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高電壓動態(tài)響應(yīng)測試：快速負載切換下的擺率特性研究
低電壓大電流供電場景下（如微處理器及ASIC芯片），電源系統(tǒng)需滿足嚴苛的電壓容限要求，其動態(tài)響應(yīng)特性在負載瞬態(tài)工況下尤為關(guān)鍵。此類電源的測試驗證工作面臨雙重挑戰(zhàn)：既要捕捉納秒級電流突變引發(fā)的細微電壓波動，又需建立精準(zhǔn)的規(guī)范符合性評估基準(zhǔn)。
2025-04-18
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從混動支線機到氫能飛行器：Vicor模塊化電源的航空減碳路線圖
目前可用的商業(yè)航空數(shù)據(jù)顯示，歐洲乃至全世界對額外運力的需求是不爭的事實?？罩锌蛙嚬绢A(yù)測，到 2038 年，全球商業(yè)航空的年均增長率將達到 4.3%。
2025-04-17
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氣體傳感器選型指南：環(huán)境適應(yīng)性、成本分析與核心IC解決方案
氣體傳感器作為環(huán)境監(jiān)測的核心部件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)安全、智能家居、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。不同應(yīng)用場景對傳感器的溫度適應(yīng)性、檢測精度、成本控制提出差異化需求。本文將深入解析五大主流氣體傳感器（電化學(xué)、半導(dǎo)體、紅外、催化燃燒、PID）在不同環(huán)境下的性能表現(xiàn)，并對比ADI、TI、Bosch等核心IC廠商的解決方案。
2025-04-16
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意法半導(dǎo)體監(jiān)事會聲明
意法半導(dǎo)體有限公司 (STMicroelectronics N.V.) 監(jiān)事會對 4 月 9 日意大利媒體的報道作出三點評論。
2025-04-15
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SiC MOSFET技術(shù)賦能AI數(shù)據(jù)中心，實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換能效質(zhì)的飛躍
隨著數(shù)據(jù)中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉(zhuǎn)換電力的功率半導(dǎo)體。這種需求的增長一方面是為了降低運營成本，另一方面是為了減少溫室氣體排放，以實現(xiàn)凈零排放的目標(biāo)。此外，業(yè)界也在不斷追求成本更低、尺寸更小的電源系統(tǒng)。
2025-04-14
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SiC如何讓EA10000電源效率飆升？電源技術(shù)優(yōu)勢全解剖
為應(yīng)對氣候變化挑戰(zhàn)，全球能源轉(zhuǎn)型已進入技術(shù)攻堅階段：非化石能源裝機占比突破50%的可再生電力系統(tǒng)加速構(gòu)建，交通領(lǐng)域電氣化率以年均12%的增速持續(xù)攀升。這場變革正催生顛覆性的功率需求——電動汽車動力電池系統(tǒng)電壓平臺躍升至900VDC+，能量密度突破95kWh；超充樁單槍輸出功率突破240kW技術(shù)門檻；氫燃料電池堆更以500kW級功率模塊和1000A級質(zhì)子交換膜電堆，重構(gòu)車載能源系統(tǒng)的功率邊界。
2025-04-14
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權(quán)威認證！貿(mào)澤電子斬獲Amphenol SV Microwave全球代理商年度大獎
全球知名電子元器件分銷商貿(mào)澤電子近日再度榮膺Amphenol SV Microwave 2024年度全球代理商殊榮，這已是其連續(xù)第三年斬獲該行業(yè)權(quán)威獎項。作為射頻(RF)/微波領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)航者，Amphenol SV Microwave的全系列創(chuàng)新產(chǎn)品組合——涵蓋高頻連接器、高性能電纜組件及精密無源元件——均可通過貿(mào)澤一站式采購平臺便捷獲取。
2025-04-13
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貿(mào)澤電子發(fā)布工業(yè)4.0線上資源預(yù)測性維護解決方案
全球業(yè)界知名電子元器件代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）今日正式推出全新工業(yè)4.0線上資源預(yù)測性維護解決方案，標(biāo)志著工業(yè)設(shè)備運維正式邁入AI驅(qū)動時代。該平臺深度融合邊緣計算與機器學(xué)習(xí)技術(shù)，為制造業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型提供端到端技術(shù)賦能方案。新網(wǎng)站探討了預(yù)測性維護蘊藏的機遇和優(yōu)勢，為讀者的設(shè)計之旅提供支持。
2025-04-11
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碳化硅能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關(guān)與軟開關(guān)應(yīng)用場景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔，通過三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓撲架構(gòu)，更對關(guān)鍵電參數(shù)、獨特性能優(yōu)勢及設(shè)計支持體系進行全方位解讀，為功率半導(dǎo)體開發(fā)者提供從基礎(chǔ)理論到實踐應(yīng)用的完整技術(shù)指引。
2025-04-08
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CITE 2025啟幕在即：頂尖展商集結(jié) 見證巔峰時刻
科技浪潮奔涌不息，從生成式AI重新定義內(nèi)容創(chuàng)作，到Micro LED顛覆顯示技術(shù)，從量子計算突破存儲極限，到無人機重新定義低空經(jīng)濟，全球電子信息產(chǎn)業(yè)正以驚人的速度迭代創(chuàng)新。在這場技術(shù)變革的洪流中，如何捕捉趨勢、鏈接生態(tài)、賦能未來？2025年4月9日—11日，將在深圳會展中心（福田）揭曉巔峰時刻。
2025-04-07
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第18講：SiC MOSFET的動態(tài)特性
SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態(tài)電阻。驅(qū)動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，并仔細設(shè)計控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
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意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 （STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科（香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣布簽署了一項氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應(yīng)鏈韌性。
2025-04-01
- 強強聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動化產(chǎn)線注入核心部件
- 瞄準(zhǔn)精準(zhǔn)醫(yī)療，Nordic新型芯片讓可穿戴醫(yī)療設(shè)備設(shè)計更自由
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