国产精品内射日本在线观看,女人操女人大逼,国产成人精品男人女人高潮,欧美性爱2022天堂网

為你找到相關(guān)結(jié)果513個

第18講：SiC MOSFET的動態(tài)特性

SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態(tài)電阻。驅(qū)動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，并仔細設(shè)計控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。

2025-04-07
第15講：高壓SiC模塊封裝技術(shù)

SiC芯片可以高溫工作，與之對應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進，本文帶你詳細了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。

2025-02-14
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結(jié)溫信息

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

2025-01-24
IGBT并聯(lián)設(shè)計指南，拿下！

大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。

2025-01-24
第14講：工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊

三菱電機開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。

2025-01-24
IGBT的并聯(lián)知識點梳理：靜態(tài)變化、動態(tài)變化、熱系數(shù)

大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。系統(tǒng)設(shè)計工程師需要了解這些，才能設(shè)計出可靠的系統(tǒng)。

2025-01-16
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

2025-01-14
IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應(yīng)用中提供更高能效

制造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場，試圖將商用和農(nóng)業(yè)車輛 (CAV) 改造成由電力驅(qū)動。

2025-01-08
柵極驅(qū)動器選得好，SiC MOSFET高效又安全

硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機驅(qū)動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產(chǎn)品的需求，以及設(shè)計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應(yīng)用中受歡迎的替代品。

2025-01-06
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

2024-12-25
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測量

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

2024-12-09
安森美榮獲2024年亞洲金選車用電子解決方案供應(yīng)商獎及年度最佳功率半導(dǎo)體獎

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎（EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應(yīng)商獎，彰顯其在車用領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和領(lǐng)先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導(dǎo)體獎，基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù)帶來出色的效能表現(xiàn)獲得業(yè)界肯定。

2024-12-06

首頁上一頁 1 2 3 4 5 6 7 8 下一頁尾頁

特別推薦

強強聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動化產(chǎn)線注入核心部件
瞄準精準醫(yī)療，Nordic新型芯片讓可穿戴醫(yī)療設(shè)備設(shè)計更自由
信號切換全能手：Pickering 125系列提供了從直流到射頻的完整舌簧繼電器解決方案
射頻供電新突破：Flex發(fā)布兩款高效DC/DC轉(zhuǎn)換器，專攻微波與通信應(yīng)用
電源架構(gòu)革新：多通道PMIC并聯(lián)實現(xiàn)大電流輸出的設(shè)計秘籍

技術(shù)文章更多>>

技術(shù)白皮書下載更多>>

熱門搜索

友情鏈接(QQ：317243736)

我愛方案網(wǎng) ICGOO元器件商城創(chuàng)芯在線檢測芯片查詢天天IC網(wǎng) 電子產(chǎn)品世界無線通信模塊控制工程網(wǎng) 電子開發(fā)網(wǎng) 電子技術(shù)應(yīng)用與非網(wǎng) 世紀電源網(wǎng) 21ic電子技術(shù)資料下載電源網(wǎng) 電子發(fā)燒友網(wǎng) 中電網(wǎng) 中國工業(yè)電器網(wǎng) 連接器礦山設(shè)備網(wǎng) 工博士智慧農(nóng)業(yè) 工業(yè)路由器天工網(wǎng) 乾坤芯電子元器件采購網(wǎng) 亞馬遜KOL 聚合物鋰電池工業(yè)自動化設(shè)備企業(yè)查詢工業(yè)路由器元器件商城連接器 USB中文網(wǎng) 今日招標網(wǎng) 塑料機械網(wǎng) 農(nóng)業(yè)機械中國IT產(chǎn)經(jīng)新聞網(wǎng) 高低溫試驗箱

關(guān)閉

?

關(guān)閉

广昌县| 时尚| 贵定县| 山丹县| 商丘市| 罗江县| 股票| 重庆市| 兴隆县| 开封县| 泾川县| 大石桥市| 甘谷县| 锡林郭勒盟| 锦屏县| 萨嘎县| 石嘴山市| 边坝县| 万山特区| 湾仔区| 仁布县| 乐陵市| 依安县| 保亭| 福泉市| 文水县| 古浪县| 丽水市| 平谷区| 杂多县| 康平县| 大新县| 海淀区| 南昌市| 天门市| 韩城市| 甘孜| 黄龙县| 东莞市| 衡南县| 连州市|