-
安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級到 800V 電池架構
自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。
2023-07-28
-
電源設計更快更好，高效能圖騰柱PFC應用須知
現(xiàn)今電源供應器市場為因應全球減碳活動，已經(jīng)將效能目標設定為更高效率、減少損失、節(jié)省能源、降低成本、提高系統(tǒng)容量為主。安森美(onsemi)提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結合全橋整流器之PFC IC NCP1680/1681設計方案，相較傳統(tǒng)PFC之轉(zhuǎn)換效率可以提升3%~4%，符合未來電源供應器之節(jié)省能源，降低成本，提高系統(tǒng)容量之訴求。加上NCP1680/1681快速的負載暫態(tài)補償響應，以及高規(guī)格安規(guī)等級各式保護功能，特別是具有PFC-OK訊號供應后級電源時序控制，NCP1680/1681應用達到高效率，高功率因子，以及高穩(wěn)定性PFC應用。
2023-07-28
-
基于PSoC 6 Matter的智能家居解決方案
近年來，智能家居產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，推動了原有家居產(chǎn)業(yè)園區(qū)的轉(zhuǎn)型升級，同時，不斷擴大的智能家居市場需求，以及傳統(tǒng)家居產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移，為很多地方布局新的智能家居產(chǎn)業(yè)園建設帶來了機會。在2019年底中國已成為全球最大的物聯(lián)網(wǎng)市場，全球15億臺蜂窩網(wǎng)絡連接設備中9.6億臺來自中國，占比64%。
2023-07-26
-
為什么Tier1要開發(fā)控制器的電源管理芯片？
電源管理芯片（SBC：System Base Chip）是控制器（MCU）外圍器件工作電壓的提供者，沒有SBC供電，控制器的外圍器件則無法工作。使用SBC主要目的：降低硬件系統(tǒng)設計的復雜度和成本?？梢姡琒BC在控制器開發(fā)中的重要性。對于商業(yè)行為，我們知道，降低成本意味著利潤的提高，而且，有利于產(chǎn)品搶占更大的市場份額。
2023-07-26
-
基于自振蕩混頻的X波段單器件收發(fā)電路設計分析
作為通信系統(tǒng)中的兩個關鍵的電路單元，混頻器和振蕩器起著至關重要的作用。在無線通信中，混頻器與振蕩器的設計直接關系到整個電路是否具有高性能與高穩(wěn)定性的品質(zhì)。在接收前端電路中，混頻器作為實現(xiàn)頻率搬移的器件，將由天線所接收到的射頻(Radio Frequency，RF)信號與振蕩器所提供的本地振蕩(Local Oscillation，LO)信號源進行線性的頻率變換，從而得到方便處理的中頻(Intermediate Frequency，IF)信號。
2023-07-26
-
安森美與博格華納擴大碳化硅戰(zhàn)略合作， 協(xié)議總價值超10億美元
智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領域開展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
-
安森美引領行業(yè)的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術優(yōu)勢
本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術優(yōu)勢，提供有關如何使用在線工具和可用功能的更多詳細信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關的基礎知識，接下來介紹開關損耗提取技術和寄生效應影響的詳細信息，并介紹虛擬開關損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢。該虛擬環(huán)境還可用來研究系統(tǒng)性能對半導體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細介紹對軟硬開關皆適用的 PLECS 模型以及相關的影響?？偨Y部分闡明了安森美工具比業(yè)內(nèi)其他用于電力電子系統(tǒng)級仿真的工具更精確的原因。
2023-07-19
-
了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關，在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結合。IGBT用于中到大功率應用，如開關電源、牽引電機控制和感應加熱。
2023-07-18
-
絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時候都更加重要。在我們10月份發(fā)布的電動汽車電力電子報告[2]中，TechInsights預測，xEV輕型汽車動力總成的產(chǎn)量將從2020年的910萬增長到2026年的4310萬，這使得其復合年增長率(CAGR)達到25%。SiC MOSFET目前預計占市場的約26%，到2029年預計將占市場份額的50%。
2023-07-16
-
IOTE 2023深圳物聯(lián)網(wǎng)展邀請函
IOTE 2023 第二十屆國際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站，將于2023年9月20-22日在深圳國際會展中心（寶安）震撼來襲，以“IoT構建數(shù)字經(jīng)濟底座”為主題，將IoT技術引入實體經(jīng)濟領域，促進數(shù)字化轉(zhuǎn)型和智能化升級，推進智能家居、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、智慧城市、智慧醫(yī)療等多個領域的數(shù)智化深度融合，共同推動全球數(shù)字經(jīng)濟的繁榮與進步。
2023-07-14
-
SiFive中國技術論壇圓滿落幕, 實力詮釋RISC-V成“垂直半導體時代”必選項
“RISC-V勢不可擋，” 暌違中國數(shù)年的RISC-V主要發(fā)明人、SiFive共同創(chuàng)辦人兼首席架構師Krste Asanovic教授，在近日剛剛圓滿落幕的2023 SiFive RISC-V中國技術論壇北京、上海、深圳三地巡回演講時，始終強調(diào)了這一核心思想。
2023-07-10
-
高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應用
在現(xiàn)今電力電子領域，高壓（HV）分立功率半導體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。這些產(chǎn)品具有較低的損耗、更好的雪崩特性，以及高可靠性。本文重點介紹Littelfuse提供的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件。
2023-07-08
- 功率電阻從原理到選型的工程實踐指南
- BMS開路檢測新突破：算法如何攻克電芯連接故障識別難題？
- 功率器件新突破！氮化鎵實現(xiàn)單片集成雙向開關
- 壓敏電阻技術全解析與選型的專業(yè)指南
- 激光雷達如何破解自動駕駛“視覺困境”？
- EMC與成本雙優(yōu)解 車載燈光域控制器集成方案落地
- 展位預定倒計時！500+優(yōu)質(zhì)企業(yè)云集，西部地區(qū)不容錯過的電子行業(yè)盛會！
- 隔離SEPIC轉(zhuǎn)換器如何破解反激式拓撲的EMI與調(diào)節(jié)困局？
- 小信號放大新思路，低成本儀表放大器的差分輸出設計
- 電源測量的導線布局如何影響測量精度？
- 非線性響應破局！新一代eFuse跳變曲線如何提升能效？
- 如何破解導航系統(tǒng)中MEMS IMU數(shù)據(jù)同步困局？
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
