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第12講：三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)
三菱電機(jī)開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET，并將其產(chǎn)品化，率先將其應(yīng)用于驅(qū)動鐵路車輛的變流器中，是一家在市場上擁有良好業(yè)績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)。
2024-12-22
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芝識課堂【CMOS邏輯IC的使用注意事項(xiàng)】—深入電子設(shè)計，需要這份指南（一）
當(dāng)今的電子設(shè)計領(lǐng)域，CMOS邏輯IC因其低功耗、高集成度和良好的噪聲抑制能力而得到廣泛應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮CMOS邏輯IC的性能優(yōu)勢，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定可靠運(yùn)行，必須嚴(yán)格遵守一系列使用注意事項(xiàng)。從本期芝識課堂起，芝子將向大家奉上一份詳細(xì)的設(shè)計指南，幫助大家更好地避免潛在的設(shè)計陷阱和故障。
2024-12-13
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第11講：三菱電機(jī)工業(yè)SiC芯片技術(shù)
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。
2024-12-12
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如何選擇有效的ESD保護(hù)二極管
ESD 保護(hù)器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護(hù) IC 的安全電壓，并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過去幾年中沒有變化，但保護(hù) IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過去，IC 設(shè)計對 ESD 更加穩(wěn)健，并且可以處理更高的電壓，因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級要求的任何保護(hù)二極管就足夠了。
2024-12-12
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意法半導(dǎo)體和ENGIE在馬來西亞簽訂可再生能源發(fā)電供電長期協(xié)議
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 于11月7日宣布與BKH Solar Sdn Bhd太陽能發(fā)電公司簽訂為期21年的購電協(xié)議(PPA)。BKH Solar Sdn Bhd是全球著名的低碳能源服務(wù)公司ENGIE Renewable SEA Pte Ltd (ENGIE) 和馬來西亞迅速崛起的太陽能開發(fā)商Conextone energy Sdn Bhd的合資公司。
2024-12-10
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安森美斥資1.15億美元收購碳化硅JFET技術(shù)，強(qiáng)化AI數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品組合
安森美（onsemi，納斯達(dá)克股票代碼：ON）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。
2024-12-10
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授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是Same Sky（原CUI Devices）電子元器件和創(chuàng)新解決方案的全球授權(quán)代理商。Same Sky是全球知名的互連、音頻、熱管理、運(yùn)動、繼電器、傳感器和開關(guān)解決方案制造商。貿(mào)澤有9500多種Same Sky創(chuàng)新產(chǎn)品開放訂購，其中5500多種有現(xiàn)貨庫存。
2024-12-10
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貿(mào)澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽能和儲能解決方案
專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 攜手安森美 (onsemi) 和 Würth Elektronik為持續(xù)增長的太陽能逆變器市場提供豐富的解決方案。
2024-12-09
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測量
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-09
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-06
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雷諾旗下安培與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議，合作開發(fā)電動汽車電源控制系統(tǒng)
雷諾集團(tuán)旗下純智能電動汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 今天宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動，雷諾集團(tuán)與意法半導(dǎo)體簽署了一份從 2026 年開始為安培長期供應(yīng)碳化硅 (SiC) 功率模塊的供貨協(xié)議，該協(xié)議是雷諾集團(tuán)與意法半導(dǎo)體為安培超高效電動汽車逆變器開發(fā)電源控制系統(tǒng) (powerbox) 的合作計劃的一部分。功率模塊是電源控制系統(tǒng)的關(guān)鍵元件，安培和意法半導(dǎo)體合作優(yōu)化功率模塊，確保電驅(qū)系統(tǒng)具有很強(qiáng)的性能和競爭力，同時充分發(fā)揮安培在電動汽車技術(shù)方面的特長和意法半導(dǎo)體在先進(jìn)功率元器件研制領(lǐng)域的獨(dú)到之處。
2024-12-05
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面對電動汽車和數(shù)據(jù)中心兩大主力應(yīng)用市場，SiC和GaN該如何發(fā)力？
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特性，使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器領(lǐng)域。
2024-12-04
- 國產(chǎn)芯片與系統(tǒng)深度融合！兆易創(chuàng)新聯(lián)袂普華軟件破局汽車電子
- 揭秘未來勞動力：貿(mào)澤與Molex新電子書解析機(jī)器人技術(shù)變革
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