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10nm以下DRAM，三星DRAM技術突破存儲行業(yè)版圖
10納米以下節(jié)點的技術突破成為行業(yè)發(fā)展的關鍵門檻。三星電子與三星綜合技術院聯(lián)手，在IEEE國際電子器件會議上公布了——可用于10納米以下制程DRAM的高耐熱核心技術，為這一領域帶來了歷史性突破。這項以非晶態(tài)銦鎵氧化物材料為核心的創(chuàng)新，不僅攻克了CoP架構量產(chǎn)的高溫工藝難題，更以扎實的穩(wěn)定性數(shù)據(jù)為0a、0b世代DRAM的商用鋪平道路，其對全球存儲芯片行業(yè)的重構價值值得深入關注。
2025-12-18
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有機基板 + 精簡引腳，SPHBM4 的雙重技術突破
SPHBM4在沿用標準HBM4 DRAM核心層、保障容量擴展能力的基礎上，通過接口基礎裸片的創(chuàng)新性設計實現(xiàn)了關鍵突破——I/O數(shù)據(jù)引腳數(shù)量銳減至標準HBM4的四分之一。依托有機基板替代硅基板、更高工作頻率及4:1串行化技術的協(xié)同作用，這款新型內(nèi)存不僅適配更低凸點間距密度的材料特性，更為提升單一封裝內(nèi)存堆棧數(shù)量、拓展系統(tǒng)總容量開辟了新路徑，將對高性能計算存儲領域產(chǎn)生深遠影響。
2025-12-12
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國產(chǎn)超強手機內(nèi)存長鑫LPDDR5X來了
近日，長鑫存儲（CXMT）正式宣布，已成功實現(xiàn)LPDDR5X系列內(nèi)存芯片的研發(fā)與量產(chǎn)，標志著我國在高端移動存儲技術領域實現(xiàn)關鍵突破。這一里程碑進展不僅填補了國產(chǎn)DRAM在旗艦級手機應用中的空白，也意味著國產(chǎn)高端智能手機正加速擺脫對美韓存儲芯片的長期依賴。
2025-10-27
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華邦電子重新定義AI內(nèi)存：為新一代運算打造高帶寬、低延遲解決方案
隨著高效能運算（HPC）工作負載日益復雜，生成式 AI 正加速整合進現(xiàn)代系統(tǒng)，推動先進內(nèi)存解決方案的需求因此日益增加。為了應對這些快速演進的需求，業(yè)界正積極發(fā)展新一代內(nèi)存架構，致力于提升帶寬、降低延遲，同時增加電源效能。DRAM、LPDDR 以及利基型內(nèi)存技術的突破正重新定義運算效能，而專為 AI 優(yōu)化的內(nèi)存方案，則扮演了驅動效率與擴展性的關鍵角色。華邦的半定制化超高帶寬元件 (CUBE) 內(nèi)存即是此進展的代表，提供高帶寬、低功耗的解決方案，支持 AI 驅動的工作負載。本文將探討內(nèi)存技術的最新突破、AI 應用日益增長的影響力，以及華邦如何透過策略性布局響應市場不斷變化的需求。
2025-08-28
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14.4Gbps 狂飆！Cadence 全球首發(fā) LPDDR6/5X IP 點亮下一代 AI
楷登電子（Cadence，NASDAQ：CDNS）近日成功流片業(yè)界首款LPDDR6/5X內(nèi)存IP系統(tǒng)解決方案，支持14.4Gbps超高速率，較前代LPDDR DRAM性能提升50%。該方案專為新一代AI基礎設施設計，可滿足大語言模型（LLM）、智能代理等計算密集型應用對內(nèi)存帶寬與容量的嚴苛需求。目前，Cadence正與全球頭部AI、高性能計算（HPC）及數(shù)據(jù)中心客戶展開深度合作，共同推動AI算力架構的存儲升級。
2025-07-17
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產(chǎn)生負面影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結構顯著降低了節(jié)點接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們?nèi)蕴幱谥С制骷_成目標性能的合格水平。相比6F2器件，4F2 DRAM器件的總寄生電容得到有效降低，可能在器件尺寸較小的情況下提供更優(yōu)的性能。
2024-11-20
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DigiKey開售Kingston的內(nèi)存產(chǎn)品和存儲解決方案
DigiKey 宣布與 Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內(nèi)存產(chǎn)品和存儲解決方案。作為全球最大的獨立存儲器產(chǎn)品制造商之一，Kingston 面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式 OEM 客戶，提供包括 eMMC、eMCP、ePoP、UFS 和 DRAM 組件在內(nèi)的各種存儲產(chǎn)品。該公司還提供一系列專為系統(tǒng)設計師和制造者打造的工業(yè)級 SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤 (SSD)。
2024-07-27
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以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口
持續(xù)的器件微縮導致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發(fā)階段的關鍵任務之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測試數(shù)據(jù)不足，評估不同集成方案的工藝窗口會變得困難。為克服這一不足，我們將舉例說明如何借助虛擬制造評估 DRAM 電容器圖形化工藝的工藝窗口。
2023-11-29
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DDR5 時代來臨，新挑戰(zhàn)不可忽視
在人工智能（AI）、機器學習（ML）和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中，我們對數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級增長。面對這種前景，內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時代的關鍵“動脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術作為動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的重要演進，極大地推動了計算機性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術在帶寬、性能和功耗等各個方面都實現(xiàn)了顯著的進步。
2023-10-20
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為什么消費類DRAM無法滿足工業(yè)應用需求？
消費類DRAM廣泛普及，而且往往物美價廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費類DRAM 在工業(yè)應用中的真正危險和缺陷。在本文中，我們將探討消費類DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風險。
2023-09-25
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為什么FeFET變得如此有趣？
隨著芯片制造商尋找新的選擇來維持驅動電流，鐵電體正在接受認真的重新考慮。鐵電材料可以提供非易失性存儲器，填補 DRAM 和閃存之間的重要功能空白。事實上，用于存儲器的鐵電體和用于晶體管的 2D 溝道是最近 IEEE 電子設備會議的兩個亮點。
2022-12-30
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SPARC：用于先進邏輯和 DRAM 的全新沉積技術
泛林集團發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術，用于制造具有改進電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結構中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進一步處理。SPARC 將泛林無與倫比的等離子技術與化學和工藝工程相結合，實現(xiàn)了先進邏輯和 DRAM 集成設計的進一步發(fā)展。
2022-10-09
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