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HTRN系列：Vishay推出高性能薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)用于發(fā)動機(jī)控制及工業(yè)應(yīng)用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列可在-55℃～+215℃寬溫條件下工作的雙通道薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)---HTRN系列。該系列電阻網(wǎng)絡(luò)的工作溫度范圍比傳統(tǒng)薄膜片式電阻擴(kuò)大了近100℃，絕對TCR低至±25ppm/℃，TCR跟蹤為5ppm/℃，以及±0.05%的嚴(yán)格比例容差。
2011-12-09
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CHPHT：Vishay推出耐高溫環(huán)繞式厚膜片式電阻用于鉆井設(shè)備
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款新型耐高溫、表面貼裝的環(huán)繞式厚膜片式電阻---CHPHT。對于鉆井應(yīng)用，CHPHT是業(yè)內(nèi)首款具有-55℃～+230℃的工作溫度和-55℃～+245℃儲存溫度的此類器件。
2011-12-06
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TH4：Vishay 推出耐高溫固態(tài)模壓片式鉭電容器用于汽車及工業(yè)應(yīng)用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出在-55℃～+175℃溫度及50%電壓降額情況下工作的新系列HI-TMP? TANTAMOUNT?表面貼裝固態(tài)模壓片式鉭電容器---TH4系列。通過AEC-Q200認(rèn)證的TH4電容器能在遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的高溫下工作，為汽車和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計工程師提供了穩(wěn)固和更可靠的產(chǎn)品。
2011-12-06
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VSOP383|VSOP584：Vishay發(fā)布寬電源電壓和低供電電流的紅外遙控信號解調(diào)IC
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布業(yè)內(nèi)首款用于調(diào)制由分立光敏二極管接收的紅外遙控信號的解調(diào)IC--- VSOP383..和VSOP584..，擴(kuò)大其光電子產(chǎn)品組合。VSOP383..和VSOP584..系列產(chǎn)品采用小尺寸的2mm x 2mm x 0.76mm QFN封裝，能夠處理連續(xù)的數(shù)據(jù)傳輸，具有寬電源電壓和低供電電流的特點。
2011-11-30
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ICM-2824/3528/4743：Vishay發(fā)布高可靠性表面貼裝共模扼流圈
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型表面貼裝共模扼流圈--- ICM-2824、ICM-3528和ICM-4743，為直流電源線提供了低直流電阻、高電流處理能力和高可靠性。
2011-11-30
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Vishay大幅縮短CDR MLCC的供貨周期
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為適應(yīng)設(shè)備制造商對更快上市時間要求的不斷提高，縮短其通過MIL認(rèn)證的CDR多層陶瓷片式電容器(MLCC)的供貨周期。對于至關(guān)重要的軍工和航天應(yīng)用，Vishay的客戶可以在最快六周的時間內(nèi)獲得這些器件，并開始組裝。
2011-11-24
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VJ CDC：Vishay發(fā)布具有集成電阻的新表面貼裝MLCC用于爆破設(shè)備
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用一個集成電阻和低電致伸縮陶瓷配方的新款陶瓷多層片式電容器(MLCC)--- VJ CDC。對于高脈沖電流應(yīng)用，VJ受控放電電容器(CDC)提供了出色的穩(wěn)定性，可承受1000VDC～1500VDC的高電壓，容量為33nF～560nF。
2011-11-23
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SiZ300DT|SiZ910DT：Vishay擴(kuò)充雙芯片不對稱功率MOSFET家族
Vishay Siliconix擴(kuò)充PowerPAIR?雙芯片不對稱功率MOSFET家族，新的25V和30V器件大大簡化了高效DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計
2011-11-15
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Vishay發(fā)布采用SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)的850nm紅外發(fā)射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用該公司的SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)制造的850nm紅外(IR)發(fā)射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，擴(kuò)大其光電子產(chǎn)品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star?封裝，占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驅(qū)動電流、發(fā)光強(qiáng)度和光功率，同時具有低熱阻系數(shù)。
2011-11-11
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VBUS54ED-FBL：Vishay推出超小尺寸4線總線端口保護(hù)陣列用于便攜產(chǎn)品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封裝的新款4線ESD保護(hù)陣列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面積只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低電容和低泄漏電流的特性可以保護(hù)高速信號線免受瞬態(tài)電壓信號的損害。
2011-11-08
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P13L：Vishay發(fā)布壽命長達(dá)2百萬次、適用于極端環(huán)境的新款面板式電位計
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款金屬陶瓷面板式電位計---Sfernice P13L，這種電位計的壽命長達(dá)2百萬次，全I(xiàn)P67密封使其能夠在極端的環(huán)境條件下可靠工作。
2011-11-07
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Vishay Siliconix推出通過JAN認(rèn)證的軍用級N溝道功率MOSFET
Vishay Siliconix推出通過JAN認(rèn)證的軍用級N溝道功率MOSFET采用密封TO-205AD封裝的軍用級器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能。
2011-11-02
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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