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雙電層電容器分類和優(yōu)點(diǎn)
雙電層電容器有（ElectricalDoule-LayerCapacitor），又可稱超級(jí)電容器，一種新型儲(chǔ)能裝置，擁有高能量密度的電化學(xué)電容器，比一般的電解電容器容量高上千倍。雙電層電容器有充電時(shí)間短、使用壽命長(zhǎng)、溫度特性好、節(jié)約能源和綠色環(huán)保等特點(diǎn)。
2020-06-01
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安森美半導(dǎo)體任命Bernie Colpitts為首席會(huì)計(jì)官
2020年5月22日 —推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，宣布任命Bernard (“Bernie”)為安森美半導(dǎo)體公司及其全資子公司Semiconductor Components Industries, LLC (“SCILLC”)的首席會(huì)計(jì)官，以及SCILLC財(cái)務(wù)副總裁 。 Colpitts此前是總部位于美國(guó)德克薩斯州的視頻游戲零售商GameStop Corp.的高級(jí)副總裁兼首席會(huì)計(jì)官。
2020-05-28
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射頻集成電路的電源管理
隨著射頻集成電路(RFIC)中集成的元件不斷增多，噪聲耦合源也日益增多，使電源管理變得越來(lái)越重要。本文將描述電源噪聲可能對(duì)RFIC 性能造成的影響。雖然本文的例子是集成鎖相環(huán)(PLL)和電壓控制振蕩器(VCO)的 ADRF6820 正交解調(diào)器，但所得結(jié)果也適用于其他高性能RFIC。
2020-05-20
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詳解MEMS VOA光衰減器的工作原理
MEMS（Micro Electro Mechanical System，微機(jī)電系統(tǒng)）技術(shù)被廣泛應(yīng)用于光纖通信系統(tǒng)中，MEMS技術(shù)與光學(xué)技術(shù)的結(jié)合，通常稱作MOEMS技術(shù)。最為常用的MOEMS器件包括光衰減器VOA、光開(kāi)關(guān)OS、可調(diào)光學(xué)濾波器TOF、動(dòng)態(tài)增益均衡器DGE、波長(zhǎng)選擇開(kāi)關(guān)WSS和矩陣光開(kāi)關(guān)OXC。
2020-05-20
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兩款新器件重塑信號(hào)發(fā)生器
過(guò)去，任意波形發(fā)生器最棘手的部分是輸出級(jí)的設(shè)計(jì)。典型信號(hào)發(fā)生器的輸出范圍在25 mV 到5 V 之間。為了驅(qū)動(dòng)一個(gè)50 Ω 的負(fù)載，傳統(tǒng)設(shè)計(jì)采用高性能分立式器件，并聯(lián)大量集成器件，或者成本昂貴的ASIC，而要構(gòu)造出穩(wěn)定且可編程范圍較寬的高性能輸出級(jí)，設(shè)計(jì)師往往要投入無(wú)數(shù)小時(shí)的時(shí)間?，F(xiàn)在，技術(shù)進(jìn)步帶來(lái)的放大器可以驅(qū)動(dòng)這些負(fù)載，降低輸出級(jí)的復(fù)雜性，同時(shí)還能減少成本、縮短上市時(shí)間。
2020-05-19
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多通道探針定位系統(tǒng)
具有兩個(gè)以上通道的示波器會(huì)給人們帶來(lái)一個(gè)共同的問(wèn)題：沒(méi)有任何人有足夠多的手來(lái)握住兩個(gè)以上的示波器探針。這一問(wèn)題在使用諸如新型 PicoScope 6800E 設(shè)備等其他 8 通道示波器時(shí)尤為明顯，因此對(duì)于 Pico Technology 而言，解決這一問(wèn)題尤其重要。
2020-05-19
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從輕負(fù)載到重負(fù)載均實(shí)現(xiàn)高效率 充分地延長(zhǎng)電池設(shè)備的續(xù)航時(shí)間
BD83070GWL是一款內(nèi)置MOSFET的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC，適用于電池驅(qū)動(dòng)的移動(dòng)設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備。這款DC/DC轉(zhuǎn)換器IC不僅可通過(guò)升降壓工作最大限度地利用電池的能量，還在從輕負(fù)載到重負(fù)載的廣泛負(fù)載條件下，均實(shí)現(xiàn)了高效率和超低消耗電流，從而可大幅延長(zhǎng)電池驅(qū)動(dòng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。
2020-05-18
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IC引腳未在應(yīng)用中使用如何處置？
在電路設(shè)計(jì)中，經(jīng)常會(huì)遇到一些 IC 的引腳并未在應(yīng)用中使用到的情況，那么，該如何處置呢？
2020-05-18
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意法半導(dǎo)體發(fā)布2020年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告
中國(guó)，2020年5月15 日 – 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了2020年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告。
2020-05-15
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羅姆SiC MOSFET的新產(chǎn)品為何采用4引腳封裝
ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列產(chǎn)品“SCT3xxx xR系列”。SCT3xxx xR系列采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻；同時(shí)通過(guò)采用單獨(dú)設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開(kāi)關(guān)特性，使開(kāi)關(guān)損耗可以降低35%左右。此次，針對(duì)SiC MOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了ROHM株式會(huì)社的應(yīng)用工程師。
2020-05-14
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通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳將開(kāi)關(guān)損耗降低約35%
ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列產(chǎn)品“SCT3xxx xR系列”。SCT3xxx xR系列采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻；同時(shí)通過(guò)采用單獨(dú)設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開(kāi)關(guān)特性，使開(kāi)關(guān)損耗可以降低35%左右。此次，針對(duì)SiC MOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了ROHM株式會(huì)社的應(yīng)用工程師。
2020-05-14
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這款人氣爆棚的測(cè)溫模擬前端，你想不想了解一下？
隨著工業(yè)生產(chǎn)的發(fā)展，溫度測(cè)量與控制十分重要，溫度參數(shù)的準(zhǔn)確測(cè)量對(duì)輸出品質(zhì)、生產(chǎn)效率和安全可靠的運(yùn)行至關(guān)重要。ADI擁有完善的測(cè)溫/控溫方案，從無(wú)源的電阻式溫度檢測(cè)器RTD、熱電偶Thermocouple (TC)，到直接電流/電壓模擬量輸出、SPI/IIC數(shù)字接口輸出的半導(dǎo)體溫度傳感器。
2020-05-14
- 高性能差分信號(hào)路由：CBMG709在工業(yè)控制系統(tǒng)中的關(guān)鍵作用
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