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IGBT 在不間斷電源中的應用

在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅動，控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點、使用IGBT 成為UPS 功率設計的首選，只有對IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設計，才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點。本文介紹UPS 中的IGBT 的應用情況和使用中的注意事項。

2008-10-16

電源高位跟蹤系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)

本系統(tǒng)通過采用可控硅延時開關的方式，解決了電源功率放大管的輸入極和輸出極電壓差無級跟蹤控制的問題，實現(xiàn)了輸入極電壓對輸出極電壓的非開關電源方式的全程無級高位跟蹤，從而使電源效率得到很大提高。

2008-09-29

VO3526：Vishay 新型1A輸出電流整合功率光敏可控硅

Vishay推出一款可輸出 1A 電流來驅動電阻及電感負載的整合功率光敏可控硅，從而拓寬了其光電子產(chǎn)品系列。由于消除了對外部功率 TRIAC 的需求，該器件可降低設計成本并節(jié)省板面空間。

2008-08-27

BTAxxx系列：安森美半導體隔離型三端雙向可控硅開關元件

安森美半導體擴充高性能三端雙向可控硅開關元件(TRIAC)產(chǎn)品系列，推出12款新的TRIAC，提供8、12和16安培(A)的可用額定功率，具有35和50毫安(mA)的門觸發(fā)電流(Igt)。這BTAxxx系列器件非常適合于講究隔離電壓、且安全是首要考慮的工業(yè)和控制應用。

2008-08-18

可控硅知識

1970-01-01

可控硅整流器

1970-01-01

雙向可控硅的工作原理 雙向可控硅結構原理及應用

1970-01-01

開關電源電路圖 開關電源電路圖解析

所謂開關電源，故名思議，就是這里有一扇門，一開門電源就通過，一關門電源就停止通過，那么什么是門呢，開關電源里有的采用可控硅，有的采用開關管，這兩個元器件性能差不多，都是靠基極、（開關管）控制極（可控硅）上加上脈沖信號來完成導通和截止的，脈沖信號正半周到來，控制極上電壓升高...

1970-01-01