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第14講：工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
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基于 SiC 的三相電機(jī)驅(qū)動開發(fā)和驗(yàn)證套件
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器涵蓋廣泛的應(yīng)用，從低壓工業(yè)驅(qū)動器（例如風(fēng)扇、泵和傳送帶、熱泵和空調(diào)）以及伺服驅(qū)動器。據(jù)估計，這些通常由交流電源驅(qū)動的電動機(jī)占工業(yè)用電量的 70-80%。因此，人們有強(qiáng)烈的動機(jī)來提高這些驅(qū)動器的效率。即使該參數(shù)的微小改進(jìn)也能在節(jié)省能源和成本方面產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。國際電化學(xué)委員會 (IEC) 為電機(jī)和集成電機(jī)驅(qū)動器制定了各種效率標(biāo)準(zhǔn)。例如，現(xiàn)在主要國家都要求采用IE3標(biāo)準(zhǔn)。在歐盟，額定輸出功率在 75 kW 至 200 kW 之間的電機(jī)需要符合 IE4 標(biāo)準(zhǔn)。
2025-01-21
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貿(mào)澤與TE Connectivity 和Microchip Technology聯(lián)手推出聚焦汽車Zonal架構(gòu)的電子書
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與全球連接器和傳感器知名制造商TE Connectivity以及Microchip Technology合作推出全新電子書，深入探討Zonal架構(gòu)如何幫助設(shè)計師跟上汽車系統(tǒng)日益復(fù)雜化的步伐，以及它如何從根本上改變車輛構(gòu)造。
2025-01-17
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用第三代 SiC MOSFET設(shè)計電源性能和能效表現(xiàn)驚人！
在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴(yán)苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構(gòu)應(yīng)運(yùn)而生。
2025-01-17
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如何通過配置控制器優(yōu)化CAN總線系統(tǒng)性能
控制器局域網(wǎng)絡(luò)(CAN)可在多個網(wǎng)絡(luò)站點(diǎn)之間提供強(qiáng)大的通信能力，支持多種數(shù)據(jù)速率和距離。CAN具有數(shù)據(jù)鏈路層仲裁、同步和錯誤處理等特性，廣泛用于工業(yè)、儀器儀表和汽車應(yīng)用之中。在ISO 11898標(biāo)準(zhǔn)的框架下，借助分布式多主機(jī)差分信令和內(nèi)置故障處理功能，DeviceNet、CANopen等多種協(xié)議針對物理層和數(shù)據(jù)鏈路層規(guī)定了相應(yīng)的實(shí)現(xiàn)方式。本文旨在描述如何針對給定應(yīng)用優(yōu)化設(shè)置，同時考慮控制器架構(gòu)、時鐘、收發(fā)器、邏輯接口隔離等硬件限制。文章將集中介紹網(wǎng)絡(luò)配置問題——包括數(shù)據(jù)速率和電纜長度——說明何時有必要對CAN節(jié)點(diǎn)進(jìn)行重新配置，以及如何從一開始就實(shí)現(xiàn)對節(jié)點(diǎn)的優(yōu)化配置。
2025-01-16
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-14
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解決模擬輸入IEC系統(tǒng)保護(hù)問題
與系統(tǒng)模擬輸入和輸出節(jié)點(diǎn)交互作用的外置高壓瞬變可能破壞系統(tǒng)中未采用充分保護(hù)措施的集成電路(IC)?，F(xiàn)代IC的模擬輸入和輸出引腳通常采用了高壓靜電放電(ESD)瞬變保護(hù)措施。人體模型(HBM)、機(jī)器模型(MM)和充電器件模型(CDM)是用來測量器件承受ESD事件的能力的器件級標(biāo)準(zhǔn)。這些測試旨在確保器件能承受器件制造和PCB裝配流程中的靜電壓力，通常在受控環(huán)境中實(shí)施。
2025-01-13
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氣相色譜傳感器解決環(huán)境監(jiān)測需求
本文概述了用于環(huán)境質(zhì)量監(jiān)測的氣相色譜傳感器系統(tǒng)的工作原理及其關(guān)鍵組件。文中將介紹氣相色譜法如何精確地分析與水和土壤污染相關(guān)的化合物，探討氣相色譜系統(tǒng)的主要組成部分，包括進(jìn)氣口、溫度控制裝置、檢測器和電源子系統(tǒng)。此外，我們還將提供低噪聲放大器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、基準(zhǔn)電壓和電源管理IC方面的建議，以實(shí)現(xiàn)高精度的測量。
2025-01-10
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第13講：超小型全SiC DIPIPM
三菱電機(jī)從1997年開始將DIPIPM產(chǎn)品化，廣泛應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱等白色家用電器，以及通用變頻器、機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結(jié)構(gòu)，由功率芯片和具有驅(qū)動及保護(hù)功能的控制IC芯片組成。通過優(yōu)化功率芯片和控制IC，預(yù)先調(diào)整了開關(guān)速度等特性。搭載驅(qū)動電路、保護(hù)電路、電平轉(zhuǎn)換電路的HVIC（High Voltage IC），可通過CPU或微機(jī)的輸入信號直接控制，通過單電源化和消除光耦來減小電路板尺寸，并實(shí)現(xiàn)高可靠性。另外，內(nèi)置BSD（Bootstrap Diode），可減少外圍元件數(shù)量。因此，DIPIPM使逆變器外圍電路的設(shè)計變得更加容易，有助于客戶逆變器電路板的小型化和縮短設(shè)計時間。
2025-01-09
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意法半導(dǎo)體公布2024年第四季度及全年財報和電話會議時間安排
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 將在2025年1月30日歐洲證券交易所開盤前公布2024年第四季度及全年財務(wù)數(shù)據(jù)。
2025-01-08
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基于SiC的高電壓電池斷開開關(guān)的設(shè)計注意事項
得益于固態(tài)電路保護(hù)，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)（由單相或三相電網(wǎng)電源或儲能系統(tǒng)（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設(shè)計高電壓固態(tài)電池斷開開關(guān)時，需要考慮幾項基本的設(shè)計決策。其中關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及路中斷期間的感應(yīng)能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)和定義高電壓、高電流電池斷開開關(guān)的半導(dǎo)體封裝時的一些設(shè)計注意事項，以及表征系統(tǒng)的寄生電感和過流保護(hù)限值的重要性。
2025-01-08
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柵極驅(qū)動器選得好，SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產(chǎn)品的需求，以及設(shè)計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應(yīng)用中受歡迎的替代品。
2025-01-06
- 國產(chǎn)芯片與系統(tǒng)深度融合！兆易創(chuàng)新聯(lián)袂普華軟件破局汽車電子
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