)、除顫器、起搏器、助聽(tīng)器和其他植入式設(shè)備中的負(fù)載切換。器件的小封裝尺寸(SMMA511DJ為 2mmx2mm，SMMB912DK為1.6mmx1.6mm)將有助于節(jié)省小型醫(yī)療設(shè)備中的空間，同時(shí)其低至0.4Ω的超低導(dǎo)通電阻能夠降低傳導(dǎo)損耗，從而延長(zhǎng)電池壽命。
2010-10-27
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WSLP0603：Vishay推出0603封裝的檢流電阻用于DC-DC轉(zhuǎn)換器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip?電阻 --- WSLP0603，該電阻是業(yè)界首款采用緊湊0603封裝尺寸的0.4W檢流電阻。WSLP0603電阻的阻值范圍非常低，只有10m?～100m?，可在+170℃的高溫下工作。
2010-10-21
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Vishay Siliconix 推出新款N溝道功率MOSFET用于開(kāi)放式電源
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.38Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。
2010-10-20
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Vishay擴(kuò)充其薄膜SMD電阻芯片家族應(yīng)用于宇航領(lǐng)域
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，擴(kuò)充其通過(guò)E/H MIL-PRF-55342認(rèn)證的薄膜表面貼裝電阻器芯片。這些芯片的外形尺寸為0505、1005、1505、0705、1206和1010，可為宇航級(jí)應(yīng)用提供“T”級(jí)可靠性。更大尺寸的產(chǎn)品也即將通過(guò)認(rèn)證。
2010-10-14
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TM8系列:Vishay推出新型高可靠性固鉭電容器適用于醫(yī)療電子應(yīng)用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款TM8系列高可靠性、表面貼裝、具有低至200nA的超低直流泄露電流(DCL)的鉭電容器。
2010-10-12
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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