-
SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！
隨著Al工作負載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識和并聯(lián)設(shè)計。
2025-03-06
-
第16講：SiC SBD的特性
SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。
2025-03-03
-
三安與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅晶圓合資廠正式通線
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM) ，和中國化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產(chǎn)品）三安光電（上海證券交易所代碼：600703）今日宣布，雙方在重慶設(shè)立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠（即“安意法半導(dǎo)體有限公司”，以下簡稱安意法）現(xiàn)已正式通線。這一里程碑標志著意法半導(dǎo)體和三安正朝著于2025年年底前實現(xiàn)在中國本地生產(chǎn)8英寸碳化硅這一目標穩(wěn)步邁進，屆時將更好地滿足中國新能源汽車、工業(yè)電源及能源等市場對碳化硅日益增長的需求。
2025-02-27
-
全民智駕熱潮下，ADAS系統(tǒng)對電源芯片的四大需求
南芯科技在 ADAS 電源芯片領(lǐng)域早有布局，并于去年發(fā)布了單芯片車載攝像頭 PMIC 系列，通過安全高效的電源管理提升 ADAS 系統(tǒng)攝像頭的穩(wěn)定性與可靠性。其中，SC6201Q 已于去年實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，符合 ASIL-B 功能安全標準要求的 SC6205Q 和 SC6206Q 也已步入規(guī)模量產(chǎn)階段，持續(xù)為 ADAS 應(yīng)用保駕護航。
2025-02-26
-
貿(mào)澤電子與Amphenol聯(lián)合推出全新電子書探索連接技術(shù)在電動汽車和電動垂直起降飛行器中的作用
注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Amphenol合作推出全新電子書《9 Experts Discuss the Role of Connectivity in e-Mobility》（9位專家探討連接技術(shù)在電動出行中的作用），深入探討電動汽車中的連接和傳感器技術(shù)。書中，來自交通運輸行業(yè)和Amphenol的專家針對支持當今純電動/混合動力汽車 (EV/HEV) 以及電動垂直起降 (eVTOL) 飛行器獨特需求的技術(shù)與策略提供了深度見解。
2025-02-22
-
英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2
電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。
2025-02-21
-
意法半導(dǎo)體為數(shù)據(jù)中心和AI集群帶來更高性能的云光互連技術(shù)
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出了新一代專有硅光技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心和 AI 集群帶來性能更高的光互連解決方案。隨著 AI 計算需求的指數(shù)級增長，計算、內(nèi)存、電源以及這些資源的互連都面臨著性能和能效的挑戰(zhàn)。意法半導(dǎo)體新推出的硅光技術(shù)和新一代 BiCMOS 技術(shù)可以幫助云計算服務(wù)商和光模塊廠商克服這些挑戰(zhàn)。計劃從 2025 年下半年開始，800Gb/s 和 1.6Tb/s 光模塊將逐步提升產(chǎn)量。
2025-02-21
-
第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性
本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設(shè)計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準。
2025-02-20
-
可再生電力：道達爾能源將在15年內(nèi)為意法半導(dǎo)體法國供電1.5億千瓦時
道達爾能源公司 (TotalEnergies) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 簽署了一份實體購電協(xié)議，為意法半導(dǎo)體位于法國的工廠供應(yīng)可再生電力，這份為期十五年的合同于 2025 年 1 月生效，總購電量為 1.5 億千瓦時 (TWh)。
2025-02-18
-
功率半導(dǎo)體驅(qū)動電源設(shè)計（一）綜述
工業(yè)應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體的驅(qū)動電源功率不大，設(shè)計看似簡單，但要設(shè)計出簡單低成本的電路并不容易。這就需要一個集成度高，外圍器件少，功率密度高的DCDC輔助電源方案，減小線路板面積，這對避免受干擾，提高可靠性也有幫助。這是開發(fā)EiceDRIVER? Power 2EP系列的背景。
2025-02-18
-
設(shè)計高壓SIC的電池斷開開關(guān)
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng)，由單相或三相電網(wǎng)功率或儲能系統(tǒng)（ESS）提供動力，可以通過固態(tài)電路保護提高其可靠性和彈性。在設(shè)計高壓固態(tài)電池斷開連接開關(guān)時，需要考慮一些基本的設(shè)計決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)，設(shè)備類型，熱包裝，設(shè)備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)的設(shè)計注意事項，并為高壓，高電流電池斷開開關(guān)定義了半導(dǎo)體包裝，以及表征系統(tǒng)寄生電感和過度流動保護限制的重要性。
2025-02-16
-
如何測量PMIC的PSRR
PSRR是一個重要參數(shù)，可評估LDO在輸入電源中的變化中保持一致輸出電壓的能力。在輸入電源體驗波動的情況下，實現(xiàn)高PSRR至關(guān)重要，從而確保輸出電壓的可靠性。下圖1說明了測量PSRR的一般方法。
2025-02-16
- 強強聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動化產(chǎn)線注入核心部件
- 瞄準精準醫(yī)療，Nordic新型芯片讓可穿戴醫(yī)療設(shè)備設(shè)計更自由
- 信號切換全能手：Pickering 125系列提供了從直流到射頻的完整舌簧繼電器解決方案
- 射頻供電新突破：Flex發(fā)布兩款高效DC/DC轉(zhuǎn)換器，專攻微波與通信應(yīng)用
- 電源架構(gòu)革新：多通道PMIC并聯(lián)實現(xiàn)大電流輸出的設(shè)計秘籍
- 以 XCORE? 技術(shù)為核心，XMOS 亮相 CES 2026
- 有機基板 + 精簡引腳，SPHBM4 的雙重技術(shù)突破
- 減重 35%、減排 80% 艾邁斯歐司朗聯(lián)合奧德堡推出零成本環(huán)保卷盤方案
- 極端環(huán)境救星：AMD EPYC 2005 系列處理器解析
- 第一部分：化繁為簡！BMS秉承簡單制勝原則兼顧效率與成本
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
